Sobre os resistores em silício policristalino, fabricados nos processos CMOS (Me...

São fabricados a partir do ajuste da largura e do comprimento das regiões de difusão “n+” depositadas entre o substrato “p” e a camada espessa de óxido, e a variação dos valores de resistência obtidos está entre cerca de 20% a cerca de 50%.

São fabricados aproveitando a cavidade “n” como resistor e possuem casamento de valores de cerca de 5%.

São fisicamente separados do substrato e possuem capacitâncias parasitárias reduzidas.

São auto-isolados pelas junções “pn” reversamente polarizadas e possuem capacitâncias parasitárias elevadas.

São fabricados a partir do ajuste da largura e do comprimento das regiões de difusão “p+” depositadas entre a cavidade “n” e a camada espessa de óxido, e a variação dos valores de resistência obtidos está entre cerca de 20% a cerca de 50%.