Entre as principais desvantagens do processo de implantação de íons, citam-se: 1) Os danos causados pela implantação podem ampliar a difusão de dopantes 2) Os deslocamentos dos átomos na rede cristalina da amostra causados pelos danos podem resultar em corrente de fuga nas junções das regiões de fonte e de dreno de transistores MOSFETs 3) O efeito de canalização na rede cristalina da amostra pode afetar a profundidade de penetração do íon implantado Quais dessas desvantagens estão corretamente identificadas:
Questão: Entre as principais desvantagens do processo de implantação ...
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