Em um transistor PMOS de efeito de campo de um processo CMOS padrão,

✂️ a) a região do dreno deve ser mais dopada que a da fonte.

✂️ b) a região da fonte deve ser mais dopada que a do dreno.

✂️ c) dreno e fonte devem ser fortemente dopados com fósforo.

✂️ d) dreno e fonte são alinhados pela respectiva porta, não necessitando de máscara litográfica específica.

✂️ e) a mobilidade dos portadores de carga no canal é maior que a dos portadores no canal de um NMOS com as mesmas dimensões.

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