TBJ, ao contrário de MOSFET, são dispositivos com terminais assimétricos. O flux...

Questão de Engenharia Mecatrônica da banca CESPE CEBRASPE aplicada no concurso ANAC (2009). Confira a resolução completa abaixo:

Q210146•
Engenharia Mecatrônica•
CESPE CEBRASPE•
ANAC•
Especialista em Regulação Engenharia

A respeito das características de transistores MOSFET e TBJ,

julgue os itens subsequentes.

TBJ, ao contrário de MOSFET, são dispositivos com terminais assimétricos. O fluxo de corrente nos MOSFET é determinado por um único tipo de portador de carga, ao passo que o fluxo de corrente nos TBJ é determinado simultaneamente por elétrons livres e elétrons de valência

Certo

Errado

Questões Relacionadas

Q209154•
Engenharia Mecatrônica•
CESPE CEBRASPE•
ANAC•
Especialista em Regulação Engenharia

Acerca de conceitos relacionados a mecatrônica, julgue os itens subsequentes.

Um servomotor consiste em um motor (AC, DC, ou DC sem escovas) combinado com um sensor de posição (geralmente um encoder), e é utilizado para controle de velocidade em malha aberta, ou seja, sem realimentação.

Certo

Errado

Q206431•
Engenharia Mecatrônica•
CESPE CEBRASPE•
ANAC•
Especialista em Regulação Engenharia

Com relação às regiões de operação de um TBJ, julgue os itens a seguir.

Na característica corrente versus tensão do TBJ pnp, existem, basicamente, três modos, ou regiões de operação identificáveis: ativo, saturação e corte. A região de operação é determinada pela polarização entre os terminais de emissor, base e coletor do transistor. No modo ativo, a junção emissor-base (JEB) é reversamente polarizada, ao passo que a junção coletor-base (JCB) é diretamente polarizada. No modo saturação, as junções JEB e JCB são diretamente polarizadas; e o modo corte é caracterizado pela polarização reversa das junções JEB e JCB.

Certo

Errado

Q206258•
Engenharia Mecatrônica•
CESPE CEBRASPE•
ANAC•
Especialista em Regulação Engenharia

A respeito das características de transistores MOSFET e TBJ,

julgue os itens subsequentes.

O efeito da modulação do comprimento do canal em transistores MOSFET, que ocorre para valores relativamente altos da tensão de dreno, faz que a resistência incremental de saída do MOSFET, observada entre seus terminais de dreno e fonte, seja finita, ao contrário da idealização infinita. Em geral, quanto maior o comprimento do canal, mais pronunciado é o efeito de corpo.

Certo

Errado

Q210146•Engenharia Mecatrônica•CESPE CEBRASPE•ANAC•Especialista em Regulação Engenharia

Q210146•
Engenharia Mecatrônica•
CESPE CEBRASPE•
ANAC•
Especialista em Regulação Engenharia