Questão: As alternativas abaixo se referem ao processo de deposição q...

As alternativas abaixo se referem ao processo de deposição química a partir de vapor em baixa pressão. I – É um processo controlado pela taxa de reação. II – A temperatura deve ser muito bem controlada e uniforme em todas as superfícies do wafer. III – Um fluxo constante e uniforme de gases reagentes deve alcançar todas as superfícies do wafer. Assinale a alternativa com a(s) afirmativa(s) correta(s).