Início Questões de Concursos Dispositivos Eletrônicos Resolva questões de Dispositivos Eletrônicos comentadas com gabarito, online ou em PDF, revisando rapidamente e fixando o conteúdo de forma prática. Dispositivos Eletrônicos Ordenar por: Mais populares Mais recentes Mais comentadas Filtrar questões: Exibir todas as questões Exibir questões resolvidas Excluir questões resolvidas Exibir questões que errei Filtrar 21Q785413 | Engenharia Elétrica, Dispositivos Eletrônicos, Engenheiro, Ministério da Saúde, CESPE CEBRASPEO domínio da eletrônica industrial pode ser subdividido em eletrônica de potência e eletrônica de regulação e comando. A eletrônica de potência é a aplicação de dispositivos semicondutores em sistemas elétricos de potência. Por meio dos dispositivos semicondutores de potência, associados a outros circuitos eletrônicos, podem-se acionar e controlar diversos tipos de cargas industriais. A amplificação da potência e a potência dos dispositivos envolvidos são preponderantes. A partir do texto acima, julgue os itens a seguir. SCR, LASCR, LTT, TRIAC, DIAC, GTO, GVT e MCT são dispositivos semicondutores de potência. ✂️ a) Certo ✂️ b) Errado Resolver questão 🗨️ Comentários 📊 Estatísticas 📁 Salvar 🧠 Mapa Mental 🏳️ Reportar erro 22Q785425 | Engenharia Elétrica, Dispositivos Eletrônicos, FUNRIOAo realizar alguns testes em um transistor MOS desconhecido, um engenheiro conectou o terminal fonte ao terra e o terminal dreno a uma tensão positiva de forma que VDS>0. O terminal de porta também foi aterrado, fazendo VGS = 0. Variando VDS, conseguiu medir diferentes valores de corrente entre dreno e fonte (IDS), encontrando uma curva esperada para transistores MOS. Com estas informações, é possível afirmar que este transistor: ✂️ a) Não está funcionando corretamente. ✂️ b) É um MOSFET canal N tipo enriquecimento. ✂️ c) É um MOSFET canal P tipo enriquecimento. ✂️ d) É um MOSFET canal N tipo depleção. ✂️ e) É um MOSFET canal P tipo depleção. Resolver questão 🗨️ Comentários 📊 Estatísticas 📁 Salvar 🧠 Mapa Mental 🏳️ Reportar erro 23Q786054 | Engenharia Elétrica, Dispositivos Eletrônicos, Técnico de Operação e Controle, CESAN ES, CESPE CEBRASPEDisjuntores de potência são utilizados para a manobra e a proteção de circuitos primários de distribuição. Com relação a esses dispositivos, julgue os itens a seguir. Quanto ao tipo de construção, esses equipamentos são montados dentro de caixa moldada em poliéster ou fibra de vidro. Em caso de defeito, são descartáveis. ✂️ a) Certo ✂️ b) Errado Resolver questão 🗨️ Comentários 📊 Estatísticas 📁 Salvar 🧠 Mapa Mental 🏳️ Reportar erro 24Q784899 | Engenharia Elétrica, Dispositivos Eletrônicos, Engenheiro, Tribunal de Justiça MG, FUNDEP UFMGUm disjuntor termomagnético cuja corrente nominal é 10A atua imediatamente na seguinte situação: ✂️ a) corrente na carga igual a 15 A. ✂️ b) sobrecarga severa. ✂️ c) sobretensão de 160% da tensão nominal. ✂️ d) transitório de corrente de 160% da corrente nominal. Resolver questão 🗨️ Comentários 📊 Estatísticas 📁 Salvar 🧠 Mapa Mental 🏳️ Reportar erro 25Q790149 | Engenharia Elétrica, Dispositivos Eletrônicos, Técnico de Projetos Júnior, Petrobras, CESGRANRIOAnalisando-se as caracaterísticas e funcionalidades de um amplificador operacional, afirma-se que: ✂️ a) apresenta em seu circuito intrínseco realimentação de tensão produzindo ganho de tensão elevado e estabilizado. ✂️ b) apresenta grande