O IGBT, ou transistor bipolar de porta isolada é um dispositivo que está s...

O IGBT, ou transistor bipolar de porta isolada é um dispositivo que está sendo amplamente utilizado em inversores comerciais. A respeito do IGBT, NÃO é correto afirmar que:

Q788840 • Engenharia Elétrica • Dispositivos Eletrônicos • FJPF • DNIT • Analista em Infraestrutura

O IGBT, ou transistor bipolar de porta isolada é um dispositivo que está sendo amplamente utilizado em inversores comerciais. A respeito do IGBT, NÃO é correto afirmar que:

a) o IGBT apresenta a característica de baixa queda de tensão no estado ligado, como o transistor bipolar (BJT)
b) a velocidade de chaveamento do IGBT é menor do que a do BJT
c) o disparo do IGBT é realizado pela aplicação de um pulso de corrente na porta
d) a capacidade de bloqueio para tensões inversas do IGBT é muito ruim
e) atualmente existem IGBTs que apresentam corrente nominal de 1kA

Questões sobre Dispositivos Eletrônicos

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Q790149 • Engenharia Elétrica • Dispositivos Eletrônicos • CESGRANRIO • Petrobras • Técnico de Projetos Júnior
Analisando-se as caracaterísticas e funcionalidades de um amplificador operacional, afirma-se que:
- a) apresenta em seu circuito intrínseco realimentação de tensão produzindo ganho de tensão elevado e estabilizado.
- b) apresenta grande impedância de entrada e saída.
- c) o sinal de saída, independentemente da entrada utilizada, apresenta-se sempre invertido ao sinal de entrada.
- d) a banda passante é muito pequena dificultando os projetos.
- e) não pode ser usado em amplificadores de sinal de vídeo.
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2

Q790126 • Engenharia Elétrica • Dispositivos Eletrônicos • CESGRANRIO • Petrobras • Técnico de Projetos Júnior
Com a finalidade de reduzir o gradiente de potencial que surge em torno da área seccionada do cabo, usa-se um dispositivo destinado a restabelecer as condições de isolação da extremidade de um condutor isolado, quando ele é conectado a um condutor nu ou a um terminal para ligação a um equipamento elétrico, em média tensão. Tal dispositivo é denominado pelas concessionárias de energia de
- a) cossinete
- b) manopla
- c) mufla terminal
- d) oscilopertubógrafo
- e) espectrofotômetro
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Q789676 • Engenharia Elétrica • Dispositivos Eletrônicos • FUNRIO
Um engenheiro, ao realizar testes com um transistor MOSFET de canal N tipo enriquecimento, conectou o terminal fonte ao terra e aplicou uma tensão de 1,5V ao terminal de porta. É sabido que este transistor possui uma tensão de limiar (Vt) de 0,7V. Em seguida, aplicou tensões ao terminal de dreno com valores de: 0,5V; 0,9V e 2 V. Pode-se afirmar que, para cada valor de tensão aplicada ao dreno, o transistor estava operando, respectivamente, nas regiões de:
- a) corte, saturação, linear
- b) corte, corte, linear
- c) saturação, saturação, saturação
- d) linear, saturação, saturação
- e) linear, linear, saturação
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Q789666 • Engenharia Elétrica • Dispositivos Eletrônicos • FCC • TRF 3a • Analista Judiciário
As chaves seccionadoras de média tensão
- a) podem ser operadas sob carga, mas não possuem capacidade de interromper a corrente elétrica perante um curto-circuito.
- b) para a classe de tensão de 15 kV têm corrente nominal de 25 A, 50 A ou 100 A.
- c) para instalações abrigadas são normalmente unipolares, porém são fabricados modelos tripolares para cubículos metálicos.
- d) são equipamentos destinados a interromper, de modo visível, a continuidade dos circuitos.
- e) possuem a desvantagem de não poderem contar com contatos auxiliares, quando comparadas a disjuntores.
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5

Q789663 • Engenharia Elétrica • Dispositivos Eletrônicos • CESPE CEBRASPE • MCT • Técnico 2
Com relação aos dispositivos eletrônicos semicondutores, julgue os itens que se seguem.

O diodo e o transistor de junção bipolar são exemplos de dispositivos formados por junções bipolares pn.
- a) Certo
- b) Errado
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6

Q789634 • Engenharia Elétrica • Dispositivos Eletrônicos • CESPE CEBRASPE • TJ CE • Analista
Com relação a materiais e dispositivos elétricos, julgue os itens a seguir.

O tiristor é um dispositivo com encapsulamento transparente, reversamente polarizado e sensível à luz, ou seja, a incidência luminosa sobre esse dispositivo aumenta a sua corrente elétrica reversa.
- a) Certo
- b) Errado
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7

Q789604 • Engenharia Elétrica • Dispositivos Eletrônicos • FCC • Tribunal Regional Eleitoral Paraíba • Técnico Judiciário
NÃO corresponde a um dispositivo de sistema de aterramento para entrada de serviço
- a) a cantoneira de aço zincado.
- b) a haste de aço revestido de cobre.
- c) o tubo de aço zincado.
- d) a haste de aço zincado.
- e) a cantoneira de alumínio enegrecido.
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8

Q789449 • Engenharia Elétrica • Dispositivos Eletrônicos • CESGRANRIO • Petrobras • Técnico de Projetos Júnior
Os transmissores digitais
- a) necessitam que os instrumentos sejam ligados ponto a ponto.
- b) apresentam baixa velocidade de transmissão de dados.
- c) permitem fazer o diagnóstico de falha em qualquer ponto da malha.
- d) enviam sinais digitais, informações, para um receptor, a partir do qual são modulados e padronizados.
- e) permitem, através do uso de vários protocolos, a conexão de equipamentos de fabricantes diferentes.
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9

Q789436 • Engenharia Elétrica • Dispositivos Eletrônicos • FCC • DPE SP • Agente de Defensoria
Sobre tiristores, é correto afirmar que
- a) a corrente de anodo do SCR só flui em um único sentido.
- b) após o disparo do SCR, ele volta à condição de corte quando a corrente do terminal gate é interrompida.
- c) o DIAC só dispara quando um pulso positivo é aplicado ao terminal gate.
- d) o TRIAC é um tiristor de quatro terminais externos: dois anodos, um catodo e um gate.
- e) um dos parâmetros do TRIAC é a sua corrente de disparo IH (holding current).
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10

Q789430 • Engenharia Elétrica • Dispositivos Eletrônicos • CESGRANRIO • Petrobras • Técnico de Projetos Júnior
Dentre os dispositivos eletrônicos, qual o mais indicado para chaveamento e controle de grandes capacidades de corrente?
- a) PUT
- b) Diodo Zener
- c) UJT
- d) SCR
- e) DIAC
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O IGBT, ou transistor bipolar de porta isolada é um dispositivo que está sendo amplamente utilizado em inversores comerciais. A respeito do IGBT, NÃO é correto afirmar que:

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