O dispositivo MOSFET possui um canal que pode ser de material semicondutor...

O dispositivo MOSFET possui um canal que pode ser de material semicondutor do tipo P ou N, e a profundidade desse canal pode ser modulada eletricamente por uma tensão de controle.

Q147602 • Eletrônica • CESPE CEBRASPE • STM • Analista Judiciário Engenharia Elétrica

📖 Texto associado ▼

A energia elétrica pode ser condicionada e transferida como
corrente contínua (CC) ou alternada (CA). A conversão de uma
forma em outra é feita por meio de equipamentos conversores que
utilizam dispositivos semicondutores de chaveamento. Acerca desse
tema, julgue os itens subsequentes.

O dispositivo MOSFET possui um canal que pode ser de material semicondutor do tipo P ou N, e a profundidade desse canal pode ser modulada eletricamente por uma tensão de controle.

a) Certo
b) Errado

🚀 Desbloqueie a explicação completa

Veja comentários detalhados e resoluções exclusivas para entender o gabarito desta questão.

David Castilho
31/12/1969 • 21:00

Gabarito: a) Certo

O MOSFET (Transistor de Efeito de Campo de Metal-Oxido-Semicondutor) é um tipo de transistor de efeito de campo que possui um canal que pode ser de material semicondutor do tipo P (fonte e dreno N) ou N (fonte e dreno P).

Uma das características do MOSFET é que a profundidade desse canal pode ser modulada eletricamente por uma tensão de controle aplicada no terminal chamado de porta (gate). Assim, ao aplicar uma tensão na porta do MOSFET, é possível controlar a condutividade do canal e, consequentemente, a passagem de corrente entre o dreno e a fonte.

Portanto, o item está correto ao afirmar que o dispositivo MOSFET possui um canal que pode ser de material semicondutor do tipo P ou N, e que a profundidade desse canal pode ser modulada eletricamente por uma tensão de controle.

🔒

Conteúdo restrito

Cadastre-se para visualizar comentários e resoluções.

Criar conta grátis

Questões de Eletrônica

1

Q185175 • Eletrônica • FCC • METRÔ SP • Engenheiro Eletrônico
O circuito integrado que opera como demultiplex digital de 16 linhas possui, no mínimo, um conjunto de terminais que executam funções lógicas dadas em:
- a) 2 entradas, 8 variáveis de seleção e 8 saídas.
- b) 1 entrada, 2 variáveis de seleção e 8 saídas.
- c) 1 entrada, 4 variáveis de seleção e 16 saídas.
- d) 16 entradas, 4 variáveis de seleção e 1 saída.
- e) 8 entradas, 2 variáveis de seleção e 2 saídas.
2

Q142234 • Eletrônica • FCC • TRT 8a Região • Analista Judiciário Engenharia Elétrica
O inversor de frequência funciona basicamente como um
- a) conversor de tensão contínua positiva em tensão contínua negativa.
- b) conversor de tensão contínua em tensão alternada de frequência igual a 50 ou 60 Hz.
- c) conversor de tensão alternada de frequência igual a 50 ou 60 Hz em tensão contínua ajustável.
- d) gerador de tensão contínua de dupla polaridade.
- e) gerador de tensão alternada de frequência variável.
3

Q147559 • Eletrônica • FCC • TRT 23a REGIÃO • Analista Judiciário Engenharia Elétrica
O número (C6) ₁₆ convertido para os sistemas numéricos decimal e binário vale, respectivamente,
- a) 86 e 1100101
- b) 105 e 01010101
- c) 122 e 10001000
- d) 148 e 11011010
- e) 198 e 11000110
4

Q139740 • Eletrônica • FCC • TRT 8a Região • Analista Judiciário Engenharia Elétrica
Um resistor com anéis nas cores azul, cinza, vermelho e ouro é submetido a uma tensão CC igual a 32 V. A potência dissipada por ele, em miliwatt, vale, aproximadamente,
- a) 1,5
- b) 18
- c) 150
- d) 180
- e) 210
5

Q204947 • Eletrônica • FCC • METRÔ SP • Engenheiro Júnior Engenharia Elétrica
Uma tensão alternada de 50 Vrms e 60 Hz é retificada por uma ponte de diodos 1N4004 (IFmax = 1 A e VRmax = 400 V) e aplicada a uma carga resistiva. As tensões eficaz e média do sinal retificado valem, aproximada e respectivamente,
- a) 44 V e 49 V.
- b) 49 V e 44 V.
- c) 49 V e 25 V.
- d) 25 V e 22 V.
- e) 25 V e 44 V.
6

Q145963 • Eletrônica • FCC • TRT 3a Região • Analista Judiciário Engenharia Elétrica
No circuito retificador em ponte composto por diodos de silício operando em condições normais, a perda de tensão devido à barreira de potencial dos diodos é, aproximadamente, em V,
- a) 0,7
- b) 1,4
- c) 2,1
- d) 2,8
- e) 3,6
7

Q146955 • Eletrônica • FCC • TRT 3a Região • Analista Judiciário Engenharia Elétrica
A operação em hexadecimal (3B + 87) resulta no valor binário
- a) 10100010
- b) 11000111
- c) 11000010
- d) 11010000
- e) 10011010
8

Q144891 • Eletrônica • FCC • TRT 8a Região • Analista Judiciário Engenharia Elétrica
Quantas portas NOR de duas entradas são necessárias e suficientes para implementar uma porta AND de duas entradas?
- a) 2.
- b) 3.
- c) 4.
- d) 5.
- e) 6.
9

Q140266 • Eletrônica • FCC • TRT 3a Região • Analista Judiciário Engenharia Elétrica
A saída de um sistema digital é ligada a um transistor NPN que serve para acionar um relé em seu coletor. Para evitar que o pico de tensão reversa que surge na bobina do relé, no seu desligamento, danifique o transistor, usa-se um
- a) varistor ligado entre o coletor e o emissor do transistor.
- b) resistor menor que 10 ?, de fio, em paralelo com a bobina do relé.
- c) diodo ?ener polarizado diretamente entre o coletor e o emissor do transistor.
- d) diodo polarizado reversamente em paralelo com a bobina do relé.
- e) capacitor da ordem de dezenas de picofarads em paralelo com a bobina do relé.
10

Q185158 • Eletrônica • FCC • METRÔ SP • Engenheiro Eletrônico
A operação em hexadecimal (3A + 97) resulta em valores nos sistemas decimal e binário, respectivamente, iguais a
- a) 109 e 1101101.
- b) 209 e 11010001.
- c) 192 e 11000000.
- d) 158 e 1101001.
- e) 209 e 10010101.

Mais questões de Eletrônica →

Utilizamos cookies e tecnologias semelhantes para aprimorar sua experiência. Política de Privacidade.

Reportar erro em Conteúdo

🚀 Desbloqueie a explicação completa