Alguns anéis de pad existentes nas entradas de dispositivos CMOS (Metal-Óxido...

Alguns anéis de pad existentes nas entradas de dispositivos CMOS (Metal-Óxido-Semicondutor Complementar) contêm implementações de Schmitt triggers, cuja histerese eleva o ponto de chaveamento quand...

Q789940 • Engenharia Elétrica • Eletrônica Analógica • FUNRIO

Alguns anéis de pad existentes nas entradas de dispositivos CMOS (Metal-Óxido-Semicondutor Complementar) contêm implementações de Schmitt triggers, cuja histerese eleva o ponto de chaveamento quando o sinal de entrada é baixo e o reduz quando o sinal de entrada é alto. A função desse circuito nessas estruturas é

a) reduzir o retardo de propagação nos circuitos digitais CMOS.
b) ajudar a filtrar transientes que podem ocorrer se o sinal de entrada se elevar lentamente ou for muito ruidoso.
c) oferecer um backup, em caso de falha do inversor CMOS, na alteração do nível lógico de um circuito digital.
d) impedir a eletromigração no anel de pad.
e) atuar como amplificadores do sinal de entrada.

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Questões sobre Eletrônica Analógica

1

Q1140137 • Veterinária • Eletrônica Analógica • SELECON • Polícia Militar CE • Veterinário • 2025
Os testes rápidos (ELISA) para FIV e FeLV são essenciais na rotina felina. O teste de FeLV detecta o antígeno p27, indicando a presença do vírus, enquanto o teste de FIV detecta anticorpos, indicando exposição e resposta imune. Essa diferença fundamental no que é detectado leva a uma importante consideração interpretativa em filhotes com menos de 6 meses de idade, que é a possibilidade de:
- a) um FIV positivo ser resultado de anticorpos maternos
- b) um FeLV positivo ser causado por imunidade da lactação
- c) ambos os testes serem negativos devido à imaturidade imune
- d) a vacinação prévia da mãe interferir apenas no resultado de FeLV
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2

Q1139607 • Eletrônica • Eletrônica Analógica • Marinha • Quadro Complementar • Segunto Tenente • 2025
Sobre os fotodiodos e os diodos emissores de luz (LEDs), assinale a opção INCORRETА.
- a) Um isolador óptico é uma aplicação que combina um fotodiodo com um LED.
- b) Ao contrário do LED, o fotodiodo converte sinais luminosos em eletricidade.
- c) Fotodiodos iluminados sem polarização inversa funcionam como células solares.
- d) LEDs são equivalentes a fotodiodos quando polarizados reversamente.
- e) Um isolador óptico pode ser implementado com fibra óptica de longa distância.
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3

Q1137936 • Eletrônica • Eletrônica Analógica • Marinha • CAP • Praça da Marinha • 2025
O que representa o dB (decibel) na instrumentação eletrônica?
- a) Medição eletrônica.
- b) Valor máximo de corrente suportado.
- c) Referência a sinais TTL.
- d) diferente de zero / diferente de zero
- e) Medição logarítima de potência.
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4

Q1135670 • Eletrônica • Eletrônica Analógica • Marinha • CAP • Praça da Marinha • 2025
Os transistores de efeito de campo (FET) são componentes eletrônicos semicondutores amplamente utilizados em circuitos. Assinale a opção que NÃO apresenta uma das principais características desses transistores.
- a) Controlar a corrente entre dreno e fonte por meio de tensão aplicada-na-porta
- b) Apresentar alta impedância de entrada.
- c) Ser dispositivo controlado por tensão.
- d) Exigir obrigatoriamente uma junção PN entre dreno e fonte.
- e) Consumir pouca corrente na porta durante a operação.
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5

