Questão: Que é efeito de canalização no processo de implantação de ío...

Em estruturas cristalinas, o íon implantado quando encontra um canal na rede cristalina tem uma maior chance de colidir com os átomos da rede e, consequentemente, penetra menos do que desejado, alterando o perfil de implantação.

Em estruturas amorfas, o íon implantado quando encontra um canal na rede cristalina tem uma menor chance de colidir com os átomos da rede e, consequentemente, penetra menos do que desejado, alterando o perfil de implantação.

Em estruturas amorfas, o íon implantado quando encontra um canal na rede cristalina tem uma menor chance de colidir com os átomos da rede e, consequentemente, penetra mais do que desejado, alterando o perfil de implantação.

Em estruturas amorfas, o íon implantado não encontra canais na rede cristalina.

Em estruturas cristalinas, o íon implantado quando encontra um canal na rede cristalina tem uma menor chance de colidir com os átomos da rede e, consequentemente, penetra mais do que desejado, alterando o perfil de implantação.