impedância de entrada e saída. ✂️ c) o sinal de saída, independentemente da entrada utilizada, apresenta-se sempre invertido ao sinal de entrada. ✂️ d) a banda passante é muito pequena dificultando os projetos. ✂️ e) não pode ser usado em amplificadores de sinal de vídeo. Resolver questão 🗨️ Comentários 📊 Estatísticas 📁 Salvar 🧠 Mapa Mental 🏳️ Reportar erro 26Q789449 | Engenharia Elétrica, Dispositivos Eletrônicos, Técnico de Projetos Júnior, Petrobras, CESGRANRIOOs transmissores digitais ✂️ a) necessitam que os instrumentos sejam ligados ponto a ponto. ✂️ b) apresentam baixa velocidade de transmissão de dados. ✂️ c) permitem fazer o diagnóstico de falha em qualquer ponto da malha. ✂️ d) enviam sinais digitais, informações, para um receptor, a partir do qual são modulados e padronizados. ✂️ e) permitem, através do uso de vários protocolos, a conexão de equipamentos de fabricantes diferentes. Resolver questão 🗨️ Comentários 📊 Estatísticas 📁 Salvar 🧠 Mapa Mental 🏳️ Reportar erro 27Q788393 | Engenharia Elétrica, Dispositivos Eletrônicos, Analista Judiciário, TRT 8a, FCCEm sistemas de comando de motor trifásico, é comum o uso de um dispositivo composto dos seguintes elementos: - um contato auxiliar (NA + NF); - um botão de regulagem de corrente de desarme; - um botão de rearme de ação manual; - três bimetais. Trata-se de um dispositivo de ✂️ a) comando denominado relé de tempo com retardo no desligamento. ✂️ b) comando denominado contador de impulsos. ✂️ c) comando denominado contator. ✂️ d) proteção denominado disjuntor termomagnético. ✂️ e) proteção denominado relé térmico. Resolver questão 🗨️ Comentários 📊 Estatísticas 📁 Salvar 🧠 Mapa Mental 🏳️ Reportar erro 28Q786455 | Engenharia Elétrica, Dispositivos Eletrônicos, FUNRIOOs dispositivos semicondutores são formados por diversos tipos de junção. Um destes tipos de junção é a chamada junção PN. O componente formado, basicamente, por uma junção PN é o ✂️ a) Capacitor MOS. ✂️ b) Resistor. ✂️ c) Diodo. ✂️ d) MOSFET tipo P. ✂️ e) BJT. Resolver questão 🗨️ Comentários 📊 Estatísticas 📁 Salvar 🧠 Mapa Mental 🏳️ Reportar erro 29Q785059 | Engenharia Elétrica, Dispositivos Eletrônicos, Engenheiro, TJ PE, SUSTENTERelativamente aos transistores bipolares, é INCORRETO afirmar ✂️ a) Trabalha com alta potência. ✂️ b) A resistência entre base e emissor é maior que entre base e coletor. ✂️ c) Funciona em alta freqüência. ✂️ d) É excitado por corrente. ✂️ e) Possui menor resistência entre coletor e emissor, quando em saturação. Resolver questão 🗨️ Comentários 📊 Estatísticas 📁 Salvar 🧠 Mapa Mental 🏳️ Reportar erro 30Q781959 | Engenharia de Telecomunicações, Dispositivos Eletrônicos, Pesquisador em Propriedade Industrial, INPI, CESPE CEBRASPENo que se refere a transistores de junção, julgue os itens a seguir. Na operação de um transistor em região linear, para se obter ganho de corrente entre o que é injetado na base e o que trafega entre emissor e coletor, a junção entre emissor e base precisa ser polarizada diretamente e a junção base e coletor, polarizada inversamente. ✂️ a) Certo ✂️ b) Errado Resolver questão 🗨️ Comentários 📊 Estatísticas 📁 Salvar 🧠 Mapa Mental 🏳️ Reportar erro 31Q785938 | Engenharia Elétrica, Dispositivos Eletrônicos, Câmara dos Deputados, CESPE CEBRASPEA diversidade de sistemas no-breaks disponível no mercado requer do engenheiro um conhecimento sólido sobre as principais vantagens e desvantagens das