Ao selecionar um MOSFET de potência para atuar como chave em um circuito, deve-se atentar para que seus parâmetros garantam o funcionamento desejado e minimizem a dissipação de energia no transistor. Em relação aos parâmetros dos MOSFET de potência na situação acima mencionada, assinale a afirmativa correta. A) As perdas devido aos tempos de comutação só são relevantes na transição de atuação do MOSFET como chave fechada para atuação como chave aberta. B) A carga total de gate (Q g ) influencia diretamente à dissipação de energia durante o tempo em que o MOSFET está atuando como uma chave fechada. C) Quanto maior a capacitância de saída (C oss ), menor são as perdas por comutação. D) A tensão de bloqueio (V DS(max) ) afeta diretamente a eficiência energética do MOSFET. E) A tensão de limiar (V GS(th) ) não afeta consideravelmente a eficiência energética do MOSFET.

E) A tensão de limiar (V GS(th) ) não afeta consideravelmente a eficiência energética do MOSFET.

Questões Eletrônica Eletrônica de Potência

Ao selecionar um MOSFET de potência para atuar como chave em um circuito, deve-se atent...

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1Q1063556 | Eletrônica, Eletrônica de Potência, Arquitetura Elétrica, INPE, FGV, 2024

Ao selecionar um MOSFET de potência para atuar como chave em um circuito, deve-se atentar para que seus parâmetros garantam o funcionamento desejado e minimizem a dissipação de energia no transistor.
Em relação aos parâmetros dos MOSFET de potência na situação acima mencionada, assinale a afirmativa correta.

✂️ a) As perdas devido aos tempos de comutação só são relevantes na transição de atuação do MOSFET como chave fechada para atuação como chave aberta.
✂️ b) A carga total de gate (Q_g) influencia diretamente à dissipação de energia durante o tempo em que o MOSFET está atuando como uma chave fechada.
✂️ c) Quanto maior a capacitância de saída (C_oss), menor são as perdas por comutação.
✂️ d) A tensão de bloqueio (V_DS(max)) afeta diretamente a eficiência energética do MOSFET.
✂️ e) A tensão de limiar (V_GS(th)) não afeta consideravelmente a eficiência energética do MOSFET.