Ingrid Nunes
EQUIPE
02/10/2026 • 05:01
Vamos falar um pouco sobre os transistores bipolares (BJT) e os transistores de efeito de campo (FET). Uma das principais diferenças entre eles está na forma como controlam a corrente: os BJTs são dispositivos de corrente, ou seja, a corrente que passa no terminal da base controla a corrente entre coletor e emissor. Já os FETs são dispositivos controlados por tensão, onde a corrente na porta (gate) é extremamente baixa, praticamente desprezível, porque a porta é isolada por uma camada de óxido.
A afirmativa da questão diz que o baixo consumo de corrente na porta dos FETs, principal vantagem deles, destaca-se especialmente para sinais de alta frequência. Na verdade, o baixo consumo de corrente na porta do FET independe da frequência do sinal - essa é uma característica geral do FET, pois sua porta é um isolante, resultando em corrente muito pequena praticamente sempre, e não só em alta frequência.
Portanto, afirmar que isso se nota especialmente em sinais de alta frequência está incorreto, pois a baixa corrente de entrada é uma característica intrínseca ao FET e vale em qualquer faixa de frequência.
Assim, o item está errado.
A afirmativa da questão diz que o baixo consumo de corrente na porta dos FETs, principal vantagem deles, destaca-se especialmente para sinais de alta frequência. Na verdade, o baixo consumo de corrente na porta do FET independe da frequência do sinal - essa é uma característica geral do FET, pois sua porta é um isolante, resultando em corrente muito pequena praticamente sempre, e não só em alta frequência.
Portanto, afirmar que isso se nota especialmente em sinais de alta frequência está incorreto, pois a baixa corrente de entrada é uma característica intrínseca ao FET e vale em qualquer faixa de frequência.
Assim, o item está errado.