Início Questões de Concursos Eletrônica Analógica Resolva questões de Eletrônica Analógica comentadas com gabarito, online ou em PDF, revisando rapidamente e fixando o conteúdo de forma prática. Eletrônica Analógica Ordenar por: Mais populares Mais recentes Mais comentadas Filtrar questões: Exibir todas as questões Exibir questões resolvidas Excluir questões resolvidas Exibir questões que errei Filtrar 341Q788331 | Engenharia Elétrica, Eletrônica Analógica, FUNRIOSeja um transistor nMOS (Metal-Óxido-Semicondutor tipo “n”) com contatos de tamanho unitário em um processo de 0,6 ?m. Considere as características do transistor: capacitância de junção = 15 fF/?m2; coeficiente de gradação de junção = 0,5; distribuição periférica de capacitância = 5 fF/?m; coeficiente de gradação periférica de junção = 0,5 e potencial elétrico intrínseco à temperatura ambiente = 1 V. Assuma, ainda, que o substrato esteja aterrado e que a tensão de polarização no dreno seja VDD = 8 V. A partir das informações apresentadas, pode-se afirmar que a capacitância parasita de difusão no dreno do transistor é igual a ✂️ a) 20 fF. ✂️ b) 9 fF. ✂️ c) 180 fF. ✂️ d) 200 fF. ✂️ e) 18 fF. Resolver questão 🗨️ Comentários 📊 Estatísticas 📁 Salvar 🧠 Mapa Mental 🏳️ Reportar erro 342Q789886 | Engenharia Elétrica, Eletrônica Analógica, Professor de Classe A, SGA DF, CESPE CEBRASPEJulgue os itens subseqüentes acerca de tiristores. Tiristores são formados por quatro camadas semicondutoras e possuem três terminais. ✂️ a) Certo ✂️ b) Errado Resolver questão 🗨️ Comentários 📊 Estatísticas 📁 Salvar 🧠 Mapa Mental 🏳️ Reportar erro 343Q788375 | Engenharia Elétrica, Eletrônica Analógica, Engenheiro, Suframa AM, FUNRIOUma fonte de tensão alternada de valor eficaz 1V e ângulo de fase 0º, freqüência 60 Hz, alimenta uma carga indutiva de fator de potência 0,8 através de uma linha puramente indutiva. Com relação à potência complexa fornecida pela fonte é possível afirmar que ✂️ a) a potência reativa é nula. ✂️ b) somente a potência ativa é nula, uma vez que o ângulo de fase da tensão da fonte é nulo. ✂️ c) a potência reativa é capacitiva de modo a compensar o efeito indutivo da linha. ✂️ d) a potência ativa é 10 W com fator de potência 0,866 adiantado. ✂️ e) as potências ativa e reativa são diferentes de zero com um fator de potência indutivo. Resolver questão 🗨️ Comentários 📊 Estatísticas 📁 Salvar 🧠 Mapa Mental 🏳️ Reportar erro 344Q786865 | Engenharia Elétrica, Eletrônica Analógica, Tecnologista Júnior, MCT, CESPE CEBRASPEAcerca dos transistores bipolares de junção (BJT) e dos transistores de efeito de campo (FET), julgue os itens seguintes. Em FET, o terminal denominado porta (gate) fica eletricamente isolado do substrato. ✂️ a) Certo ✂️ b) Errado Resolver questão 🗨️ Comentários 📊 Estatísticas 📁 Salvar 🧠 Mapa Mental 🏳️ Reportar erro 345Q789958 | Engenharia Elétrica, Eletrônica Analógica, Técnico de Produção de Empresa Pública, EBC, CESPE CEBRASPEA respeito de equipamentos usados em medidas elétricas, julgue os itens seguintes. Um ohmímetro é, geralmente, um dispositivo passivo que pode funcionar sem bateria ou outra fonte de energia. ✂️ a) Certo ✂️ b) Errado Resolver questão 🗨️ Comentários 📊 Estatísticas 📁 Salvar 🧠 Mapa Mental 🏳️ Reportar erro 346Q786428 | Engenharia Elétrica, Eletrônica Analógica, Engenheiro, Suframa AM, FUNRIOA razão entre a demanda média, durante um determinado intervalo de tempo, e a demanda máxima registrada no mesmo período é chamada