O volume do espaço de trabalho de um robô manipulador depende não somente ...

O volume do espaço de trabalho de um robô manipulador depende não somente da quantidade de juntas que ele possui, mas, principalmente, da configuração geométrica do manipulador e das restrições ...

Q207880 • Engenharia Mecatrônica • CESPE CEBRASPE • ANAC • Especialista em Regulação Engenharia

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Acerca de conceitos relacionados a mecatrônica, julgue os itens subsequentes.

O volume do espaço de trabalho de um robô manipulador depende não somente da quantidade de juntas que ele possui, mas, principalmente, da configuração geométrica do manipulador e das restrições físicas das juntas.

a) Certo
b) Errado

Questões de Engenharia Mecatrônica

1

Q209154 • Engenharia Mecatrônica • CESPE CEBRASPE • ANAC • Especialista em Regulação Engenharia
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Acerca de conceitos relacionados a mecatrônica, julgue os itens subsequentes.

Um servomotor consiste em um motor (AC, DC, ou DC sem escovas) combinado com um sensor de posição (geralmente um encoder), e é utilizado para controle de velocidade em malha aberta, ou seja, sem realimentação.
- a) Certo
- b) Errado
2

Q206431 • Engenharia Mecatrônica • CESPE CEBRASPE • ANAC • Especialista em Regulação Engenharia
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Com relação às regiões de operação de um TBJ, julgue os itens a seguir.

Na característica corrente versus tensão do TBJ pnp, existem, basicamente, três modos, ou regiões de operação identificáveis: ativo, saturação e corte. A região de operação é determinada pela polarização entre os terminais de emissor, base e coletor do transistor. No modo ativo, a junção emissor-base (JEB) é reversamente polarizada, ao passo que a junção coletor-base (JCB) é diretamente polarizada. No modo saturação, as junções JEB e JCB são diretamente polarizadas; e o modo corte é caracterizado pela polarização reversa das junções JEB e JCB.
- a) Certo
- b) Errado
3

Q206258 • Engenharia Mecatrônica • CESPE CEBRASPE • ANAC • Especialista em Regulação Engenharia
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A respeito das características de transistores MOSFET e TBJ,
julgue os itens subsequentes.

O efeito da modulação do comprimento do canal em transistores MOSFET, que ocorre para valores relativamente altos da tensão de dreno, faz que a resistência incremental de saída do MOSFET, observada entre seus terminais de dreno e fonte, seja finita, ao contrário da idealização infinita. Em geral, quanto maior o comprimento do canal, mais pronunciado é o efeito de corpo.
- a) Certo
- b) Errado
4

Q206886 • Engenharia Mecatrônica • CESPE CEBRASPE • ANAC • Especialista em Regulação Engenharia
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O esquema acima ilustra um circuito de polarização empregando um TBJ do tipo npn. Considerando que a tensão do terminal de base esteja 0,7 V acima daquela do terminal de emissor, e que o ganho de corrente de emissor comum (?) seja igual a 200, julgue os itens que se seguem.

A diferença de potencial entre os terminais de coletor e emissor é superior a 4,5 V, comprovando que o TBJ opera no modo ativo.
- a) Certo
- b) Errado
5

Q207284 • Engenharia Mecatrônica • CESPE CEBRASPE • ANAC • Especialista em Regulação Engenharia
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A respeito das características de transistores MOSFET e TBJ,
julgue os itens subsequentes.

O efeito de corpo em transistores MOSFET, que ocorre quando os terminais de fonte e substrato são conectados em potenciais diferentes, tende a aumentar a magnitude da tensão de limiar. Portanto, o terminal de corpo pode ser utilizado como uma porta adicional para controle da corrente de dreno. Para funcionamento apropriado do transistor, o terminal de corpo deve ser sempre conectado ao potencial mais negativo do circuito em dispositivos NMOS, ou ao potencial mais positivo do circuito em dispositivos PMOS.
- a) Certo
- b) Errado
6

Q211386 • Engenharia Mecatrônica • CESPE CEBRASPE • ANAC • Especialista em Regulação Engenharia
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O circuito acima refere-se ao modelo para pequenos sinais e

baixas frequências de um amplificador de tensão constituído de

transistor bipolar de junção (TBJ) na configuração

emissor-comum. Nesse circuito, os parâmetros para pequenos

sinais são g_M = 16,6 × 10^-3

S, r_? = 6,0 k?S e r₀ = 121 k?S. Com

referência a esse circuito, julgue os itens seguintes.

A resistência de entrada do circuito amplificador, R_in, é igual
a 20 k?.
- a) Certo
- b) Errado
7

Q208206 • Engenharia Mecatrônica • CESPE CEBRASPE • ANAC • Especialista em Regulação Engenharia
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A respeito das características de transistores MOSFET e TBJ,
julgue os itens subsequentes.

Em amplificadores implementados com MOSFET, a transcondutância para pequenos sinais é um parâmetro que depende somente das características físicas e geométricas do MOSFET.
- a) Certo
- b) Errado
8

Q209533 • Engenharia Mecatrônica • CESPE CEBRASPE • ANAC • Especialista em Regulação Engenharia
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O circuito acima refere-se ao modelo para pequenos sinais e
baixas frequências de um amplificador de tensão constituído de
transistor bipolar de junção (TBJ) na configuração
emissor-comum. Nesse circuito, os parâmetros para pequenos
sinais são g_M = 16,6 × 10^-3
S, r_? = 6,0 k?S e r₀ = 121 k?S. Com
referência a esse circuito, julgue os itens seguintes.

Para que haja máxima absorção de potência pela carga RG, é necessário que o valor de R_g seja diferente da resistência equivalente de Thévenin do circuito amplificador, que, no circuito apresentado, é dada precisamente por 2,5 k?.
- a) Certo
- b) Errado
9

Q211376 • Engenharia Mecatrônica • CESPE CEBRASPE • ANAC • Especialista em Regulação Engenharia
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Acerca de conceitos relacionados a mecatrônica, julgue os itens subsequentes.

As linguagens de programação de controladores lógicos programáveis podem ser classificadas em tabulares, textuais e gráficas: nesse último tipo, encontra-se a linguagem por diagrama de relés, ou ladder.
- a) Certo
- b) Errado
10

Q207597 • Engenharia Mecatrônica • CESPE CEBRASPE • ANAC • Especialista em Regulação Engenharia
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O circuito acima refere-se ao modelo para pequenos sinais e
baixas frequências de um amplificador de tensão constituído de
transistor bipolar de junção (TBJ) na configuração
emissor-comum. Nesse circuito, os parâmetros para pequenos
sinais são g_M = 16,6 × 10^-3
S, r_? = 6,0 k?S e r₀ = 121 k?S. Com
referência a esse circuito, julgue os itens seguintes.

O ganho de tensão do circuito amplificador em questão equivale, aproximadamente, a A_v = ? 20,6 V/V. Nesse circuito, um sinal de saída v_out está defasado de 180º com respeito a um sinal de entrada senoidal v_in.
- a) Certo
- b) Errado

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