Questão: Caracteriza corretamente um transistor bipolar NPN de silíci...

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ID: 781561•
Engenharia de Telecomunicações•
Dispositivos Eletrônicos•
FCC•
TRF 2a•
Técnico Judiciário

Caracteriza corretamente um transistor bipolar NPN de silício:

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ID: 781998•
Engenharia de Telecomunicações•
Dispositivos Eletrônicos•
FUNRIO

Os disparos parasitários ou latch-ups constituem um tipo particular de curto-circuito criado inadvertidamente em circuitos integrados pelo estabelecimento de um caminho de baixa impedância entre os trilhos de alimentação do circuito do MOSFET (transistor de efeito de campo tipo metal-óxido-semicondutor). A estrutura parasita estabelecida pelo latch-up é equivalente ao seguinte tiristor:

ID: 781959•
Engenharia de Telecomunicações•
Dispositivos Eletrônicos•
CESPE CEBRASPE•
INPI•
Pesquisador em Propriedade Industrial

No que se refere a transistores de junção, julgue os itens a seguir.

Na operação de um transistor em região linear, para se obter ganho de corrente entre o que é injetado na base e o que trafega entre emissor e coletor, a junção entre emissor e base precisa ser polarizada diretamente e a junção base e coletor, polarizada inversamente.

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Engenharia de Telecomunicações•
Dispositivos Eletrônicos•
CESPE CEBRASPE•
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Pesquisador em Propriedade Industrial

No que se refere a transistores de junção, julgue os itens a seguir.

O transistor deve ser fabricado com a região do coletor mais extensa que a região da base e a região do emissor, uma vez que essa região dissipa mais calor que as demais.

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