Para evitar ou reduzir o efeito de canalização de íons numa lâmina de Si com ...

Para evitar ou reduzir o efeito de canalização de íons numa lâmina de Si com orientação cristalina (100) durante a implantação de íons, a lâmina deve ser posicionada no implantador com inclinação e...


Para evitar ou reduzir o efeito de canalização de íons numa lâmina de Si com orientação cristalina (100) durante a implantação de íons, a lâmina deve ser posicionada no implantador com inclinação e rotação?

Utilizamos cookies e tecnologias semelhantes para aprimorar sua experiência. Política de Privacidade.