Marcos de Castro
31/12/1969 • 21:00
Gabarito: a)
A primeira assertiva afirma que para tensões VGS abaixo da tensão de limiar Vt, o fluxo de corrente entre a fonte e o dreno será inexistente ou muito pequeno. Isso é verdadeiro porque o transistor MOSFET requer uma tensão mínima na porta (gate) para formar um canal condutor entre a fonte (source) e o dreno (drain). Se essa tensão não é atingida, o canal não se forma efetivamente, impedindo o fluxo de corrente.
A segunda assertiva explica que quando VGS é menor que Vt, a densidade de cargas no canal é nula ou muito pequena, pois o campo elétrico não é suficiente para formar o canal condutor. Esta assertiva é uma justificação correta da primeira, pois detalha o processo físico pelo qual a corrente não flui quando a tensão de limiar não é alcançada. A formação insuficiente do canal devido à baixa densidade de cargas impede a condução de corrente.
Portanto, ambas as assertivas são verdadeiras, e a segunda assertiva justifica corretamente a primeira, explicando o comportamento do transistor MOSFET em relação à tensão de limiar.
A primeira assertiva afirma que para tensões VGS abaixo da tensão de limiar Vt, o fluxo de corrente entre a fonte e o dreno será inexistente ou muito pequeno. Isso é verdadeiro porque o transistor MOSFET requer uma tensão mínima na porta (gate) para formar um canal condutor entre a fonte (source) e o dreno (drain). Se essa tensão não é atingida, o canal não se forma efetivamente, impedindo o fluxo de corrente.
A segunda assertiva explica que quando VGS é menor que Vt, a densidade de cargas no canal é nula ou muito pequena, pois o campo elétrico não é suficiente para formar o canal condutor. Esta assertiva é uma justificação correta da primeira, pois detalha o processo físico pelo qual a corrente não flui quando a tensão de limiar não é alcançada. A formação insuficiente do canal devido à baixa densidade de cargas impede a condução de corrente.
Portanto, ambas as assertivas são verdadeiras, e a segunda assertiva justifica corretamente a primeira, explicando o comportamento do transistor MOSFET em relação à tensão de limiar.