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Questões de Concursos Dispositivos Eletrônicos

Resolva questões de Dispositivos Eletrônicos comentadas com gabarito, online ou em PDF, revisando rapidamente e fixando o conteúdo de forma prática.


82Q781998 | Engenharia de Telecomunicações, Dispositivos Eletrônicos, FUNRIO

Os disparos parasitários ou latch-ups constituem um tipo particular de curto-circuito criado inadvertidamente em circuitos integrados pelo estabelecimento de um caminho de baixa impedância entre os trilhos de alimentação do circuito do MOSFET (transistor de efeito de campo tipo metal-óxido-semicondutor). A estrutura parasita estabelecida pelo latch-up é equivalente ao seguinte tiristor:
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83Q788555 | Engenharia Elétrica, Dispositivos Eletrônicos, Técnico de Operação, Companhia Espírito Santense de Saneamento ES, CESPE CEBRASPE

Disjuntores de potência são utilizados para a manobra e a proteção de circuitos primários de distribuição. Com relação a esses dispositivos, julgue os itens a seguir.

Disjuntores de potência são capazes de interromper elevadas potências de curto-circuito durante a ocorrência de uma falta do tipo curto-circuito.

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84Q785326 | Engenharia Elétrica, Dispositivos Eletrônicos, Câmara dos Deputados, CESPE CEBRASPE

A diversidade de sistemas no-breaks disponível no mercado requer do engenheiro um conhecimento sólido sobre as principais vantagens e desvantagens das topologias existentes, que possibilite a escolha certa para uma aplicação específica. A respeito das características dos principais sistemas no-breaks, julgue os itens de 150 a 156.

Cargas como, por exemplo, a fonte de computadores modernos (com fontes de alimentação com correção do fator de potência) são potenciais causadoras de instabilidade na operação de no-breaks com topologia stand-by-ferro ressonante. Essa é uma das razões por que esse tipo de no-break não é mais comumente utilizado.

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85Q785837 | Engenharia Elétrica, Dispositivos Eletrônicos, FUNRIO

No escalamento da tecnologia CMOS, que dimensões dos transistores MOS seguem a tendência de redução?
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86Q786219 | Engenharia Elétrica, Dispositivos Eletrônicos, Engenheiro, INB, CONSULPLAN

Os transformadores são projetados conforme as normas da ABNT, para altitudes de até 1.000 m acima do nível do mar. Em altitudes superiores, o transformador terá sua capacidade:
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87Q787505 | Engenharia Elétrica, Dispositivos Eletrônicos, Eletricista, Prefeitura de Bragança PA, UNAMA

NAS QUESTÕES NUMERADAS DE 11 A 25, ASSINALE A ÚNICA ALTERNATIVA QUE RESPONDE CORRETAMENTE AO ENUNCIADO.

Um tipo muito comum de transdutor de temperatura é o termistor, sobre o qual é correto afirmar:

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88Q789666 | Engenharia Elétrica, Dispositivos Eletrônicos, Analista Judiciário, TRF 3a, FCC

As chaves seccionadoras de média tensão
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89Q786578 | Engenharia Elétrica, Dispositivos Eletrônicos, Analista de Trânsito, DETRAN DF, CESPE CEBRASPE

É uma chave eletrônica destinada ao comando de motores de CA, assegurando a aceleração e desaceleração progressivas, além de permitir uma adaptação da velocidade do eixo do motor às condições de operação. Julgue o item seguinte a respeito desse equipamento.

A descrição corresponde a um tiristor SCR ligado em série com um TRIAC, composição esta muito utilizada como chave para a partida de motores, principalmente se a corrente de partida solicitada é superior a 100 A.

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91Q788365 | Engenharia Elétrica, Dispositivos Eletrônicos, Engenheiro, TJ PE, SUSTENTE

Considere o conjunto a seguir relativo às formas de disparo de tiristores:

I. Para valores elevados de tensão entre o anodo e o catodo, é possível iniciar um processo de avalanche e disparar o tiristor.

II. Com uma elevada taxa de crescimento da tensão direta dV/dt, o tiristor pode disparar.

III. Com altas temperaturas, a corrente de fuga numa junção PN reversamente polarizada dobra, aproximadamente, com o aumento de 8 °C, fazendo com que haja uma corrente através da junção NP central suficiente para levar o tiristor à condução.

IV. O método menos usual de disparo do tiristor é através da corrente positiva de porta.

V. O método mais usual é através da energia radiante dentro da banda espectral do silício, incidindo e penetrando no cristal, aumentando a corrente de fuga reversa, que possibilita a condução do tiristor.

Está correto apenas o que se afirma em:

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93Q786564 | Engenharia Elétrica, Dispositivos Eletrônicos, Engenheiro Eletricista, CEFET RJ, CESGRANRIO

Um tipo de dispositivo elétrico que tem massa normalmente distribuída com média 60 g e desvio padrão 12 g é acondicionado em embalagens de 3 dúzias. A probabilidade de a massa de 3 dúzias ser superior a 2.250 g, aproximadamente, é de
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94Q787595 | Engenharia Elétrica, Dispositivos Eletrônicos, Analista Judiciário, TRF 2a, FCC

Considere as proposições relativas ao MOSFET, cujos terminais são: G (gate), D (drain) e S (source).

I. A impedância de entrada é baixa.

II. Aceita tensão VGS positiva e negativa para controle da corrente ID apenas se for MOSFET de depleção.

III. É largamente empregado na fabricação de circuitos integrados por permitir a construção de circuitos mais complexos em áreas menores e por ter um baixo consumo de potência.

Está correto o que se afirma APENAS em

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95Q788207 | Engenharia Elétrica, Dispositivos Eletrônicos, Assistente de Controle Externo, TCE TO, CESPE CEBRASPE

Algumas situações de emergência requerem desligamento imediato do equipamento. Assinale a opção incorreta acerca de possíveis situações de emergência características de um transformador de potência.

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96Q787750 | Engenharia Elétrica, Dispositivos Eletrônicos, Técnico Judiciário, TRE PB, FCC

Os sistemas elétricos de aquecimento utilizam, comumente para interromper a corrente da resistência elétrica em uma temperatura predeterminada, um dispositivo eletromecânico ajustável denominado

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97Q789130 | Engenharia Elétrica, Dispositivos Eletrônicos, Engenheiro, PBGÁS PB, FCC

BVCEO é uma especificação do transistor que corresponde à tensão

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98Q788984 | Engenharia Elétrica, Dispositivos Eletrônicos, FUNRIO

Para a inserção de capacitores em circuitos integrados, alguns tipos de estruturas são possíveis. Um destes tipos é o capacitor MOS. Analisando-se um capacitor MOS, pode-se afirmar que sua capacitância
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99Q788023 | Engenharia Elétrica, Dispositivos Eletrônicos, Técnico 2, MCT, CESPE CEBRASPE

Os modelos de alguns dispositivos eletrônicos apresentam uma relação entre a grandeza de entrada e a de saída do tipo y = AeBx , em que y é a variável de saída, x é a variável de entrada e A e B são constantes reais. A respeito dessa relação exponencial, julgue os seguintes itens.

Se x = 0, então y = A.

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100Q788953 | Engenharia Elétrica, Dispositivos Eletrônicos, FUNRIO

Comparando-se os danos (defeitos) produzidos na camada superficial de material durante corrosão RIE convencional (acoplamento capacitivo) e ICP, observa-se o seguinte:
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