fator de ✂️ a) carga. ✂️ b) demanda. ✂️ c) simultaneidade. ✂️ d) perda. ✂️ e) utilização. Resolver questão 🗨️ Comentários 📊 Estatísticas 📁 Salvar 🧠 Mapa Mental 🏳️ Reportar erro 347Q785506 | Engenharia Elétrica, Eletrônica Analógica, Tecnologista Pleno 3, MCT, CESPE CEBRASPENa fabricação de circuitos integrados, que são constituídos a partir da interligação de diversos componentes construídos em um substrato comum, as interconexões físicas entre dispositivos são de extrema importância, pois o desempenho final do circuito é fortemente influenciado pelas propriedades das interconexões. A evolução tecnológica na atualidade dá-se na direção de materiais de alta condutividade, materiais dielétricos de alta e de baixa permissividade e materiais adequados à realização de contatos elétricos, entre outros. A respeito desse assunto, julgue os itens subseqüentes. A escolha de materiais para interconexões em tecnologias VLSI deve considerar, além do comportamento elétrico, o comportamento térmico, o comportamento mecânico, a reatividade química e a plasticidade, entre outros fatores. ✂️ a) Certo ✂️ b) Errado Resolver questão 🗨️ Comentários 📊 Estatísticas 📁 Salvar 🧠 Mapa Mental 🏳️ Reportar erro 348Q784368 | Engenharia Elétrica, Eletrônica Analógica, FUNRIODado o desenvolvimento de um sistema integrado VLSI, a inserção de blocos ou estruturas para facilitar o teste do circuito integrado ocorre durante: ✂️ a) a especificação do sistema. ✂️ b) o processo de síntese e mapeamento do sistema no nível de portas lógicas com a habilitação das primitivas de teste. ✂️ c) o processo de verificação e extração pós-leiaute do circuito com as primitivas de teste habilitadas. ✂️ d) a coloção do anel de pads de teste. ✂️ e) a verificação lógica e funcional visando a geração de padrões de teste. Resolver questão 🗨️ Comentários 📊 Estatísticas 📁 Salvar 🧠 Mapa Mental 🏳️ Reportar erro 349Q785140 | Engenharia Elétrica, Eletrônica Analógica, Técnico I, MCT, CESPE CEBRASPENo desenvolvimento de um circuito eletrônico para determinada aplicação, destacam-se as etapas de concepção, projeto, simulação digital, desenvolvimento da placa de circuito impresso, montagem do protótipo e ensaios elétricos e eletrônicos. Como auxílio nesse desenvolvimento, observa-se a existência de programas computacionais denominados CAD (computed aided design). Com relação a esse assunto, julgue os itens a seguir. O aplicativo SPICE pode ser utilizado para a simulação de circuitos eletrônicos. ✂️ a) Certo ✂️ b) Errado Resolver questão 🗨️ Comentários 📊 Estatísticas 📁 Salvar 🧠 Mapa Mental 🏳️ Reportar erro 350Q787111 | Engenharia Elétrica, Eletrônica Analógica, Analista de Gestão, INPI, CESPE CEBRASPESuponha que se deseja testar as condições de funcionamento de um retificador controlado de silício (SCR) que foi retirado de um circuito eletrônico por suspeita de estar danificado. Para o teste, deverá ser utilizado um ohmímetro adequadamente ajustado. No que se refere ao procedimento do teste a ser feito para atender a essa situação hipotética, julgue o item abaixo. É preciso ligar o terminal positivo do ohmímetro no ânodo e o negativo, no cátodo, mantendo-os ligados dessa forma durante o ensaio. ✂️ a) Certo ✂️ b) Errado Resolver questão 🗨️ Comentários 📊 Estatísticas 📁 Salvar 🧠 Mapa Mental 🏳️ Reportar erro 351Q785656 | Engenharia Elétrica, Eletrônica Analógica, FUNRIOAssinale a alternativa incorreta sobre DRC e/ou LVS. ✂️ a) O processo de DRC utiliza como entrada o