1Q544185 | Física, FUNRIOA incorporação de oxigênio (O2) residual ao filme fino pode causar ✂️ a) aumento da resistividade do filme. ✂️ b) indução à formação de hillocks. ✂️ c) tensões. ✂️ d) inibição à formação de hillocks. ✂️ e) aumento da condutividade. Resolver questão 🗨️ Comentários 📊 Estatísticas 📁 Salvar 🧠 Mapa Mental 🏳️ Reportar erro