Que é efeito de canalização no processo de implantação de íons? A) Em estruturas cristalinas, o íon implantado quando encontra um canal na rede cristalina tem uma maior chance de colidir com os átomos da rede e, consequentemente, penetra menos do que desejado, alterando o perfil de implantação. B) Em estruturas amorfas, o íon implantado quando encontra um canal na rede cristalina tem uma menor chance de colidir com os átomos da rede e, consequentemente, penetra menos do que desejado, alterando o perfil de implantação. C) Em estruturas amorfas, o íon implantado quando encontra um canal na rede cristalina tem uma menor chance de colidir com os átomos da rede e, consequentemente, penetra mais do que desejado, alterando o perfil de implantação. D) Em estruturas amorfas, o íon implantado não encontra canais na rede cristalina. E) Em estruturas cristalinas, o íon implantado quando encontra um canal na rede cristalina tem uma menor chance de colidir com os átomos da rede e, consequentemente, penetra mais do que desejado, alterando o perfil de implantação.

E) Em estruturas cristalinas, o íon implantado quando encontra um canal na rede cristalina tem uma menor chance de colidir com os átomos da rede e, consequentemente, penetra mais do que desejado, alterando o perfil de implantação.

Questões Engenharia Elétrica Princípios de Ciências dos Materiais

Que é efeito de canalização no processo de implantação de íons?

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Que é efeito de canalização no processo de implantação de íons?

✂️ a) Em estruturas cristalinas, o íon implantado quando encontra um canal na rede cristalina tem uma maior chance de colidir com os átomos da rede e, consequentemente, penetra menos do que desejado, alterando o perfil de implantação.
✂️ b) Em estruturas amorfas, o íon implantado quando encontra um canal na rede cristalina tem uma menor chance de colidir com os átomos da rede e, consequentemente, penetra menos do que desejado, alterando o perfil de implantação.
✂️ c) Em estruturas amorfas, o íon implantado quando encontra um canal na rede cristalina tem uma menor chance de colidir com os átomos da rede e, consequentemente, penetra mais do que desejado, alterando o perfil de implantação.
✂️ d) Em estruturas amorfas, o íon implantado não encontra canais na rede cristalina.
✂️ e) Em estruturas cristalinas, o íon implantado quando encontra um canal na rede cristalina tem uma menor chance de colidir com os átomos da rede e, consequentemente, penetra mais do que desejado, alterando o perfil de implantação.