Um circuito integrado CMOS arbitrário possui substrato do tipo p coberto com uma camada epitaxial do tipo p, e a possibilidade de poços n contidos dentro da camada epitaxial. Qual das afirmativas abaixo é falsa? A) A camada epitaxial deve estar sempre conectada ao menor potencial praticado no chip. B) Um poço n com transistor FET dentro de si deve estar sempre conectado ao maior potencial praticado no chip. C) Deve-se projetar um único transistor PMOS por poço n. D) O dreno e a fonte de dois transistores PMOS, respectivamente, conectados em série, podem ser projetados sobrepostos. E) Pode-se projetar um resistor utilizando-se o poço n.

C) Deve-se projetar um único transistor PMOS por poço n.

Questões Engenharia Elétrica Microeletrônica

Um circuito integrado CMOS arbitrário possui substrato do tipo p coberto com uma camada...

Responda: Um circuito integrado CMOS arbitrário possui substrato do tipo p coberto com uma camada epitaxial do tipo p, e a possibilidade de poços n contidos dentro da camada epitaxial. Qual das afirmativas a...

1Q786027 | Engenharia Elétrica, Microeletrônica, FUNRIO

Um circuito integrado CMOS arbitrário possui substrato do tipo p coberto com uma camada epitaxial do tipo p, e a possibilidade de poços n contidos dentro da camada epitaxial. Qual das afirmativas abaixo é falsa?

✂️ a) A camada epitaxial deve estar sempre conectada ao menor potencial praticado no chip.
✂️ b) Um poço n com transistor FET dentro de si deve estar sempre conectado ao maior potencial praticado no chip.
✂️ c) Deve-se projetar um único transistor PMOS por poço n.
✂️ d) O dreno e a fonte de dois transistores PMOS, respectivamente, conectados em série, podem ser projetados sobrepostos.
✂️ e) Pode-se projetar um resistor utilizando-se o poço n.