topologias existentes, que possibilite a escolha certa para uma aplicação específica. A respeito das características dos principais sistemas no-breaks, julgue os itens de 150 a 156. Durante operação normal da fonte primária, em termos de eficiência energética, a topologia online delta-conversion apresenta desempenho superior à topologia online dupla conversão. ✂️ a) Certo ✂️ b) Errado Resolver questão 🗨️ Comentários 📊 Estatísticas 📁 Salvar 🧠 Mapa Mental 🏳️ Reportar erro 32Q784295 | Engenharia Elétrica, Dispositivos Eletrônicos, Técnico 2, Ministério da Ciência e Tecnologia, CESPE CEBRASPEOs modelos de alguns dispositivos eletrônicos apresentam uma relação entre a grandeza de entrada e a de saída do tipo y = AeBx , em que y é a variável de saída, x é a variável de entrada e A e B são constantes reais. A respeito dessa relação exponencial, julgue os seguintes itens. Se a constante B for negativa e x for positivo, quanto maior o valor de x, maior será o valor de y. ✂️ a) Certo ✂️ b) Errado Resolver questão 🗨️ Comentários 📊 Estatísticas 📁 Salvar 🧠 Mapa Mental 🏳️ Reportar erro 33Q788005 | Engenharia Elétrica, Dispositivos Eletrônicos, FUNRIOAnalisando as características de um diodo, foram escritas as seguintes observações. I) Polarizar diretamente um diodo significa aplicar um potencial em seu anodo maior que o potencial do catodo. II) Com aplicação de polarização direta em um diodo, tem-se uma redução das dimensões da região de depleção, bem como uma redução do campo elétrico e do potencial elétrico na interface entre os semicondutores tipo P e tipo N. III) Polarizar reversamente um diodo significa aplicar um potencial em seu anodo maior que o potencial do catodo. Estão corretas as observações: ✂️ a) I ✂️ b) I e II ✂️ c) II ✂️ d) I e III ✂️ e) I, II e III Resolver questão 🗨️ Comentários 📊 Estatísticas 📁 Salvar 🧠 Mapa Mental 🏳️ Reportar erro 34Q784920 | Engenharia Elétrica, Dispositivos Eletrônicos, Eletricista, Prefeitura de Bragança PA, UNAMANAS QUESTÕES NUMERADAS DE 11 A 25, ASSINALE A ÚNICA ALTERNATIVA QUE RESPONDE CORRETAMENTE AO ENUNCIADO. O fusível é um dispositivo de proteção que atua muito bem em situação de curto-circuito. O seu elemento fusível se funde, neste momento, em função de sua resistência ôhmica ter um valor: ✂️ a) igual a dos outros elementos do circuito. ✂️ b) maior que dos outros elementos do circuito. ✂️ c) infinitamente menor que dos outros elementos do circuito. ✂️ d) igual a zero. Resolver questão 🗨️ Comentários 📊 Estatísticas 📁 Salvar 🧠 Mapa Mental 🏳️ Reportar erro 35Q789436 | Engenharia Elétrica, Dispositivos Eletrônicos, Agente de Defensoria, DPE SP, FCCSobre tiristores, é correto afirmar que ✂️ a) a corrente de anodo do SCR só flui em um único sentido. ✂️ b) após o disparo do SCR, ele volta à condição de corte quando a corrente do terminal gate é interrompida. ✂️ c) o DIAC só dispara quando um pulso positivo é aplicado ao terminal gate. ✂️ d) o TRIAC é um tiristor de quatro terminais externos: dois anodos, um catodo e um gate. ✂️ e) um dos parâmetros do TRIAC é a sua corrente de disparo IH (holding current). Resolver questão 🗨️ Comentários 📊 Estatísticas 📁 Salvar 🧠 Mapa Mental 🏳️ Reportar erro 36Q788840 | Engenharia Elétrica, Dispositivos Eletrônicos, Analista em Infraestrutura, DNIT, FJPFO IGBT, ou transistor bipolar de porta isolada é um dispositivo que está sendo amplamente utilizado em inversores comerciais. A respeito do