Que processos são utilizados para obter junções rasas (com profundidade menor que 50 nm) em Si do tipo n+? A) Implantação de íons de 75 As + seguido de um recozimento térmico em forno rápido em temperatura em torno de 1000ºC. B) Implantação de íons de 31 P + seguido de um recozimento térmico em forno rápido em temperatura em torno de 1000ºC. C) Implantação de íons de 75 As + seguido de um recozimento térmico em forno rápido em temperatura em torno de 600ºC. D) Implantação de íons de 75 As + seguido de um recozimento térmico em forno convencional em temperatura em torno de 600ºC. E) Implantação de íons de 31 P + seguido de um recozimento térmico em forno convencional em temperatura em torno de 1000ºC.

A) Implantação de íons de 75 As + seguido de um recozimento térmico em forno rápido em temperatura em torno de 1000ºC.

Que processos são utilizados para obter junções rasas (com profundidade menor que 50 nm...

Que processos são utilizados para obter junções rasas (com profundidade menor que 50 nm) em Si do tipo n+?

✂️ a) Implantação de íons de ⁷⁵As⁺ seguido de um recozimento térmico em forno rápido em temperatura em torno de 1000ºC.
✂️ b) Implantação de íons de ³¹P⁺seguido de um recozimento térmico em forno rápido em temperatura em torno de 1000ºC.
✂️ c) Implantação de íons de ⁷⁵As⁺ seguido de um recozimento térmico em forno rápido em temperatura em torno de 600ºC.
✂️ d) Implantação de íons de ⁷⁵As⁺ seguido de um recozimento térmico em forno convencional em temperatura em torno de 600ºC.
✂️ e) Implantação de íons de ³¹P⁺seguido de um recozimento térmico em forno convencional em temperatura em torno de 1000ºC.