Equipe Gabarite
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19/09/2026 • 02:01
Os transistores de efeito de campo, conhecidos como FETs, são dispositivos semicondutores muito usados para amplificar sinais e controlar correntes em circuitos eletrônicos. Sua principal característica é o controle da corrente entre os terminais dreno e fonte através da tensão aplicada na porta, que age como um espelho eletrostático dentro do semicondutor. Isso implica que o FET é um dispositivo controlado por tensão, o que também explica sua alta impedância de entrada, ou seja, praticamente não consome corrente pela porta durante sua operação.
Agora, falando da junção PN, é importante destacar que nem todos os FETs têm uma junção PN entre o dreno e a fonte que seja obrigatória para seu funcionamento. Por exemplo, os MOSFETs utilizam um isolamento de óxido na porta, e isso chega a ser um diferencial. Assim, a afirmativa que diz que é obrigatório existir uma junção PN entre dreno e fonte não é uma das principais características dos FETs em geral.
Portanto, a alternativa que NÃO apresenta uma característica fundamental dos transistores de efeito de campo é a letra d).
Agora, falando da junção PN, é importante destacar que nem todos os FETs têm uma junção PN entre o dreno e a fonte que seja obrigatória para seu funcionamento. Por exemplo, os MOSFETs utilizam um isolamento de óxido na porta, e isso chega a ser um diferencial. Assim, a afirmativa que diz que é obrigatório existir uma junção PN entre dreno e fonte não é uma das principais características dos FETs em geral.
Portanto, a alternativa que NÃO apresenta uma característica fundamental dos transistores de efeito de campo é a letra d).