Em que consiste o efeito “Antenna” e como se pode eliminá-lo? A) O efeito “Antenna” surge quando a área total do metal que conecta o gate de um transistor a outros pontos do circuito for excessiva. Nesses casos, tal metal atua como uma antena que, sob a ação de ondas eletromagnéticas presentes no ambiente, acaba por acumular carga suficiente para destruir o óxido de gate desse transistor. Pode-se eliminar esse problema interrompendo linhas de metal muito extensas (fazendo uma conexão em outro nível de metalização), ou ligando-se um diodo diretamente polarizado entre este metal e o substrato para escoar a carga que venha a se acumular. B) O efeito “Antenna” surge quando, em função do roteamento, duas áreas suficientemente grandes de metais 1 e 2 se sobrepõem, sendo que o metal 1 está ligado ao gate de um transistor. Nessa situação, o metal 2 atua como uma antena que, sob a ação de ondas eletromagnéticas presentes no ambiente, acaba por induzir carga suficiente no metal 1 para destruir o óxido de gate do transistor a ele ligado. Pode-se eliminar esse problema ligando um diodo diretamente polarizado entre esse metal e o substrato para escoar a carga que venha a se acumular. C) O efeito “Antenna” surge quando, em função do roteamento, duas áreas suficientemente grandes de metais 1 e 2 se sobrepõem, sendo que o metal 1 está ligado ao gate de um transistor. Nessa situação, o metal 2 atua como uma antena que, sob a ação de ondas eletromagnéticas presentes no ambiente, acaba por induzir carga suficiente no metal 1 para destruir o óxido de gate do transistor a ele ligado. Pode-se eliminar esse problema blindando a linha de metal 2, aterrando-a. D) O efeito “Antenna” surge quando a área total do metal que conecta o gate de um transistor a outros pontos do circuito for excessiva. Nesses casos, tal metal atua como uma antena durante o processo de fabricação e acaba por acumular carga suficiente para destruir o óxido de gate desse transistor. Pode-se eliminar esse problema interrompendo linhas de metal muito extensas (fazendo uma conexão em outro nível de metalização), ou ligando-se um diodo reversamente polarizado entre esse metal e o substrato para escoar a carga que venha a se acumular. E) O efeito “Antenna” surge quando a área total do metal que conecta o gate de um transistor a outros pontos do circuito for excessiva. Nesses casos, tal metal atua como uma antena durante o processo de fabricação e acaba por acumular carga suficiente para destruir o óxido de gate desse transistor. Pode-se eliminar esse problema interrompendo linhas de metal muito extensas (fazendo uma conexão em outro nível de metalização), ou ligando-se um diodo diretamente polarizado entre esse metal e o substrato para escoar a carga que venha a se acumular.

D) O efeito “Antenna” surge quando a área total do metal que conecta o gate de um transistor a outros pontos do circuito for excessiva. Nesses casos, tal metal atua como uma antena durante o processo de fabricação e acaba por acumular carga suficiente para destruir o óxido de gate desse transistor. Pode-se eliminar esse problema interrompendo linhas de metal muito extensas (fazendo uma conexão em outro nível de metalização), ou ligando-se um diodo reversamente polarizado entre esse metal e o substrato para escoar a carga que venha a se acumular.

Em que consiste o efeito “Antenna” e como se pode eliminá-lo?

1Q781797 | Engenharia de Telecomunicações, Eletrônica analógica e digital, FUNRIO

Em que consiste o efeito “Antenna” e como se pode eliminá-lo?

✂️ a) O efeito “Antenna” surge quando a área total do metal que conecta o gate de um transistor a outros pontos do circuito for excessiva. Nesses casos, tal metal atua como uma antena que, sob a ação de ondas eletromagnéticas presentes no ambiente, acaba por acumular carga suficiente para destruir o óxido de gate desse transistor. Pode-se eliminar esse problema interrompendo linhas de metal muito extensas (fazendo uma conexão em outro nível de metalização), ou ligando-se um diodo diretamente polarizado entre este metal e o substrato para escoar a carga que venha a se acumular.
✂️ b) O efeito “Antenna” surge quando, em função do roteamento, duas áreas suficientemente grandes de metais 1 e 2 se sobrepõem, sendo que o metal 1 está ligado ao gate de um transistor. Nessa situação, o metal 2 atua como uma antena que, sob a ação de ondas eletromagnéticas presentes no ambiente, acaba por induzir carga suficiente no metal 1 para destruir o óxido de gate do transistor a ele ligado. Pode-se eliminar esse problema ligando um diodo diretamente polarizado entre esse metal e o substrato para escoar a carga que venha a se acumular.
✂️ c) O efeito “Antenna” surge quando, em função do roteamento, duas áreas suficientemente grandes de metais 1 e 2 se sobrepõem, sendo que o metal 1 está ligado ao gate de um transistor. Nessa situação, o metal 2 atua como uma antena que, sob a ação de ondas eletromagnéticas presentes no ambiente, acaba por induzir carga suficiente no metal 1 para destruir o óxido de gate do transistor a ele ligado. Pode-se eliminar esse problema blindando a linha de metal 2, aterrando-a.
✂️ d) O efeito “Antenna” surge quando a área total do metal que conecta o gate de um transistor a outros pontos do circuito for excessiva. Nesses casos, tal metal atua como uma antena durante o processo de fabricação e acaba por acumular carga suficiente para destruir o óxido de gate desse transistor. Pode-se eliminar esse problema interrompendo linhas de metal muito extensas (fazendo uma conexão em outro nível de metalização), ou ligando-se um diodo reversamente polarizado entre esse metal e o substrato para escoar a carga que venha a se acumular.
✂️ e) O efeito “Antenna” surge quando a área total do metal que conecta o gate de um transistor a outros pontos do circuito for excessiva. Nesses casos, tal metal atua como uma antena durante o processo de fabricação e acaba por acumular carga suficiente para destruir o óxido de gate desse transistor. Pode-se eliminar esse problema interrompendo linhas de metal muito extensas (fazendo uma conexão em outro nível de metalização), ou ligando-se um diodo diretamente polarizado entre esse metal e o substrato para escoar a carga que venha a se acumular.