Um transistor nMOS (Metal-Óxido-Semicondutor tipo “n”) com 100 nm de comprime...

Um transistor nMOS (Metal-Óxido-Semicondutor tipo “n”) com 100 nm de comprimento tem espessura de óxido na porta de 40 Å. A capacitância linear medida na largura da porta é igual a: (considere a pe...

Q786430 • Engenharia Elétrica • Eletrônica Analógica • FUNRIO

Um transistor nMOS (Metal-Óxido-Semicondutor tipo “n”) com 100 nm de comprimento tem espessura de óxido na porta de 40 Å. A capacitância linear medida na largura da porta é igual a: (considere a permissividade do vácuo ?₀ = 8,85 x 10^-12 F/m e a permissividade relativa do óxido ?_ox = 4)

a) 0,885 fF/?m.
b) 8,85 fF/?m.
c) 17,7 fF/?m.
d) 8,85 pF/?m.
e) 1,77 pF/?m.

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Questões sobre Eletrônica Analógica

1

Q1140137 • Veterinária • Eletrônica Analógica • SELECON • Polícia Militar CE • Veterinário • 2025
Os testes rápidos (ELISA) para FIV e FeLV são essenciais na rotina felina. O teste de FeLV detecta o antígeno p27, indicando a presença do vírus, enquanto o teste de FIV detecta anticorpos, indicando exposição e resposta imune. Essa diferença fundamental no que é detectado leva a uma importante consideração interpretativa em filhotes com menos de 6 meses de idade, que é a possibilidade de:
- a) um FIV positivo ser resultado de anticorpos maternos
- b) um FeLV positivo ser causado por imunidade da lactação
- c) ambos os testes serem negativos devido à imaturidade imune
- d) a vacinação prévia da mãe interferir apenas no resultado de FeLV
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2

Q1139607 • Eletrônica • Eletrônica Analógica • Marinha • Quadro Complementar • Segunto Tenente • 2025
Sobre os fotodiodos e os diodos emissores de luz (LEDs), assinale a opção INCORRETА.
- a) Um isolador óptico é uma aplicação que combina um fotodiodo com um LED.
- b) Ao contrário do LED, o fotodiodo converte sinais luminosos em eletricidade.
- c) Fotodiodos iluminados sem polarização inversa funcionam como células solares.
- d) LEDs são equivalentes a fotodiodos quando polarizados reversamente.
- e) Um isolador óptico pode ser implementado com fibra óptica de longa distância.
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3

Q1137936 • Eletrônica • Eletrônica Analógica • Marinha • CAP • Praça da Marinha • 2025
O que representa o dB (decibel) na instrumentação eletrônica?
- a) Medição eletrônica.
- b) Valor máximo de corrente suportado.
- c) Referência a sinais TTL.
- d) diferente de zero / diferente de zero
- e) Medição logarítima de potência.
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4

Q1135670 • Eletrônica • Eletrônica Analógica • Marinha • CAP • Praça da Marinha • 2025
Os transistores de efeito de campo (FET) são componentes eletrônicos semicondutores amplamente utilizados em circuitos. Assinale a opção que NÃO apresenta uma das principais características desses transistores.
- a) Controlar a corrente entre dreno e fonte por meio de tensão aplicada-na-porta
- b) Apresentar alta impedância de entrada.
- c) Ser dispositivo controlado por tensão.
- d) Exigir obrigatoriamente uma junção PN entre dreno e fonte.
- e) Consumir pouca corrente na porta durante a operação.
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5

