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Questões de Concursos Dispositivos Eletrônicos

Resolva questões de Dispositivos Eletrônicos comentadas com gabarito, online ou em PDF, revisando rapidamente e fixando o conteúdo de forma prática.


21Q785413 | Engenharia Elétrica, Dispositivos Eletrônicos, Engenheiro, Ministério da Saúde, CESPE CEBRASPE

O domínio da eletrônica industrial pode ser subdividido em eletrônica de potência e eletrônica de regulação e comando. A eletrônica de potência é a aplicação de dispositivos semicondutores em sistemas elétricos de potência. Por meio dos dispositivos semicondutores de potência, associados a outros circuitos eletrônicos, podem-se acionar e controlar diversos tipos de cargas industriais. A amplificação da potência e a potência dos dispositivos envolvidos são preponderantes.

A partir do texto acima, julgue os itens a seguir.

SCR, LASCR, LTT, TRIAC, DIAC, GTO, GVT e MCT são dispositivos semicondutores de potência.

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22Q785425 | Engenharia Elétrica, Dispositivos Eletrônicos, FUNRIO

Ao realizar alguns testes em um transistor MOS desconhecido, um engenheiro conectou o terminal fonte ao terra e o terminal dreno a uma tensão positiva de forma que VDS>0. O terminal de porta também foi aterrado, fazendo VGS = 0. Variando VDS, conseguiu medir diferentes valores de corrente entre dreno e fonte (IDS), encontrando uma curva esperada para transistores MOS. Com estas informações, é possível afirmar que este transistor:
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23Q786054 | Engenharia Elétrica, Dispositivos Eletrônicos, Técnico de Operação e Controle, CESAN ES, CESPE CEBRASPE

Disjuntores de potência são utilizados para a manobra e a proteção de circuitos primários de distribuição. Com relação a esses dispositivos, julgue os itens a seguir.

Quanto ao tipo de construção, esses equipamentos são montados dentro de caixa moldada em poliéster ou fibra de vidro. Em caso de defeito, são descartáveis.

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24Q784899 | Engenharia Elétrica, Dispositivos Eletrônicos, Engenheiro, Tribunal de Justiça MG, FUNDEP UFMG

Um disjuntor termomagnético cuja corrente nominal é 10A atua imediatamente na seguinte situação:

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25Q790149 | Engenharia Elétrica, Dispositivos Eletrônicos, Técnico de Projetos Júnior, Petrobras, CESGRANRIO

Analisando-se as caracaterísticas e funcionalidades de um amplificador operacional, afirma-se que:
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26Q789449 | Engenharia Elétrica, Dispositivos Eletrônicos, Técnico de Projetos Júnior, Petrobras, CESGRANRIO

Os transmissores digitais
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27Q788393 | Engenharia Elétrica, Dispositivos Eletrônicos, Analista Judiciário, TRT 8a, FCC

Em sistemas de comando de motor trifásico, é comum o uso de um dispositivo composto dos seguintes elementos:

- um contato auxiliar (NA + NF);

- um botão de regulagem de corrente de desarme;

- um botão de rearme de ação manual;

- três bimetais.

Trata-se de um dispositivo de

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28Q786455 | Engenharia Elétrica, Dispositivos Eletrônicos, FUNRIO

Os dispositivos semicondutores são formados por diversos tipos de junção. Um destes tipos de junção é a chamada junção PN. O componente formado, basicamente, por uma junção PN é o
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29Q785059 | Engenharia Elétrica, Dispositivos Eletrônicos, Engenheiro, TJ PE, SUSTENTE

Relativamente aos transistores bipolares, é INCORRETO afirmar

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30Q781959 | Engenharia de Telecomunicações, Dispositivos Eletrônicos, Pesquisador em Propriedade Industrial, INPI, CESPE CEBRASPE

No que se refere a transistores de junção, julgue os itens a seguir.

Na operação de um transistor em região linear, para se obter ganho de corrente entre o que é injetado na base e o que trafega entre emissor e coletor, a junção entre emissor e base precisa ser polarizada diretamente e a junção base e coletor, polarizada inversamente.

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31Q785938 | Engenharia Elétrica, Dispositivos Eletrônicos, Câmara dos Deputados, CESPE CEBRASPE

A diversidade de sistemas no-breaks disponível no mercado requer do engenheiro um conhecimento sólido sobre as principais vantagens e desvantagens das topologias existentes, que possibilite a escolha certa para uma aplicação específica. A respeito das características dos principais sistemas no-breaks, julgue os itens de 150 a 156.

