Em três lâminas de Si iguais foram implantados os ions de 11B+, na primeira, 31P...

Questão de Engenharia Elétrica da banca FUNRIO (2012). Confira a resolução completa abaixo:

Q789754•
Engenharia Elétrica•
Princípios de Ciências dos Materiais•
FUNRIO

Em três lâminas de Si iguais foram implantados os ions de ¹¹B⁺, na primeira, ³¹P⁺, na segunda e ⁷⁵As⁺, na terceira. Qual implantação de íons destruirá mais a rede cristalina em sua respectiva lâmina de Si. Nota: todas as implantações foram executadas com a mesma energia e dose, e em temperatura ambiente.

As três implantações destruirão por igual a rede cristalina do Si.

A implantação de íons de ³¹P⁺

A implantação de íons de ¹¹B⁺

A implantação de íons de ⁷⁵As⁺

As implantações de ⁷⁵As⁺ e ¹¹B⁺ destruirão por igual a rede cristalina do Si, e a de ³¹P⁺ destruirá mais.

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( ) As lâmpadas de vapor de sódio de alta pressão são as que possuem a melhor eficiência luminosa, podendo chegar a 140 lm/W.

( ) As lâmpadas de vapor de sódio de alta pressão possuem IRC (índice de reprodução de cores) na faixa de 70% a 90%.

( ) As lâmpadas incandescentes possuem IRC que alcança 100%. ( ) As lâmpadas de vapor de sódio de alta pressão possuem vida útil (até 50% de falhas) superior a 25.000 horas.

Assinale a sequência correta.

V, F, V, V

F, F, F, V

V, V, V, F

F, V, F, F

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