Q1133048 • Eletrônica • Eletrônica Analógica • Marinha • Marinha do Brasil • Moço de Convés • 2026
De acordo com as regras práticas de funcionamento e polarização de um Transistor Bipolar de Junção (TBJ) do tipo NPN, para que o componente conduza e opere corretamente, suas junções devem ser polarizadas de uma forma específica. Assinale a alternativa correta a respeito das condições de polarização e níveis de tensão nos terminais de um transistor NPN funcional:
- a) A junção base-emissor deve ser polarizada reversamente e a junção base-coletor diretamente.
- b) Para o transistor conduzir, é necessário que a tensão entre base e emissor (VBE) seja menor que 0,7V.
- c) A configuração correta exige a aplicação da tensão mais alta no emissor, média na base e mais baixa no coletor.
- d) A junção base-emissor deve ser polarizada diretamente e a junção base-coletor deve ser polarizada inversamente, mantendo a tensão mais alta no coletor.
- e) O transistor entra em corte (atuando como chave fechada) quando ambas as junções estão polarizadas diretamente.
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6

Q1133037 • Eletrônica • Eletrônica Analógica • Marinha • Marinha do Brasil • Moço de Convés • 2026
No estudo dos materiais semicondutores e dispositivos de estado sólido, o processo de purificação e posterior inserção controlada de impurezas nos cristais de silício ou germânio é realizado para alterar a produção de elétrons livres e lacunas. Sabendo disso, assinale a alternativa que indica o nome correto desse processo e o valor da barreira de potencial (queda de tensão) para um diodo de Silício (Si) a 25°C:
- a) Depleção e 0,3V.
- b) Dopagem e 0,7V.
- c) Polarização e 0,7V.
- d) Retificação e 0,3V.
- e) Dopagem e 0,3V.
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7

Q1132938 • Eletrônica • Eletrônica Analógica • Marinha • CAP • Eletrônica • 2025
Determine o valor do ganho que corresponde a um ganho de tensão de 60 dB.
- a) 100
- b) 1.000
- c) 10.000
- d) 100.000
- e) 1:000:000
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8

Q1132937 • Eletrônica • Eletrônica Analógica • Marinha • CAP • Eletrônica • 2025
Em circuitos de controle de potência em corrente alternada (CA), componentes semicondutores como SCR, DIAC e TRIAC são amplamente utilizados. Sobre o funcionamento desses dispositivos, assinale a opção correta.
- a) O SCR pode conduzir corrente nos dois sentidos e é disparado apenas por tensão alternada aplicada entre ânodo e cátodo.
- b) O DIAC possui três terminais e é utilizado para retificar corrente alternada com alta eficiência.
- c) O TRIAC é um componente bidirecional que pode ser disparado em ambos os semiciclos da corrente alternada.
- d) O SCR e o TRIAC funcionam da mesma forma, sendo ambos unidirecionais e com controle por porta.
- e) O DIAC é um dispositivo controlado por porta e atua como chave bidirecional com função semelhante à de um transistor.
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9

Q1132935 • Eletrônica • Eletrônica Analógica • Marinha • CAP • Eletrônica • 2025
Durante o processo de dopagem utilizado na fabricação de dispositivos semicondutores, impurezas específicas são introduzidas ao silício com o objetivo de modificar suas propriedades elétricas. Considerando o material do tipo n resultante desse processo, assinale a opção correta.
- a) Possui excesso de lacunas como portadores majoritários, devido à adição de átomos trivalentes.
- b) A condutividade diminui com a introdução de impurezas doadoras
- c) Apresenta elétrons livres como portadores majoritários, provenientes da dopagem com elementos pentavalentes.
- d) Transforma o silício em um isolante, pois impede o movimento de cargas.
- e) Os portadores minoritários são elétrons livres, responsáveis pela condução elétrica.
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10

Q1132934 • Eletrônica • Eletrônica Analógica • Marinha • CAP • Eletrônica • 2025
Assinale a opção que apresenta o tipo de circuito constituído de um diodo, um resistor e um capacitor que desloca uma forma de onda para um nível de corrente contínua diferente, sem alterar a aparência do sinal aplicado.
- a) Grampeador.
- b) Retificador.
- c) Ceifador.
- d) Temporizador.
- e) Limitador.
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