GDSII, biblioteca de regras (Rule deck) e gate-level netlist. ✂️ b) Ambos asseguram a integridade, funcionalidade e a manufaturabilidade do chip. ✂️ c) As bibliotecas de regras (rule deck) são criadas pela foundry. ✂️ d) O LVS garante que o leiaute final tem a mesma funcionalidade do esquemático projetado. ✂️ e) DRC e LVS devem ser realizados no leiaute final do chip. Resolver questão 🗨️ Comentários 📊 Estatísticas 📁 Salvar 🧠 Mapa Mental 🏳️ Reportar erro 352Q789103 | Engenharia Elétrica, Eletrônica Analógica, FUNRIOCom relação às portas utilizadas nos transistores de efeito de campo (MOSFETs) em tecnologias CMOS padrão de vanguarda, pode-se dizer que ✂️ a) o alumínio é o metal mais comumente utilizado. ✂️ b) o silício monocristalino tipo p é o material mais comumente utilizado. ✂️ c) o silício policristalino fracamente dopado é o material mais comumente utilizado. ✂️ d) as ligas de silício com metal refratário são os materiais mais comumente utilizados. ✂️ e) o silício monocristalino tipo n é o material mais comumente utilizado. Resolver questão 🗨️ Comentários 📊 Estatísticas 📁 Salvar 🧠 Mapa Mental 🏳️ Reportar erro 353Q787153 | Engenharia Elétrica, Eletrônica Analógica, FUNRIONa fabricação de circuitos integrados, algumas estruturas de teste podem ser usadas para avaliação do processo. Analise as sentenças a seguir: I) Para a correta avaliação do processo de fabricação de um CI, é sempre necessário realizar a caracterização de um componente eletrônico. II) É possível caracterizar partes de um processo de fabricação de CIs por meio de estruturas de teste visual. III) Estruturas de inspeção visual têm como objetivo a avaliação exclusivamente qualitativa. Estão corretas as sentenças: ✂️ a) I ✂️ b) I e II ✂️ c) II ✂️ d) II e III ✂️ e) III Resolver questão 🗨️ Comentários 📊 Estatísticas 📁 Salvar 🧠 Mapa Mental 🏳️ Reportar erro 354Q785386 | Engenharia Elétrica, Eletrônica Analógica, Analista Judiciário, TRT 9a, CESPE CEBRASPEUma rede de energia elétrica secundária, em baixa tensão, trifásica, com três fases e um condutor neutro, necessita de balanceamento de suas cargas ao longo de alguns trechos. A respeito dessa situação, julgue os próximos itens. O desequilíbrio de corrente nas fases da rede secundária não provoca circulação de corrente pelo condutor neutro, porque, quando ocorre desequilíbrio de carga, ocorre também desequilíbrio de tensão na mesma rede secundária. ✂️ a) Certo ✂️ b) Errado Resolver questão 🗨️ Comentários 📊 Estatísticas 📁 Salvar 🧠 Mapa Mental 🏳️ Reportar erro 355Q784219 | Engenharia Elétrica, Eletrônica Analógica, Técnico 2, MCT, CESPE CEBRASPEExistem diversas técnicas para a construção de placas de circuito impresso. As características da placa dependem de diversos fatores, entre eles o tipo de encapsulamento dos dispositivos a serem utilizados. A respeito de aspectos relacionados às técnicas de fabricação de placas de circuito impresso, julgue os seguintes itens. Placas de fenolite e de fibra de vidro não são muito utilizadas para a confecção de placas de circuito impresso. ✂️ a) Certo ✂️ b) Errado Resolver questão 🗨️ Comentários 📊 Estatísticas 📁 Salvar 🧠 Mapa Mental 🏳️ Reportar erro 356Q789907 | Engenharia Elétrica, Eletrônica Analógica, Analista de Correios, ECT, CESPE CEBRASPEJulgue os itens que se seguem, acerca de transformadores. Transformadores elevadores em unidades geradoras são fundamentais para viabilizar transmissão de energia a longas distâncias, pois permitem reduzir as perdas