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Quanto aos elementos básicos em um circuito de corrente alternada, assinale a...

Quanto aos elementos básicos em um circuito de corrente alternada, assinale a alternativa correta.

Q881444 • Eletrônica • FADURPE • UFRPE • Técnico de Laboratório/Área Eletrônica/Eletrotécnica • 2024

Quanto aos elementos básicos em um circuito de corrente alternada, assinale a alternativa correta.

a) A condutância de um dispositivo indutivo é diretamente proporcional à frequência.
b) A potência média ou potência dissipada por um indutor ideal é proporcional à frequência.
c) Os circuitos capacitivos têm um fator de potência adiantado.
d) Com frequências muito altas, as características de um indutor se aproximam às de um curto-circuito.
e) Se a corrente estiver adiantada em relação à tensão aplicada, o circuito será predominantemente indutivo.

Questões de Eletrônica

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Q1063798 • Eletrônica • Eletrônica de Potência • FGV • INPE • Desenvolvimento de Sistemas Eletrônicos Digitais • 2024
Quatro módulos de uma mesma placa eletrônica foram testados e os resultados estão listados a seguir.

a. Modulo 01; quantidade de falhas: 3; horas de teste: 2500.
b. Modulo 02; quantidade de falhas: 7; horas de teste: 2500.
c. Modulo 03; quantidade de falhas: 5; horas de teste: 2000.
d. Modulo 04; quantidade de falhas: 4; horas de teste: 1000.

Considere que cada placa é composta por um módulo de cada tipo, que as falhas de cada módulo são estatisticamente independentes e que os módulos da placa eletrônica podem ser representados como um sistema em série.
Com base nessas informações, estima-se que o MTTF (Tempo Médio até a Falha) e o MTBF (Média de Tempo Entre Falhas) da placa eletrônica sejam, respectivamente,
- a) 400 e 460 horas.
- b) 460 e 400 horas.
- c) 200 e 230 horas.
- d) 230 e 400 horas.
- e) 400 e 230 horas.
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Q1063797 • Eletrônica • Análise de Circuitos • FGV • INPE • Desenvolvimento de Sistemas Eletrônicos Digitais • 2024
Para atender às normas de um projeto eletrônico, estão disponíveis os seguintes resistores para compor o circuito:

a. Resistor 100Ω, tolerância 1%, 200ppm / ºC, encapsulamento 0603, potência: 200 mW, P/N: ERJ-P03F1000V;
b. Resistor 100Ω, tolerância 5%, 250ppm / ºC, encapsulamento 0201, potência: 50mW, P/N: CR0201-JW-101GLF.

Considerando as normas que orientam as boas práticas em confiabilidade de circuitos eletrônicos, analise as afirmativas a seguir.

I. Para garantir o correto funcionamento do circuito, a variação de resistência em condições usuais de temperatura (25ºC) não pode ultrapassar o valor de 10Ωem relação ao valor nominal; portanto, ambos os componentes são adequados para o projeto.
II. Ambos os componentes são adequados para operar com correntes de até 20mA.
III. Após o ajuste do circuito, o resistor não pode apresentar um aumento superior a 2Ω, para uma temperatura de 75ºC; portanto, ambos os componentes são adequados para o projeto.

Está correto o que se afirma em
- a) I, apenas.
- b) I e II, apenas.
- c) I e III, apenas.
- d) II e III, apenas.
- e) I, II e III.
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Q1063796 • Eletrônica • Análise de Circuitos • FGV • INPE • Desenvolvimento de Sistemas Eletrônicos Digitais • 2024
A aplicação de metodologias, como a análise de confiabilidade de circuitos eletrônicos, desempenha um papel fundamental ao ajudar os engenheiros a detectarem e a reduzir possíveis pontos de falha em equipamentos e dispositivos.

Em relação ao tema, analise as afirmativas a seguir.
I. Um circuito é classificado como tendo baixa confiabilidade quando existe uma alta probabilidade de falhas ocorrerem dentro de um intervalo de tempo específico.
II. Uma medida de confiabilidade da produção de circuitos eletrônicos consiste na análise de um lote específico, submetendo uma amostra a testes de uso ao longo de um período determinado, e calculando a taxa de falhas por unidade de tempo.
III. MTBF (Média de Tempo Entre Falhas) é uma métrica de confiabilidade que mede o tempo exato que leva para um sistema falhar, fornecendo uma previsão precisa de quando as falhas ocorrerão durante sua vida útil operacional.

Está correto o que se afirma em
- a) I, apenas.
- b) I e II, apenas.
- c) I e III, apenas.
- d) II e III, apenas.
- e) I, II e III.
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4

Q1063795 • Eletrônica • Eletrônica Analógica • FGV • INPE • Desenvolvimento de Sistemas Eletrônicos Digitais • 2024
Um diagrama de Nyquist mostra, no plano complexo, as informações de ganho e fase de uma função de transferência em função da frequência. Nesse contexto, e sabendo ainda que determinado circuito com um amplificador operacional realimentado positivamente comporta-se como um oscilador, o critério de Barkhausen para a oscilação será satisfeito se o módulo do ganho de malha direta for
- a) menor que a unidade, sempre.
- b) igual à unidade, quando a fase for igual a 180 graus.
- c) igual à unidade, quando a fase for igual a 90 graus.
- d) maior que a unidade, quando a fase for igual a 180 graus.
- e) invariante com a frequência.
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5