IGBT, NÃO é correto afirmar que: ✂️ a) o IGBT apresenta a característica de baixa queda de tensão no estado ligado, como o transistor bipolar (BJT) ✂️ b) a velocidade de chaveamento do IGBT é menor do que a do BJT ✂️ c) o disparo do IGBT é realizado pela aplicação de um pulso de corrente na porta ✂️ d) a capacidade de bloqueio para tensões inversas do IGBT é muito ruim ✂️ e) atualmente existem IGBTs que apresentam corrente nominal de 1kA Resolver questão 🗨️ Comentários 📊 Estatísticas 📁 Salvar 🧠 Mapa Mental 🏳️ Reportar erro 37Q781561 | Engenharia de Telecomunicações, Dispositivos Eletrônicos, Técnico Judiciário, TRF 2a, FCCCaracteriza corretamente um transistor bipolar NPN de silício: ✂️ a) for superior a 0,6 V, ele opera na região de corte. ✂️ b) for inferior a 0,6 V, ele opera entre as regiões ativa e de saturação. ✂️ c) Para operar na região ativa, a tensão VCB não deve ser reversa. ✂️ d) A corrente de coletor é maior que a corrente de base. ✂️ e) A corrente de emissor controla a corrente de base. Resolver questão 🗨️ Comentários 📊 Estatísticas 📁 Salvar 🧠 Mapa Mental 🏳️ Reportar erro 38Q788934 | Engenharia Elétrica, Dispositivos Eletrônicos, Analista em Infraestrutura, DNIT, FJPFOs retificadores trifásicos não controlados são muito utilizados em subestações retificadoras de sistemas ferroviários e metroviários. Sobre o retificador trifásico não controlado, é correto afirmar que: ✂️ a) o retificador pode utilizar 3, 6 ou 12 diodos ✂️ b) o rendimento total de um retificador trifásico é menor que o de um retificador monofásico ✂️ c) no retificador trifásico cada diodo conduz por 60o ✂️ d) a ondulação na corrente da carga conectada ao retificador aumenta com o aumento da indutância da carga ✂️ e) a tensa média na carga conectada ao retificador trifásico é sempre maior que o valor de pico da tensão de linha Resolver questão 🗨️ Comentários 📊 Estatísticas 📁 Salvar 🧠 Mapa Mental 🏳️ Reportar erro 39Q781868 | Engenharia de Telecomunicações, Dispositivos Eletrônicos, Pesquisador em Propriedade Industrial, INPI, CESPE CEBRASPERecentes inovações no campo da optoeletrônica aplicada no desenvolvimento de dispositivos e equipamentos ópticos e de baixa potência têm sido empregadas na iluminação pública, na sinalização de trânsito e nas lâmpadas decorativas e residenciais. A respeito desse assunto, julgue os itens subsequentes. O LED tem sido usado na indústria de equipamentos eletrônicos como alternativa às lâmpadas incandescentes, em virtude das suas características de utilização em baixa tensão, vida longa e rápido chaveamento liga-desliga. ✂️ a) Certo ✂️ b) Errado Resolver questão 🗨️ Comentários 📊 Estatísticas 📁 Salvar 🧠 Mapa Mental 🏳️ Reportar erro 40Q787293 | Engenharia Elétrica, Dispositivos Eletrônicos, FUNRIODurante um estudo de caracterização de um MOSFET, foram utilizados 2 (dois) equipamentos para controlar a tensão entre porta e fonte (VGS) e entre dreno e fonte (VDS). Tais equipamentos permitem medir a corrente fornecida, e, desta forma, foi medida a corrente entre dreno e fonte (IDS). Com este esquema de testes, VDS foi mantido fixo a 0,1V e variou-se VGS medindo-se IDS. Os pontos resultantes foram marcados em um gráfico (abscissa VGS e ordenada IDS) e foi traçada a reta tangente à curva com maior inclinação com relação ao eixo horizontal. O ponto de interseção da extrapolação desta reta com o eixo horizontal determina para este transistor a: ✂️ a) Tensão de limiar. ✂️ b) Região de operação. ✂️ c) Tensão de Early. ✂️ d) Mobilidade. ✂️ e) Corrente de sub-limiar. Resolver questão 🗨️ Comentários 📊 Estatísticas 📁 Salvar 🧠 Mapa Mental 🏳️ Reportar erro 🖨️ Baixar PDF← AnteriorPróximo →
