Determinada aplicação utiliza um transistor de efeito de campo MOS (metal-óxido silício), com canal N e substrato formado por semicondutor P. Essa aplicação depende do controle da tensão porta-fonte do transistor. Assinale a opção correspondente ao fato que ocorre quando se aplica tensão porta-fonte positiva no transistor. A) Surge um canal com elevada resistência, fazendo que a corrente dreno-fonte fique nula. B) Quanto maior for a tensão porta-fonte, menor será a concentração de elétrons no canal N. C) Quanto maior for a tensão porta-fonte, maior será a resistência do canal. D) Ocorre o alinhamento de elétrons ao canal, na região do substrato entre as duas portas N. E) Elétrons preenchem as lacunas da região N até que, com o excesso de elétrons, o substrato comporta-se como um semicondutor P.

D) Ocorre o alinhamento de elétrons ao canal, na região do substrato entre as duas portas N.

Questões Engenharia Elétrica Eletrônica Analógica

Determinada aplicação utiliza um transistor de efeito de campo MOS (metal-óxido silí...

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1Q784317 | Engenharia Elétrica, Eletrônica Analógica, Analista Judiciário, TJ RO, CESPE CEBRASPE

Determinada aplicação utiliza um transistor de efeito de campo MOS (metal-óxido silício), com canal N e substrato formado por semicondutor P. Essa aplicação depende do controle da tensão porta-fonte do transistor. Assinale a opção correspondente ao fato que ocorre quando se aplica tensão porta-fonte positiva no transistor.

✂️ a) Surge um canal com elevada resistência, fazendo que a corrente dreno-fonte fique nula.
✂️ b) Quanto maior for a tensão porta-fonte, menor será a concentração de elétrons no canal N.
✂️ c) Quanto maior for a tensão porta-fonte, maior será a resistência do canal.
✂️ d) Ocorre o alinhamento de elétrons ao canal, na região do substrato entre as duas portas N.
✂️ e) Elétrons preenchem as lacunas da região N até que, com o excesso de elétrons, o substrato comporta-se como um semicondutor P.