Q1133048 • Eletrônica • Eletrônica Analógica • Marinha • Marinha do Brasil • Moço de Convés • 2026
De acordo com as regras práticas de funcionamento e polarização de um Transistor Bipolar de Junção (TBJ) do tipo NPN, para que o componente conduza e opere corretamente, suas junções devem ser polarizadas de uma forma específica. Assinale a alternativa correta a respeito das condições de polarização e níveis de tensão nos terminais de um transistor NPN funcional:
- a) A junção base-emissor deve ser polarizada reversamente e a junção base-coletor diretamente.
- b) Para o transistor conduzir, é necessário que a tensão entre base e emissor (VBE) seja menor que 0,7V.
- c) A configuração correta exige a aplicação da tensão mais alta no emissor, média na base e mais baixa no coletor.
- d) A junção base-emissor deve ser polarizada diretamente e a junção base-coletor deve ser polarizada inversamente, mantendo a tensão mais alta no coletor.
- e) O transistor entra em corte (atuando como chave fechada) quando ambas as junções estão polarizadas diretamente.
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6

Q1133037 • Eletrônica • Eletrônica Analógica • Marinha • Marinha do Brasil • Moço de Convés • 2026
No estudo dos materiais semicondutores e dispositivos de estado sólido, o processo de purificação e posterior inserção controlada de impurezas nos cristais de silício ou germânio é realizado para alterar a produção de elétrons livres e lacunas. Sabendo disso, assinale a alternativa que indica o nome correto desse processo e o valor da barreira de potencial (queda de tensão) para um diodo de Silício (Si) a 25°C:
- a) Depleção e 0,3V.
- b) Dopagem e 0,7V.
- c) Polarização e 0,7V.
- d) Retificação e 0,3V.
- e) Dopagem e 0,3V.
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7

Q1132938 • Eletrônica • Eletrônica Analógica • Marinha • CAP • Eletrônica • 2025
Determine o valor do ganho que corresponde a um ganho de tensão de 60 dB.
- a) 100
- b) 1.000
- c) 10.000
- d) 100.000
- e) 1:000:000
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8

Q1132937 • Eletrônica • Eletrônica Analógica • Marinha • CAP • Eletrônica • 2025
Em circuitos de controle de potência em corrente alternada (CA), componentes semicondutores como SCR, DIAC e TRIAC são amplamente utilizados. Sobre o funcionamento desses dispositivos, assinale a opção correta.
- a) O SCR pode conduzir corrente nos dois sentidos e é disparado apenas por tensão alternada aplicada entre ânodo e cátodo.
- b) O DIAC possui três terminais e é utilizado para retificar corrente alternada com alta eficiência.
- c) O TRIAC é um componente bidirecional que pode ser disparado em ambos os semiciclos da corrente alternada.
- d) O SCR e o TRIAC funcionam da mesma forma, sendo ambos unidirecionais e com controle por porta.
- e) O DIAC é um dispositivo controlado por porta e atua como chave bidirecional com função semelhante à de um transistor.
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9

Q1132935 • Eletrônica • Eletrônica Analógica • Marinha • CAP • Eletrônica • 2025
Durante o processo de dopagem utilizado na fabricação de dispositivos semicondutores, impurezas específicas são introduzidas ao silício com o objetivo de modificar suas propriedades elétricas. Considerando o material do tipo n resultante desse processo, assinale a opção correta.
- a) Possui excesso de lacunas como portadores majoritários, devido à adição de átomos trivalentes.
- b) A condutividade diminui com a introdução de impurezas doadoras
- c) Apresenta elétrons livres como portadores majoritários, provenientes da dopagem com elementos pentavalentes.
- d) Transforma o silício em um isolante, pois impede o movimento de cargas.
- e) Os portadores minoritários são elétrons livres, responsáveis pela condução elétrica.
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10

Q1132934 • Eletrônica • Eletrônica Analógica • Marinha • CAP • Eletrônica • 2025
Assinale a opção que apresenta o tipo de circuito constituído de um diodo, um resistor e um capacitor que desloca uma forma de onda para um nível de corrente contínua diferente, sem alterar a aparência do sinal aplicado.
- a) Grampeador.
- b) Retificador.
- c) Ceifador.
- d) Temporizador.
- e) Limitador.
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Alguns anéis de pad existentes nas entradas de dispositivos CMOS (Metal-Óxido-Semicondutor Complementar) contêm implementações de Schmitt triggers, cuja histerese eleva o ponto de chaveamento quand...

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