21Q785413 | Engenharia Elétrica, Dispositivos Eletrônicos, Engenheiro, Ministério da Saúde, CESPE CEBRASPEO domínio da eletrônica industrial pode ser subdividido em eletrônica de potência e eletrônica de regulação e comando. A eletrônica de potência é a aplicação de dispositivos semicondutores em sistemas elétricos de potência. Por meio dos dispositivos semicondutores de potência, associados a outros circuitos eletrônicos, podem-se acionar e controlar diversos tipos de cargas industriais. A amplificação da potência e a potência dos dispositivos envolvidos são preponderantes. A partir do texto acima, julgue os itens a seguir. SCR, LASCR, LTT, TRIAC, DIAC, GTO, GVT e MCT são dispositivos semicondutores de potência. ✂️ a) Certo ✂️ b) Errado Resolver questão 🗨️ Comentários 📊 Estatísticas 📁 Salvar 🧠 Mapa Mental 🏳️ Reportar erro
22Q785425 | Engenharia Elétrica, Dispositivos Eletrônicos, FUNRIOAo realizar alguns testes em um transistor MOS desconhecido, um engenheiro conectou o terminal fonte ao terra e o terminal dreno a uma tensão positiva de forma que VDS>0. O terminal de porta também foi aterrado, fazendo VGS = 0. Variando VDS, conseguiu medir diferentes valores de corrente entre dreno e fonte (IDS), encontrando uma curva esperada para transistores MOS. Com estas informações, é possível afirmar que este transistor: ✂️ a) Não está funcionando corretamente. ✂️ b) É um MOSFET canal N tipo enriquecimento. ✂️ c) É um MOSFET canal P tipo enriquecimento. ✂️ d) É um MOSFET canal N tipo depleção. ✂️ e) É um MOSFET canal P tipo depleção. Resolver questão 🗨️ Comentários 📊 Estatísticas 📁 Salvar 🧠 Mapa Mental 🏳️ Reportar erro
23Q786054 | Engenharia Elétrica, Dispositivos Eletrônicos, Técnico de Operação e Controle, CESAN ES, CESPE CEBRASPEDisjuntores de potência são utilizados para a manobra e a proteção de circuitos primários de distribuição. Com relação a esses dispositivos, julgue os itens a seguir. Quanto ao tipo de construção, esses equipamentos são montados dentro de caixa moldada em poliéster ou fibra de vidro. Em caso de defeito, são descartáveis. ✂️ a) Certo ✂️ b) Errado Resolver questão 🗨️ Comentários 📊 Estatísticas 📁 Salvar 🧠 Mapa Mental 🏳️ Reportar erro
24Q784899 | Engenharia Elétrica, Dispositivos Eletrônicos, Engenheiro, Tribunal de Justiça MG, FUNDEP UFMGUm disjuntor termomagnético cuja corrente nominal é 10A atua imediatamente na seguinte situação: ✂️ a) corrente na carga igual a 15 A. ✂️ b) sobrecarga severa. ✂️ c) sobretensão de 160% da tensão nominal. ✂️ d) transitório de corrente de 160% da corrente nominal. Resolver questão 🗨️ Comentários 📊 Estatísticas 📁 Salvar 🧠 Mapa Mental 🏳️ Reportar erro
25Q790149 | Engenharia Elétrica, Dispositivos Eletrônicos, Técnico de Projetos Júnior, Petrobras, CESGRANRIOAnalisando-se as caracaterísticas e funcionalidades de um amplificador operacional, afirma-se que: ✂️ a) apresenta em seu circuito intrínseco realimentação de tensão produzindo ganho de tensão elevado e estabilizado. ✂️ b) apresenta grande impedância de entrada e saída. ✂️ c) o sinal de saída, independentemente da entrada utilizada, apresenta-se sempre invertido ao sinal de entrada. ✂️ d) a banda passante é muito pequena dificultando os projetos. ✂️ e) não pode ser usado em amplificadores de sinal de vídeo. Resolver questão 🗨️ Comentários 📊 Estatísticas 📁 Salvar 🧠 Mapa Mental 🏳️ Reportar erro