por efeito Joule nas linhas de transmissão, à medida que a tensão secundária aumenta. ✂️ a) Certo ✂️ b) Errado Resolver questão 🗨️ Comentários 📊 Estatísticas 📁 Salvar 🧠 Mapa Mental 🏳️ Reportar erro 357Q784997 | Engenharia Elétrica, Eletrônica Analógica, Engenheiro, Suframa AM, FUNRIOAs componentes simétricas, de um sistema de tensões desequilibradas Va, Vb e Vc , são Va0, Va1 e Va2. Supondo Va = 120 V; Vb = j 120 V e Vc = 0, então, o valor de Va0, em Volts, é ✂️ a) 10 – j 10 ✂️ b) 10 + j 10 ✂️ c) 20 + j 20 ✂️ d) 30 – j 30 ✂️ e) 40 + j 40 Resolver questão 🗨️ Comentários 📊 Estatísticas 📁 Salvar 🧠 Mapa Mental 🏳️ Reportar erro 358Q785564 | Engenharia Elétrica, Eletrônica Analógica, Engenheiro, Prefeitura de Rio Branco AC, CESPE CEBRASPEConsiderando a situação em que determinado transistor bipolar esteja polarizado para funcionar como chave, julgue os itens subseqüentes. A corrente de emissor é utilizada para determinar a posição da chave simulada pelo transistor. ✂️ a) Certo ✂️ b) Errado Resolver questão 🗨️ Comentários 📊 Estatísticas 📁 Salvar 🧠 Mapa Mental 🏳️ Reportar erro 359Q788588 | Engenharia Elétrica, Eletrônica Analógica, Analista Ferroviário, EFCJ SPOs Transistores têm os parâmetros ? e ß, onde ? é parâmetro eficiência do transistor e é a relação entre as correntes de coletor e emissor, e ß é o ganho estático do transistor e é a relação entre as correntes de base e coletor. Assim, determine o parâmetro ? quando a corrente de emissor for IE = 2,8 mA e a corrente de base IB = 10 ?A. ✂️ a) 0,996 ✂️ b) 280 ✂️ c) 0,004 ✂️ d) 1,003 ✂️ e) 10 Resolver questão 🗨️ Comentários 📊 Estatísticas 📁 Salvar 🧠 Mapa Mental 🏳️ Reportar erro 360Q788697 | Engenharia Elétrica, Eletrônica Analógica, Analista Judiciário, TRT 21a, CESPE CEBRASPECom relação a tecnologias CMOS de fabricação de circuitos integrados, julgue o item seguinte. As portas CMOS utilizam transistores PMOS em combinação com transistores NMOS. Como esses dois tipos de transistores possuem características diferentes, é comum que os transistores PMOS e NMOS tenham dimensões distintas, de forma a compensar efeitos dessa diferença. ✂️ a) Certo ✂️ b) Errado Resolver questão 🗨️ Comentários 📊 Estatísticas 📁 Salvar 🧠 Mapa Mental 🏳️ Reportar erro 🖨️ Baixar PDF← AnteriorPróximo →
341Q788331 | Engenharia Elétrica, Eletrônica Analógica, FUNRIOSeja um transistor nMOS (Metal-Óxido-Semicondutor tipo “n”) com contatos de tamanho unitário em um processo de 0,6 ?m. Considere as características do transistor: capacitância de junção = 15 fF/?m2; coeficiente de gradação de junção = 0,5; distribuição periférica de capacitância = 5 fF/?m; coeficiente de gradação periférica de junção = 0,5 e potencial elétrico intrínseco à temperatura ambiente = 1 V. Assuma, ainda, que o substrato esteja aterrado e que a tensão de polarização no dreno seja VDD = 8 V. A partir das informações apresentadas, pode-se afirmar que a capacitância parasita de difusão no dreno do transistor é igual a ✂️ a) 20 fF. ✂️ b) 9 fF. ✂️ c) 180 fF. ✂️ d) 200 fF. ✂️ e) 18 fF. Resolver questão 🗨️ Comentários 📊 Estatísticas 📁 Salvar 🧠 Mapa Mental 🏳️ Reportar erro
342Q789886 | Engenharia Elétrica, Eletrônica Analógica, Professor de Classe A, SGA DF, CESPE CEBRASPEJulgue os itens subseqüentes acerca de tiristores. Tiristores são formados por quatro camadas semicondutoras e possuem três terminais. ✂️ a) Certo ✂️ b) Errado Resolver questão 🗨️ Comentários 📊 Estatísticas 📁 Salvar 🧠 Mapa Mental 🏳️ Reportar erro
