No diodo de silício, a tensão reversa de ruptura é igual ou superior a 0,6 V.

A tensão direta quando o diodo está em condução pode atingir valores superiores a 1 kV.

Para o diodo entrar em condução, é necessário aplicar uma tensão direta superior a 13 V.

Na polarização reversa, o diodo entra em condução normal apenas se a tensão aplicada for superior à especificação breakover voltage.

O diodo conduz quando o potencial do anodo é, aproximadamente, 0,6 V acima do potencial do catodo.