26Q789449 | Engenharia Elétrica, Dispositivos Eletrônicos, Técnico de Projetos Júnior, Petrobras, CESGRANRIOOs transmissores digitais ✂️ a) necessitam que os instrumentos sejam ligados ponto a ponto. ✂️ b) apresentam baixa velocidade de transmissão de dados. ✂️ c) permitem fazer o diagnóstico de falha em qualquer ponto da malha. ✂️ d) enviam sinais digitais, informações, para um receptor, a partir do qual são modulados e padronizados. ✂️ e) permitem, através do uso de vários protocolos, a conexão de equipamentos de fabricantes diferentes. Resolver questão 🗨️ Comentários 📊 Estatísticas 📁 Salvar 🧠 Mapa Mental 🏳️ Reportar erro
27Q788393 | Engenharia Elétrica, Dispositivos Eletrônicos, Analista Judiciário, TRT 8a, FCCEm sistemas de comando de motor trifásico, é comum o uso de um dispositivo composto dos seguintes elementos: - um contato auxiliar (NA + NF); - um botão de regulagem de corrente de desarme; - um botão de rearme de ação manual; - três bimetais. Trata-se de um dispositivo de ✂️ a) comando denominado relé de tempo com retardo no desligamento. ✂️ b) comando denominado contador de impulsos. ✂️ c) comando denominado contator. ✂️ d) proteção denominado disjuntor termomagnético. ✂️ e) proteção denominado relé térmico. Resolver questão 🗨️ Comentários 📊 Estatísticas 📁 Salvar 🧠 Mapa Mental 🏳️ Reportar erro
28Q786455 | Engenharia Elétrica, Dispositivos Eletrônicos, FUNRIOOs dispositivos semicondutores são formados por diversos tipos de junção. Um destes tipos de junção é a chamada junção PN. O componente formado, basicamente, por uma junção PN é o ✂️ a) Capacitor MOS. ✂️ b) Resistor. ✂️ c) Diodo. ✂️ d) MOSFET tipo P. ✂️ e) BJT. Resolver questão 🗨️ Comentários 📊 Estatísticas 📁 Salvar 🧠 Mapa Mental 🏳️ Reportar erro
29Q785059 | Engenharia Elétrica, Dispositivos Eletrônicos, Engenheiro, TJ PE, SUSTENTERelativamente aos transistores bipolares, é INCORRETO afirmar ✂️ a) Trabalha com alta potência. ✂️ b) A resistência entre base e emissor é maior que entre base e coletor. ✂️ c) Funciona em alta freqüência. ✂️ d) É excitado por corrente. ✂️ e) Possui menor resistência entre coletor e emissor, quando em saturação. Resolver questão 🗨️ Comentários 📊 Estatísticas 📁 Salvar 🧠 Mapa Mental 🏳️ Reportar erro
30Q781959 | Engenharia de Telecomunicações, Dispositivos Eletrônicos, Pesquisador em Propriedade Industrial, INPI, CESPE CEBRASPENo que se refere a transistores de junção, julgue os itens a seguir. Na operação de um transistor em região linear, para se obter ganho de corrente entre o que é injetado na base e o que trafega entre emissor e coletor, a junção entre emissor e base precisa ser polarizada diretamente e a junção base e coletor, polarizada inversamente. ✂️ a) Certo ✂️ b) Errado Resolver questão 🗨️ Comentários 📊 Estatísticas 📁 Salvar 🧠 Mapa Mental 🏳️ Reportar erro
31Q785938 | Engenharia Elétrica, Dispositivos Eletrônicos, Câmara dos Deputados, CESPE CEBRASPEA diversidade de sistemas no-breaks disponível no mercado requer do engenheiro um conhecimento sólido sobre as principais vantagens e desvantagens das topologias existentes, que possibilite a escolha certa para uma aplicação específica. A respeito das características dos principais sistemas no-breaks, julgue os itens de 150 a 156. Durante operação normal da fonte primária, em termos de eficiência energética, a topologia online delta-conversion apresenta desempenho superior à topologia online dupla conversão. ✂️ a) Certo ✂️ b) Errado Resolver questão 🗨️ Comentários 📊 Estatísticas 📁 Salvar 🧠 Mapa Mental 🏳️ Reportar erro
