A implantação de íons na tecnologia de fabricação de MOSFETs é utilizada, principalmente, para obtenção de A) junções rasas de fonte e de dreno e para ajuste da tensão de limiar de condução de transistores MOSFETs. B) junções profundas de fonte e de dreno e para ajuste da corrente de condução de transistores MOSFETs. C) junções rasas de fonte e de dreno e para ajuste da corrente de condução de transistores MOSFETs. D) junções profundas de fonte e de dreno e para ajuste da tensão de limiar de condução de transistores MOSFETs. E) junções rasas e profundas de fonte e de dreno e para ajustar o comprimento de transistores MOSFETs.

A) junções rasas de fonte e de dreno e para ajuste da tensão de limiar de condução de transistores MOSFETs.

A implantação de íons na tecnologia de fabricação de MOSFETs é utilizada, principalment...

A implantação de íons na tecnologia de fabricação de MOSFETs é utilizada, principalmente, para obtenção de

✂️ a) junções rasas de fonte e de dreno e para ajuste da tensão de limiar de condução de transistores MOSFETs.
✂️ b) junções profundas de fonte e de dreno e para ajuste da corrente de condução de transistores MOSFETs.
✂️ c) junções rasas de fonte e de dreno e para ajuste da corrente de condução de transistores MOSFETs.
✂️ d) junções profundas de fonte e de dreno e para ajuste da tensão de limiar de condução de transistores MOSFETs.
✂️ e) junções rasas e profundas de fonte e de dreno e para ajustar o comprimento de transistores MOSFETs.