343Q788375 | Engenharia Elétrica, Eletrônica Analógica, Engenheiro, Suframa AM, FUNRIOUma fonte de tensão alternada de valor eficaz 1V e ângulo de fase 0º, freqüência 60 Hz, alimenta uma carga indutiva de fator de potência 0,8 através de uma linha puramente indutiva. Com relação à potência complexa fornecida pela fonte é possível afirmar que ✂️ a) a potência reativa é nula. ✂️ b) somente a potência ativa é nula, uma vez que o ângulo de fase da tensão da fonte é nulo. ✂️ c) a potência reativa é capacitiva de modo a compensar o efeito indutivo da linha. ✂️ d) a potência ativa é 10 W com fator de potência 0,866 adiantado. ✂️ e) as potências ativa e reativa são diferentes de zero com um fator de potência indutivo. Resolver questão 🗨️ Comentários 📊 Estatísticas 📁 Salvar 🧠 Mapa Mental 🏳️ Reportar erro
344Q786865 | Engenharia Elétrica, Eletrônica Analógica, Tecnologista Júnior, MCT, CESPE CEBRASPEAcerca dos transistores bipolares de junção (BJT) e dos transistores de efeito de campo (FET), julgue os itens seguintes. Em FET, o terminal denominado porta (gate) fica eletricamente isolado do substrato. ✂️ a) Certo ✂️ b) Errado Resolver questão 🗨️ Comentários 📊 Estatísticas 📁 Salvar 🧠 Mapa Mental 🏳️ Reportar erro
345Q789958 | Engenharia Elétrica, Eletrônica Analógica, Técnico de Produção de Empresa Pública, EBC, CESPE CEBRASPEA respeito de equipamentos usados em medidas elétricas, julgue os itens seguintes. Um ohmímetro é, geralmente, um dispositivo passivo que pode funcionar sem bateria ou outra fonte de energia. ✂️ a) Certo ✂️ b) Errado Resolver questão 🗨️ Comentários 📊 Estatísticas 📁 Salvar 🧠 Mapa Mental 🏳️ Reportar erro
346Q786428 | Engenharia Elétrica, Eletrônica Analógica, Engenheiro, Suframa AM, FUNRIOA razão entre a demanda média, durante um determinado intervalo de tempo, e a demanda máxima registrada no mesmo período é chamada fator de ✂️ a) carga. ✂️ b) demanda. ✂️ c) simultaneidade. ✂️ d) perda. ✂️ e) utilização. Resolver questão 🗨️ Comentários 📊 Estatísticas 📁 Salvar 🧠 Mapa Mental 🏳️ Reportar erro
347Q785506 | Engenharia Elétrica, Eletrônica Analógica, Tecnologista Pleno 3, MCT, CESPE CEBRASPENa fabricação de circuitos integrados, que são constituídos a partir da interligação de diversos componentes construídos em um substrato comum, as interconexões físicas entre dispositivos são de extrema importância, pois o desempenho final do circuito é fortemente influenciado pelas propriedades das interconexões. A evolução tecnológica na atualidade dá-se na direção de materiais de alta condutividade, materiais dielétricos de alta e de baixa permissividade e materiais adequados à realização de contatos elétricos, entre outros. A respeito desse assunto, julgue os itens subseqüentes. A escolha de materiais para interconexões em tecnologias VLSI deve considerar, além do comportamento elétrico, o comportamento térmico, o comportamento mecânico, a reatividade química e a plasticidade, entre outros fatores. ✂️ a) Certo ✂️ b) Errado Resolver questão 🗨️ Comentários 📊 Estatísticas 📁 Salvar 🧠 Mapa Mental 🏳️ Reportar erro
348Q784368 | Engenharia Elétrica, Eletrônica Analógica, FUNRIODado o desenvolvimento de um sistema integrado VLSI, a inserção de blocos ou estruturas para facilitar o teste do circuito integrado ocorre durante: ✂️ a) a especificação do sistema. ✂️ b) o processo de síntese e mapeamento do sistema no nível de portas lógicas com a habilitação das primitivas de teste. ✂️ c) o processo de verificação e extração pós-leiaute do circuito com as primitivas de teste habilitadas. ✂️ d) a coloção do anel de pads de teste. ✂️ e) a verificação lógica e funcional visando a geração de padrões de teste. Resolver questão 🗨️ Comentários 📊 Estatísticas 📁 Salvar 🧠 Mapa Mental 🏳️ Reportar erro
