Para simular o valor de transcondutância de um determinado transistor nMOS, polarizado na região tríodo para tensão entre fonte e dreno de 100 mV, que parâmetros são necessários? A) Mobilidade de portadores no canal, espessura do óxido de porta, largura e comprimento da porta. B) Somente a Mobilidade de portadores no canal. C) Somente a espessura do óxido de porta. D) Espessura do óxido de porta, largura e comprimento da porta. E) Mobilidade de portadores no canal, largura e comprimento da porta.

A) Mobilidade de portadores no canal, espessura do óxido de porta, largura e comprimento da porta.

Para simular o valor de transcondutância de um determinado transistor nMOS, polarizado ...

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