Em três lâminas de Si iguais foram implantados os ions de 11B+, na primeira, 31P+, na segunda e 75As+, na terceira. Qual implantação de íons destruirá mais a rede cristalina em sua respectiva lâmina de Si. Nota: todas as implantações foram executadas com a mesma energia e dose, e em temperatura ambiente. A) As três implantações destruirão por igual a rede cristalina do Si. B) A implantação de íons de 31 P + C) A implantação de íons de 11 B + D) A implantação de íons de 75 As + E) As implantações de 75 As + e 11 B + destruirão por igual a rede cristalina do Si, e a de 31 P + destruirá mais.

D) A implantação de íons de 75 As +

Questões Engenharia Elétrica Princípios de Ciências dos Materiais

Em três lâminas de Si iguais foram implantados os ions de 11B+, n...

Responda: Em três lâminas de Si iguais foram implantados os ions de 11B+, na primeira, 31P+, na segunda e 75As+, na terceira. Qual implantaçã...

1Q789754 | Engenharia Elétrica, Princípios de Ciências dos Materiais, FUNRIO

Em três lâminas de Si iguais foram implantados os ions de ¹¹B⁺, na primeira, ³¹P⁺, na segunda e ⁷⁵As⁺, na terceira. Qual implantação de íons destruirá mais a rede cristalina em sua respectiva lâmina de Si. Nota: todas as implantações foram executadas com a mesma energia e dose, e em temperatura ambiente.

✂️ a) As três implantações destruirão por igual a rede cristalina do Si.
✂️ b) A implantação de íons de ³¹P⁺
✂️ c) A implantação de íons de ¹¹B⁺
✂️ d) A implantação de íons de ⁷⁵As⁺
✂️ e) As implantações de ⁷⁵As⁺ e ¹¹B⁺ destruirão por igual a rede cristalina do Si, e a de ³¹P⁺ destruirá mais.