Questões de Concursos Eletrônica Analógica

Acerca dos transistores bipolares de junção (BJT) e dos transistores de efeito de campo (FET), julgue os itens seguintes.

O transistor MOS canal N aproxima-se de uma chave ideal nas aplicações digitais, mas degrada ligeiramente o nível lógico 0, ao passá-lo de fonte para dreno.

A respeito de dispositivos de comando em circuitos de acionamentos elétricos em uma planta industrial, julgue os próximos itens.

O funcionamento adequado de um termostato no circuito de comando depende da existência de um pressostato que fica ligado em série ao circuito de força do equipamento a ser comandado.

Um sistema equilibrado (fuga de corrente nula) apresenta, nas três fases, correntes de 

I₁ = I₂ = I₃= 33A. Vetorialmente, pode-se afirmar que a corrente no neutro é igual a:

A respeito das características e princípios de operação de diodos e diodos Zener, julgue os itens subseqüentes.

Efeito Zener é o nome dado ao seguinte fenômeno, que é a base de funcionamento do diodo de mesmo nome: pares elétron-lacuna, acelerados pelo forte campo de polarização reversa, podem adquirir energia suficiente para criar novos pares elétron-lacuna, em uma reação em cadeia que resulta em uma corrente reversa elevada.

No Sistema Internacional de Unidade, a unidade que é equivalente à relação coulomb/segundo é o

Existem diversas técnicas para a construção de placas de circuito impresso. As características da placa dependem de diversos fatores, entre eles o tipo de encapsulamento dos dispositivos a serem utilizados. A respeito de aspectos relacionados às técnicas de fabricação de placas de circuito impresso, julgue os seguintes itens.

Geralmente, em programas computacionais para desenvolvimento de leiaute de placas de circuito impresso, utilizam-se medidas de distância em milímetros e em polegadas. No caso de uso de polegadas, é comum usar, como unidade unitária, o mil, que corresponde a 1 milésimo de polegada. Assim, se a distância entre 2 terminais de um dispositivo for de 0,1 polegada, a distância será representada por 100 mils.

Dois transformadores trifásicos estão ligados em paralelo, ligação delta-estrela, tensões 13,8 kV /220 V/127 V, 60 Hz, com potência individual nominal 1.000 kVA. Cada transformador alimenta um conjunto habitacional com 25 casas, cada casa com potência instalada igual a 50 kW, em rede trifásica, com fator de demanda médio equivalente a 0,7 e fator de potência médio de 0,5, atrasado.

A partir dessas informações e considerando que os transformadores fiquem permanentemente operando para atender as cargas, julgue os itens que se seguem.

Por meio do ensaio de curto-circuito no transformador, é possível calcular os parâmetros relativos ao ramo série do circuito equivalente do transformador submetido ao ensaio.

Resistores, indutores e capacitores são componentes comumente utilizados em circuitos alimentados por corrente ou tensão alternada. Acerca de circuitos alimentados por fonte de tensão senoidal, julgue os itens seguintes.

Em um indutor ideal, a corrente fica atrasada de 90º em relação à tensão, enquanto que, em um capacitor ideal, a corrente fica adiantada de 90º em relação à tensão.

O funcionamento dos dispositivos e circuitos utilizados nas tecnologias da informação é fundamentalmente determinado pelo comportamento dos portadores de carga elétrica que os percorrem. Tais dispositivos e circuitos têm as suas funcionalidades determinadas pelo controle que exercem sobre o fluxo de carga elétrica em seu interior. O movimento de cargas elétricas em determinada região é definido pela ação de campos eletromagnéticos nela aplicados e pela interação entre essas cargas elétricas e os átomos e moléculas, isolados ou em rede organizada, presentes nessa região. A análise desse movimento, induzido pelos campos eletromagnéticos, leva à determinação de grandezas de interesse, tais como a corrente elétrica através de um dispositivo ou circuito e a potência elétrica nele dissipada. Considerando essas informações, julgue os itens seguintes, relativos à dinâmica dos elétrons em sólidos e no vácuo.

O espalhamento de portadores de carga em um dispositivo eletrônico, provocado pelas interações com os átomos do meio por onde transitam, produz, além de flutuações de velocidade, ruído e dissipação de potência.

Um transistor bipolar polarizado na configuração coletor comum tem como características

A complexidade dos circuitos com alta escala de integração implica desafios para o desenvolvimento de procedimentos de caracterização, associados à dificuldade de acesso dos dispositivos e à malha de interconexões entre eles. A evolução das tecnologias, com a conseqüente redução das dimensões de dispositivos e o aumento da densidade dos circuitos integrados desenvolvidos, tem demandado cada vez mais o desenvolvimento de procedimentos de caracterização não-destrutivos e não-invasivos. No que se refere a esse tema, julgue os itens seguintes.

O emprego da microscopia de força atômica na caracterização elétrica de dispositivos em circuitos integrados de alta densidade deve possibilitar uma avaliação precisa e não-invasiva do nível de dopagem em junções semicondutoras.

Um transformador monof¨¢sico de 127 V ¡Á 24 V - 60 VA alimenta uma carga resistiva de 48 ¦¸. A corrente no prim¨¢rio vale, aproximadamente,

Sobre o autotransformador, considere as afirmativas abaixo.

I. Ele possui apenas um enrolamento que serve simultaneamente como primário e secundário.

II. A isolação elétrica entre entrada e saída é elevada.

III. No enrolamento há duas correntes: uma fornecida pela alimentação de entrada e outra produzida por indução no segmento do secundário, quando neste houver carga.

É correto o que se afirma APENAS em:

A correção do fator de potência de um ponto da rede onde está localizada uma impedância constante:

Julgue os próximos itens, relativos à corrente drenada por uma carga submetida a uma tensão senoidal sem distorção.

Se a carga em questão for não linear, a corrente drenada por ela poderá apresentar distorção harmônica, contudo, se a carga for linear e invariável com o tempo, não haverá esse tipo de distorção.

Determinada aplicação utiliza um transistor de efeito de campo MOS (metal-óxido silício), com canal N e substrato formado por semicondutor P. Essa aplicação depende do controle da tensão porta-fonte do transistor. Assinale a opção correspondente ao fato que ocorre quando se aplica tensão porta-fonte positiva no transistor.