No que se refere aos emissores e receptores ópticos, assinale a opção correta. A) O silício (Si) é o material mais utilizado para a fabricação de emissores ópticos a laser . B) Em um LED de silício, observa-se uma heterojunção quando o lado da junção tipo-n é composto pelo mesmo material do lado da junção tipo-p. C) O tempo de vida útil dos emissores a laser é maior que o tempo de vida útil dos emissores LED. D) A responsividade relativa dos componentes ópticos a silício (Si) é menor que a responsividade relativa dos componentes ópticos a índio-gálio-arsênio (InGaAs) para ondas com comprimento igual a 1.550 nm. E) A relação sinal-ruído nos fotodetectores do tipo PIN (fotodiodo do tipo p-intrínseco-n) é maior que a relação sinal-ruído nos fotodetectores do tipo APD ( avalanche photodiode ).

E) A relação sinal-ruído nos fotodetectores do tipo PIN (fotodiodo do tipo p-intrínseco-n) é maior que a relação sinal-ruído nos fotodetectores do tipo APD ( avalanche photodiode ).

Questões Engenharia de Telecomunicações

No que se refere aos emissores e receptores ópticos, assinale a opção correta.

Responda: No que se refere aos emissores e receptores ópticos, assinale a opção correta.

1Q982110 | Engenharia de Telecomunicações, Especialidade Técnico de Telecomunicação, CAESBDF, CESPE CEBRASPE, 2025

No que se refere aos emissores e receptores ópticos, assinale a opção correta.

✂️ a) O silício (Si) é o material mais utilizado para a fabricação de emissores ópticos a laser.
✂️ b) Em um LED de silício, observa-se uma heterojunção quando o lado da junção tipo-n é composto pelo mesmo material do lado da junção tipo-p.
✂️ c) O tempo de vida útil dos emissores a laser é maior que o tempo de vida útil dos emissores LED.
✂️ d) A responsividade relativa dos componentes ópticos a silício (Si) é menor que a responsividade relativa dos componentes ópticos a índio-gálio-arsênio (InGaAs) para ondas com comprimento igual a 1.550 nm.
✂️ e) A relação sinal-ruído nos fotodetectores do tipo PIN (fotodiodo do tipo p-intrínseco-n) é maior que a relação sinal-ruído nos fotodetectores do tipo APD (avalanche photodiode).