32Q784295 | Engenharia Elétrica, Dispositivos Eletrônicos, Técnico 2, Ministério da Ciência e Tecnologia, CESPE CEBRASPEOs modelos de alguns dispositivos eletrônicos apresentam uma relação entre a grandeza de entrada e a de saída do tipo y = AeBx , em que y é a variável de saída, x é a variável de entrada e A e B são constantes reais. A respeito dessa relação exponencial, julgue os seguintes itens. Se a constante B for negativa e x for positivo, quanto maior o valor de x, maior será o valor de y. ✂️ a) Certo ✂️ b) Errado Resolver questão 🗨️ Comentários 📊 Estatísticas 📁 Salvar 🧠 Mapa Mental 🏳️ Reportar erro
33Q788005 | Engenharia Elétrica, Dispositivos Eletrônicos, FUNRIOAnalisando as características de um diodo, foram escritas as seguintes observações. I) Polarizar diretamente um diodo significa aplicar um potencial em seu anodo maior que o potencial do catodo. II) Com aplicação de polarização direta em um diodo, tem-se uma redução das dimensões da região de depleção, bem como uma redução do campo elétrico e do potencial elétrico na interface entre os semicondutores tipo P e tipo N. III) Polarizar reversamente um diodo significa aplicar um potencial em seu anodo maior que o potencial do catodo. Estão corretas as observações: ✂️ a) I ✂️ b) I e II ✂️ c) II ✂️ d) I e III ✂️ e) I, II e III Resolver questão 🗨️ Comentários 📊 Estatísticas 📁 Salvar 🧠 Mapa Mental 🏳️ Reportar erro
34Q784920 | Engenharia Elétrica, Dispositivos Eletrônicos, Eletricista, Prefeitura de Bragança PA, UNAMANAS QUESTÕES NUMERADAS DE 11 A 25, ASSINALE A ÚNICA ALTERNATIVA QUE RESPONDE CORRETAMENTE AO ENUNCIADO. O fusível é um dispositivo de proteção que atua muito bem em situação de curto-circuito. O seu elemento fusível se funde, neste momento, em função de sua resistência ôhmica ter um valor: ✂️ a) igual a dos outros elementos do circuito. ✂️ b) maior que dos outros elementos do circuito. ✂️ c) infinitamente menor que dos outros elementos do circuito. ✂️ d) igual a zero. Resolver questão 🗨️ Comentários 📊 Estatísticas 📁 Salvar 🧠 Mapa Mental 🏳️ Reportar erro
35Q789436 | Engenharia Elétrica, Dispositivos Eletrônicos, Agente de Defensoria, DPE SP, FCCSobre tiristores, é correto afirmar que ✂️ a) a corrente de anodo do SCR só flui em um único sentido. ✂️ b) após o disparo do SCR, ele volta à condição de corte quando a corrente do terminal gate é interrompida. ✂️ c) o DIAC só dispara quando um pulso positivo é aplicado ao terminal gate. ✂️ d) o TRIAC é um tiristor de quatro terminais externos: dois anodos, um catodo e um gate. ✂️ e) um dos parâmetros do TRIAC é a sua corrente de disparo IH (holding current). Resolver questão 🗨️ Comentários 📊 Estatísticas 📁 Salvar 🧠 Mapa Mental 🏳️ Reportar erro
36Q788840 | Engenharia Elétrica, Dispositivos Eletrônicos, Analista em Infraestrutura, DNIT, FJPFO IGBT, ou transistor bipolar de porta isolada é um dispositivo que está sendo amplamente utilizado em inversores comerciais. A respeito do IGBT, NÃO é correto afirmar que: ✂️ a) o IGBT apresenta a característica de baixa queda de tensão no estado ligado, como o transistor bipolar (BJT) ✂️ b) a velocidade de chaveamento do IGBT é menor do que a do BJT ✂️ c) o disparo do IGBT é realizado pela aplicação de um pulso de corrente na porta ✂️ d) a capacidade de bloqueio para tensões inversas do IGBT é muito ruim ✂️ e) atualmente existem IGBTs que apresentam corrente nominal de 1kA Resolver questão 🗨️ Comentários 📊 Estatísticas 📁 Salvar 🧠 Mapa Mental 🏳️ Reportar erro