Durante operação normal da fonte primária, em termos de eficiência energética, a topologia online delta-conversion apresenta desempenho superior à topologia online dupla conversão.

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32Q784295 | Engenharia Elétrica, Dispositivos Eletrônicos, Técnico 2, Ministério da Ciência e Tecnologia, CESPE CEBRASPE

Os modelos de alguns dispositivos eletrônicos apresentam uma relação entre a grandeza de entrada e a de saída do tipo y = AeBx , em que y é a variável de saída, x é a variável de entrada e A e B são constantes reais. A respeito dessa relação exponencial, julgue os seguintes itens.

Se a constante B for negativa e x for positivo, quanto maior o valor de x, maior será o valor de y.

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33Q788005 | Engenharia Elétrica, Dispositivos Eletrônicos, FUNRIO

Analisando as características de um diodo, foram escritas as seguintes observações. I) Polarizar diretamente um diodo significa aplicar um potencial em seu anodo maior que o potencial do catodo. II) Com aplicação de polarização direta em um diodo, tem-se uma redução das dimensões da região de depleção, bem como uma redução do campo elétrico e do potencial elétrico na interface entre os semicondutores tipo P e tipo N. III) Polarizar reversamente um diodo significa aplicar um potencial em seu anodo maior que o potencial do catodo. Estão corretas as observações:
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34Q784920 | Engenharia Elétrica, Dispositivos Eletrônicos, Eletricista, Prefeitura de Bragança PA, UNAMA

NAS QUESTÕES NUMERADAS DE 11 A 25, ASSINALE A ÚNICA ALTERNATIVA QUE RESPONDE CORRETAMENTE AO ENUNCIADO.

O fusível é um dispositivo de proteção que atua muito bem em situação de curto-circuito. O seu elemento fusível se funde, neste momento, em função de sua resistência ôhmica ter um valor:

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35Q789436 | Engenharia Elétrica, Dispositivos Eletrônicos, Agente de Defensoria, DPE SP, FCC

Sobre tiristores, é correto afirmar que

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36Q788840 | Engenharia Elétrica, Dispositivos Eletrônicos, Analista em Infraestrutura, DNIT, FJPF

O IGBT, ou transistor bipolar de porta isolada é um dispositivo que está sendo amplamente utilizado em inversores comerciais. A respeito do IGBT, NÃO é correto afirmar que:

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37Q781561 | Engenharia de Telecomunicações, Dispositivos Eletrônicos, Técnico Judiciário, TRF 2a, FCC

Caracteriza corretamente um transistor bipolar NPN de silício:

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38Q788934 | Engenharia Elétrica, Dispositivos Eletrônicos, Analista em Infraestrutura, DNIT, FJPF

Os retificadores trifásicos não controlados são muito utilizados em subestações retificadoras de sistemas ferroviários e metroviários. Sobre o retificador trifásico não controlado, é correto afirmar que:

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39Q781868 | Engenharia de Telecomunicações, Dispositivos Eletrônicos, Pesquisador em Propriedade Industrial, INPI, CESPE CEBRASPE

Recentes inovações no campo da optoeletrônica aplicada no desenvolvimento de dispositivos e equipamentos ópticos e de baixa potência têm sido empregadas na iluminação pública, na sinalização de trânsito e nas lâmpadas decorativas e residenciais. A respeito desse assunto, julgue os itens subsequentes.

O LED tem sido usado na indústria de equipamentos eletrônicos como alternativa às lâmpadas incandescentes, em virtude das suas características de utilização em baixa tensão, vida longa e rápido chaveamento liga-desliga.

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40Q787293 | Engenharia Elétrica, Dispositivos Eletrônicos, FUNRIO

Durante um estudo de caracterização de um MOSFET, foram utilizados 2 (dois) equipamentos para controlar a tensão entre porta e fonte (VGS) e entre dreno e fonte (VDS). Tais equipamentos permitem medir a corrente fornecida, e, desta forma, foi medida a corrente entre dreno e fonte (IDS). Com este esquema de testes, VDS foi mantido fixo a 0,1V e variou-se VGS medindo-se IDS. Os pontos resultantes foram marcados em um gráfico (abscissa VGS e ordenada IDS) e foi traçada a reta tangente à curva com maior inclinação com relação ao eixo horizontal. O ponto de interseção da extrapolação desta reta com o eixo horizontal determina para este transistor a:
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