Determinada aplicação utiliza um transistor de efeito de campo MOS (metal-óxido ...

Questão de Engenharia Elétrica da banca CESPE CEBRASPE aplicada no concurso TJ RO (2012). Confira a resolução completa abaixo:

Q784317•
Engenharia Elétrica•
Eletrônica Analógica•
CESPE CEBRASPE•
TJ RO•
Analista Judiciário

Determinada aplicação utiliza um transistor de efeito de campo MOS (metal-óxido silício), com canal N e substrato formado por semicondutor P. Essa aplicação depende do controle da tensão porta-fonte do transistor. Assinale a opção correspondente ao fato que ocorre quando se aplica tensão porta-fonte positiva no transistor.

Surge um canal com elevada resistência, fazendo que a corrente dreno-fonte fique nula.

Quanto maior for a tensão porta-fonte, menor será a concentração de elétrons no canal N.

Quanto maior for a tensão porta-fonte, maior será a resistência do canal.

Ocorre o alinhamento de elétrons ao canal, na região do substrato entre as duas portas N.

Elétrons preenchem as lacunas da região N até que, com o excesso de elétrons, o substrato comporta-se como um semicondutor P.

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As duas assertivas são verdadeiras, e a segunda é uma justificativa correta da primeira.

As duas assertivas são verdadeiras, mas a segunda não é uma justificativa correta da primeira.

A primeira assertiva é uma proposição verdadeira, e a segunda é uma proposição falsa.

A primeira assertiva é uma proposição falsa, e a segunda é uma proposição verdadeira.

Tanto a primeira como a segunda assertivas são falsas.

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Engenharia Elétrica•
Eletrônica Analógica•
CESPE CEBRASPE•
INPE•
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Certo

Errado

Q785759•
Engenharia Elétrica•
Eletrônica Analógica•
CESGRANRIO•
Casa da Moeda•
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