37Q781561 | Engenharia de Telecomunicações, Dispositivos Eletrônicos, Técnico Judiciário, TRF 2a, FCCCaracteriza corretamente um transistor bipolar NPN de silício: ✂️ a) for superior a 0,6 V, ele opera na região de corte. ✂️ b) for inferior a 0,6 V, ele opera entre as regiões ativa e de saturação. ✂️ c) Para operar na região ativa, a tensão VCB não deve ser reversa. ✂️ d) A corrente de coletor é maior que a corrente de base. ✂️ e) A corrente de emissor controla a corrente de base. Resolver questão 🗨️ Comentários 📊 Estatísticas 📁 Salvar 🧠 Mapa Mental 🏳️ Reportar erro
38Q788934 | Engenharia Elétrica, Dispositivos Eletrônicos, Analista em Infraestrutura, DNIT, FJPFOs retificadores trifásicos não controlados são muito utilizados em subestações retificadoras de sistemas ferroviários e metroviários. Sobre o retificador trifásico não controlado, é correto afirmar que: ✂️ a) o retificador pode utilizar 3, 6 ou 12 diodos ✂️ b) o rendimento total de um retificador trifásico é menor que o de um retificador monofásico ✂️ c) no retificador trifásico cada diodo conduz por 60o ✂️ d) a ondulação na corrente da carga conectada ao retificador aumenta com o aumento da indutância da carga ✂️ e) a tensa média na carga conectada ao retificador trifásico é sempre maior que o valor de pico da tensão de linha Resolver questão 🗨️ Comentários 📊 Estatísticas 📁 Salvar 🧠 Mapa Mental 🏳️ Reportar erro
39Q781868 | Engenharia de Telecomunicações, Dispositivos Eletrônicos, Pesquisador em Propriedade Industrial, INPI, CESPE CEBRASPERecentes inovações no campo da optoeletrônica aplicada no desenvolvimento de dispositivos e equipamentos ópticos e de baixa potência têm sido empregadas na iluminação pública, na sinalização de trânsito e nas lâmpadas decorativas e residenciais. A respeito desse assunto, julgue os itens subsequentes. O LED tem sido usado na indústria de equipamentos eletrônicos como alternativa às lâmpadas incandescentes, em virtude das suas características de utilização em baixa tensão, vida longa e rápido chaveamento liga-desliga. ✂️ a) Certo ✂️ b) Errado Resolver questão 🗨️ Comentários 📊 Estatísticas 📁 Salvar 🧠 Mapa Mental 🏳️ Reportar erro
40Q787293 | Engenharia Elétrica, Dispositivos Eletrônicos, FUNRIODurante um estudo de caracterização de um MOSFET, foram utilizados 2 (dois) equipamentos para controlar a tensão entre porta e fonte (VGS) e entre dreno e fonte (VDS). Tais equipamentos permitem medir a corrente fornecida, e, desta forma, foi medida a corrente entre dreno e fonte (IDS). Com este esquema de testes, VDS foi mantido fixo a 0,1V e variou-se VGS medindo-se IDS. Os pontos resultantes foram marcados em um gráfico (abscissa VGS e ordenada IDS) e foi traçada a reta tangente à curva com maior inclinação com relação ao eixo horizontal. O ponto de interseção da extrapolação desta reta com o eixo horizontal determina para este transistor a: ✂️ a) Tensão de limiar. ✂️ b) Região de operação. ✂️ c) Tensão de Early. ✂️ d) Mobilidade. ✂️ e) Corrente de sub-limiar. Resolver questão 🗨️ Comentários 📊 Estatísticas 📁 Salvar 🧠 Mapa Mental 🏳️ Reportar erro