Q1063794 • Eletrônica • Eletrônica de Potência • FGV • INPE • Desenvolvimento de Sistemas Eletrônicos Digitais • 2024
O projeto de fontes de alimentação de corrente contínua pode ser dividido em etapas, tais como a retificação e a regulação. É comum inserir um estágio adicional de filtragem composto por um resistor e um capacitor, após o capacitor de filtragem original.
Tal inserção tem como objetivo principal
- a) elevar o nível DC de saída.
- b) ceifar a excursão negativa do sinal AC da entrada.
- c) reduzir o ripple da tensão de saída.
- d) diminuir a complexidade do sistema.
- e) reduzir a dissipação energética na fonte de alimentação.
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6

Q1063793 • Eletrônica • Eletrônica Analógica • FGV • INPE • Desenvolvimento de Sistemas Eletrônicos Digitais • 2024
Deseja-se realizar uma avaliação preliminar do funcionamento de um conversor A/D. Considere que o conversor é de 12 bits, com uma resolução de 4mV, sendo o bit mais significativo reservado para a sinalização, dado que a saída em hexadecimal do conversor foi '0C8' e que o conversor A/D está operando corretamente.
O valor esperado da tensão na entrada do conversor e o valor aproximado da maior tensão positiva que o conversor pode representar estão, respectivamente, entre
- a) 0,2V e 4,1V.
- b) 0,4V e 8,2V.
- c) 0,4V e 16,4V.
- d) 0,8V e 8,2V.
- e) 0,8V e 16,4V.
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Q1063792 • Eletrônica • Eletrônica Analógica • FGV • INPE • Desenvolvimento de Sistemas Eletrônicos Digitais • 2024
Ao se deparar com um componente desconhecido, um engenheiro fez as seguintes observações:

• o componente possui 3 três terminais externos, que foram denominados A, B e C;
• com o terminal C desconectado, aplicar uma diferença de potencial (positiva ou negativa) entre os terminais A e B não faz circular corrente pelo componente;
• com o terminal B desconectado, aplicar uma diferença de potencial (positiva ou negativa) entre os terminais A e C não faz circular corrente pelo componente;
• com o terminal A desconectado, aplicar uma diferença de potencial (positiva ou negativa) entre os terminais B e C não faz circular corrente pelo dispositivo;
• enquanto aplicada uma determinada tensão negativa no terminal A, uma pequena diferença de potencial aplicada entre os terminais B e C faz surgir uma corrente entre esses dois terminais.

Com base nessas observações, o componente analisado pelo engenheiro é o
- a) FET.
- b) MOSFET canal n.
- c) MOSFET canal p.
- d) TBJ do tipo PNP;
- e) TBJ do tipo NPN;
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Q1063734 • Eletrônica • Eletrônica de Potência • FGV • INPE • Técnico em Manutenção de Equipamentos Eletrônicos • 2024
O diodo é o mais simples dos dispositivos semicondutores, contudo desempenha um importante papel em sistemas eletrônicos. A compreensão da física que governa o comportamento deste dispositivo permite o desenvolvimento de modelos para uso em projetos e análise de circuitos eletrônicos.
Com base nisso, analise os itens a seguir.
I. Quando a junção PN de um diodo é polarizada de forma reversa ainda assim existe uma corrente que flui através do dispositivo, chamada corrente de saturação reversa.
II. Diodos emissores de luz (LEDs) geram luz pela descarga de elétrons com alto nível de energia que colidem com uma camada de fósforo excitando seus átomos, que por sua vez emitem fótons no espectro visível quando retornam a níveis energéticos menores.
III. O diodo Zener pode ser modelado como uma fonte de corrente em série com uma resistência dinâmica, que varia com a tensão aplicada e temperatura do dispositivo.
Está correto o que se apresenta em:
- a) I, apenas.
- b) I e II, apenas.
- c) I e III, apenas.
- d) II e III, apenas.
- e) I, II e III.
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Q1063557 • Eletrônica • Eletrônica de Potência • FGV • INPE • Arquitetura Elétrica • 2024
O PWM é uma modulação amplamente utilizada em diversas aplicações, como controle de velocidade de motores e servomotores, controle de carga de baterias em sistema solares, entre outras.
Sobre o PWM, assinale a afirmativa correta.
- a) O período do sinal PWM guarda relação com a frequência do sinal modulante.
- b) A amplitude dos pulsos do sinal PWM guarda relação com a amplitude do sinal modulante.
- c) A posição do pulso do sinal PWM em cada período guarda relação com a amplitude do sinal modulante.
- d) O nível médio do sinal PWM é proporcional à taxa de trabalho (duty cycle).
- e) A largura de banda do sinal PWM ideal é finita e bem definida.
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Q1063556 • Eletrônica • Eletrônica de Potência • FGV • INPE • Arquitetura Elétrica • 2024
Ao selecionar um MOSFET de potência para atuar como chave em um circuito, deve-se atentar para que seus parâmetros garantam o funcionamento desejado e minimizem a dissipação de energia no transistor.
Em relação aos parâmetros dos MOSFET de potência na situação acima mencionada, assinale a afirmativa correta.
- a) As perdas devido aos tempos de comutação só são relevantes na transição de atuação do MOSFET como chave fechada para atuação como chave aberta.
- b) A carga total de gate (Q_g) influencia diretamente à dissipação de energia durante o tempo em que o MOSFET está atuando como uma chave fechada.
- c) Quanto maior a capacitância de saída (C_oss), menor são as perdas por comutação.
- d) A tensão de bloqueio (V_DS(max)) afeta diretamente a eficiência energética do MOSFET.
- e) A tensão de limiar (V_GS(th)) não afeta consideravelmente a eficiência energética do MOSFET.
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