Sobre os resistores em silício policristalino, fabricados nos processos CMOS (Metal-Óxido-Semicondutor Complementar), é correto afirmar que: A) São fabricados a partir do ajuste da largura e do comprimento das regiões de difusão “n+” depositadas entre o substrato “p” e a camada espessa de óxido, e a variação dos valores de resistência obtidos está entre cerca de 20% a cerca de 50%. B) São fabricados aproveitando a cavidade “n” como resistor e possuem casamento de valores de cerca de 5%. C) São fisicamente separados do substrato e possuem capacitâncias parasitárias reduzidas. D) São auto-isolados pelas junções “pn” reversamente polarizadas e possuem capacitâncias parasitárias elevadas. E) São fabricados a partir do ajuste da largura e do comprimento das regiões de difusão “p+” depositadas entre a cavidade “n” e a camada espessa de óxido, e a variação dos valores de resistência obtidos está entre cerca de 20% a cerca de 50%.

C) São fisicamente separados do substrato e possuem capacitâncias parasitárias reduzidas.

Sobre os resistores em silício policristalino, fabricados nos processos CMOS (Metal-Óxi...

Sobre os resistores em silício policristalino, fabricados nos processos CMOS (Metal-Óxido-Semicondutor Complementar), é correto afirmar que:

✂️ a) São fabricados a partir do ajuste da largura e do comprimento das regiões de difusão “n+” depositadas entre o substrato “p” e a camada espessa de óxido, e a variação dos valores de resistência obtidos está entre cerca de 20% a cerca de 50%.
✂️ b) São fabricados aproveitando a cavidade “n” como resistor e possuem casamento de valores de cerca de 5%.
✂️ c) São fisicamente separados do substrato e possuem capacitâncias parasitárias reduzidas.
✂️ d) São auto-isolados pelas junções “pn” reversamente polarizadas e possuem capacitâncias parasitárias elevadas.
✂️ e) São fabricados a partir do ajuste da largura e do comprimento das regiões de difusão “p+” depositadas entre a cavidade “n” e a camada espessa de óxido, e a variação dos valores de resistência obtidos está entre cerca de 20% a cerca de 50%.