349Q785140 | Engenharia Elétrica, Eletrônica Analógica, Técnico I, MCT, CESPE CEBRASPENo desenvolvimento de um circuito eletrônico para determinada aplicação, destacam-se as etapas de concepção, projeto, simulação digital, desenvolvimento da placa de circuito impresso, montagem do protótipo e ensaios elétricos e eletrônicos. Como auxílio nesse desenvolvimento, observa-se a existência de programas computacionais denominados CAD (computed aided design). Com relação a esse assunto, julgue os itens a seguir. O aplicativo SPICE pode ser utilizado para a simulação de circuitos eletrônicos. ✂️ a) Certo ✂️ b) Errado Resolver questão 🗨️ Comentários 📊 Estatísticas 📁 Salvar 🧠 Mapa Mental 🏳️ Reportar erro
350Q787111 | Engenharia Elétrica, Eletrônica Analógica, Analista de Gestão, INPI, CESPE CEBRASPESuponha que se deseja testar as condições de funcionamento de um retificador controlado de silício (SCR) que foi retirado de um circuito eletrônico por suspeita de estar danificado. Para o teste, deverá ser utilizado um ohmímetro adequadamente ajustado. No que se refere ao procedimento do teste a ser feito para atender a essa situação hipotética, julgue o item abaixo. É preciso ligar o terminal positivo do ohmímetro no ânodo e o negativo, no cátodo, mantendo-os ligados dessa forma durante o ensaio. ✂️ a) Certo ✂️ b) Errado Resolver questão 🗨️ Comentários 📊 Estatísticas 📁 Salvar 🧠 Mapa Mental 🏳️ Reportar erro
351Q785656 | Engenharia Elétrica, Eletrônica Analógica, FUNRIOAssinale a alternativa incorreta sobre DRC e/ou LVS. ✂️ a) O processo de DRC utiliza como entrada o GDSII, biblioteca de regras (Rule deck) e gate-level netlist. ✂️ b) Ambos asseguram a integridade, funcionalidade e a manufaturabilidade do chip. ✂️ c) As bibliotecas de regras (rule deck) são criadas pela foundry. ✂️ d) O LVS garante que o leiaute final tem a mesma funcionalidade do esquemático projetado. ✂️ e) DRC e LVS devem ser realizados no leiaute final do chip. Resolver questão 🗨️ Comentários 📊 Estatísticas 📁 Salvar 🧠 Mapa Mental 🏳️ Reportar erro
352Q789103 | Engenharia Elétrica, Eletrônica Analógica, FUNRIOCom relação às portas utilizadas nos transistores de efeito de campo (MOSFETs) em tecnologias CMOS padrão de vanguarda, pode-se dizer que ✂️ a) o alumínio é o metal mais comumente utilizado. ✂️ b) o silício monocristalino tipo p é o material mais comumente utilizado. ✂️ c) o silício policristalino fracamente dopado é o material mais comumente utilizado. ✂️ d) as ligas de silício com metal refratário são os materiais mais comumente utilizados. ✂️ e) o silício monocristalino tipo n é o material mais comumente utilizado. Resolver questão 🗨️ Comentários 📊 Estatísticas 📁 Salvar 🧠 Mapa Mental 🏳️ Reportar erro
353Q787153 | Engenharia Elétrica, Eletrônica Analógica, FUNRIONa fabricação de circuitos integrados, algumas estruturas de teste podem ser usadas para avaliação do processo. Analise as sentenças a seguir: I) Para a correta avaliação do processo de fabricação de um CI, é sempre necessário realizar a caracterização de um componente eletrônico. II) É possível caracterizar partes de um processo de fabricação de CIs por meio de estruturas de teste visual. III) Estruturas de inspeção visual têm como objetivo a avaliação exclusivamente qualitativa. Estão corretas as sentenças: ✂️ a) I ✂️ b) I e II ✂️ c) II ✂️ d) II e III ✂️ e) III Resolver questão 🗨️ Comentários 📊 Estatísticas 📁 Salvar 🧠 Mapa Mental 🏳️ Reportar erro
