Questões Engenharia Elétrica Eletrônica Analógica

Uma das características de um transistor MOSFET é a existência de uma tensão de limiar ...

Responda: Uma das características de um transistor MOSFET é a existência de uma tensão de limiar (threshold). Analise as assertivas a seguir, sobre esta tensão: I) Para tensões entre porta (gate) e fonte (so...


1Q789550 | Engenharia Elétrica, Eletrônica Analógica, FUNRIO

Uma das características de um transistor MOSFET é a existência de uma tensão de limiar (threshold). Analise as assertivas a seguir, sobre esta tensão: I) Para tensões entre porta (gate) e fonte (source), VGS, abaixo de uma tensão de limiar (Vt), não haverá ou será muito pequeno o fluxo de corrente entre fonte e dreno. II) Quando VGS < Vt, a densidade de cargas acumuladas no canal é nula ou muito pequena já que a intensidade de campo elétrico não será suficiente para a formação do canal condutor. Com relação a essas assertivas, pode-se afirmar que:
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💬 Comentários

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Marcos de Castro
Por Marcos de Castro em 31/12/1969 21:00:00
Gabarito: a)

A primeira assertiva afirma que para tensões VGS abaixo da tensão de limiar Vt, o fluxo de corrente entre a fonte e o dreno será inexistente ou muito pequeno. Isso é verdadeiro porque o transistor MOSFET requer uma tensão mínima na porta (gate) para formar um canal condutor entre a fonte (source) e o dreno (drain). Se essa tensão não é atingida, o canal não se forma efetivamente, impedindo o fluxo de corrente.

A segunda assertiva explica que quando VGS é menor que Vt, a densidade de cargas no canal é nula ou muito pequena, pois o campo elétrico não é suficiente para formar o canal condutor. Esta assertiva é uma justificação correta da primeira, pois detalha o processo físico pelo qual a corrente não flui quando a tensão de limiar não é alcançada. A formação insuficiente do canal devido à baixa densidade de cargas impede a condução de corrente.

Portanto, ambas as assertivas são verdadeiras, e a segunda assertiva justifica corretamente a primeira, explicando o comportamento do transistor MOSFET em relação à tensão de limiar.
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