1Q787542 | Engenharia Elétrica, Princípios de Ciências dos Materiais, FUNRIOQuais são os mecanismos de crescimento de óxido de Si sobre substrato de Si no processo de oxidação térmica? ✂️ a) Mecanismo de difusão da espécie oxidante através do óxido de Si já crescido sobre o substrato de Si e mecanismo de recozimento da espécie oxidante com o Si, quando a espécie consegue alcançar a superfície do substrato de Si. ✂️ b) Mecanismo de difusão da espécie oxidante através do óxido de Si já crescido sobre o substrato de Si e mecanismo de reação da espécie oxidante com o Si, quando a espécie consegue alcançar a superfície do substrato. ✂️ c) Somente mecanismo de implantação da espécie oxidante através do óxido de Si já crescido sobre o substrato de Si. ✂️ d) Somente mecanismo de reação da espécie oxidante com o Si, quando a espécie consegue alcançar a superfície do substrato de Si. ✂️ e) Mecanismo de implantação da espécie oxidante através do óxido de Si já crescido sobre o substrato de Si e mecanismo de recozimento da espécie oxidante com o Si, quando a espécie consegue alcançar a superfície do substrato de Si. Resolver questão 🗨️ Comentários 📊 Estatísticas 📁 Salvar 🧠 Mapa Mental 🏳️ Reportar erro