354Q785386 | Engenharia Elétrica, Eletrônica Analógica, Analista Judiciário, TRT 9a, CESPE CEBRASPEUma rede de energia elétrica secundária, em baixa tensão, trifásica, com três fases e um condutor neutro, necessita de balanceamento de suas cargas ao longo de alguns trechos. A respeito dessa situação, julgue os próximos itens. O desequilíbrio de corrente nas fases da rede secundária não provoca circulação de corrente pelo condutor neutro, porque, quando ocorre desequilíbrio de carga, ocorre também desequilíbrio de tensão na mesma rede secundária. ✂️ a) Certo ✂️ b) Errado Resolver questão 🗨️ Comentários 📊 Estatísticas 📁 Salvar 🧠 Mapa Mental 🏳️ Reportar erro
355Q784219 | Engenharia Elétrica, Eletrônica Analógica, Técnico 2, MCT, CESPE CEBRASPEExistem diversas técnicas para a construção de placas de circuito impresso. As características da placa dependem de diversos fatores, entre eles o tipo de encapsulamento dos dispositivos a serem utilizados. A respeito de aspectos relacionados às técnicas de fabricação de placas de circuito impresso, julgue os seguintes itens. Placas de fenolite e de fibra de vidro não são muito utilizadas para a confecção de placas de circuito impresso. ✂️ a) Certo ✂️ b) Errado Resolver questão 🗨️ Comentários 📊 Estatísticas 📁 Salvar 🧠 Mapa Mental 🏳️ Reportar erro
356Q789907 | Engenharia Elétrica, Eletrônica Analógica, Analista de Correios, ECT, CESPE CEBRASPEJulgue os itens que se seguem, acerca de transformadores. Transformadores elevadores em unidades geradoras são fundamentais para viabilizar transmissão de energia a longas distâncias, pois permitem reduzir as perdas por efeito Joule nas linhas de transmissão, à medida que a tensão secundária aumenta. ✂️ a) Certo ✂️ b) Errado Resolver questão 🗨️ Comentários 📊 Estatísticas 📁 Salvar 🧠 Mapa Mental 🏳️ Reportar erro
357Q784997 | Engenharia Elétrica, Eletrônica Analógica, Engenheiro, Suframa AM, FUNRIOAs componentes simétricas, de um sistema de tensões desequilibradas Va, Vb e Vc , são Va0, Va1 e Va2. Supondo Va = 120 V; Vb = j 120 V e Vc = 0, então, o valor de Va0, em Volts, é ✂️ a) 10 – j 10 ✂️ b) 10 + j 10 ✂️ c) 20 + j 20 ✂️ d) 30 – j 30 ✂️ e) 40 + j 40 Resolver questão 🗨️ Comentários 📊 Estatísticas 📁 Salvar 🧠 Mapa Mental 🏳️ Reportar erro
358Q785564 | Engenharia Elétrica, Eletrônica Analógica, Engenheiro, Prefeitura de Rio Branco AC, CESPE CEBRASPEConsiderando a situação em que determinado transistor bipolar esteja polarizado para funcionar como chave, julgue os itens subseqüentes. A corrente de emissor é utilizada para determinar a posição da chave simulada pelo transistor. ✂️ a) Certo ✂️ b) Errado Resolver questão 🗨️ Comentários 📊 Estatísticas 📁 Salvar 🧠 Mapa Mental 🏳️ Reportar erro
359Q788588 | Engenharia Elétrica, Eletrônica Analógica, Analista Ferroviário, EFCJ SPOs Transistores têm os parâmetros ? e ß, onde ? é parâmetro eficiência do transistor e é a relação entre as correntes de coletor e emissor, e ß é o ganho estático do transistor e é a relação entre as correntes de base e coletor. Assim, determine o parâmetro ? quando a corrente de emissor for IE = 2,8 mA e a corrente de base IB = 10 ?A. ✂️ a) 0,996 ✂️ b) 280 ✂️ c) 0,004 ✂️ d) 1,003 ✂️ e) 10 Resolver questão 🗨️ Comentários 📊 Estatísticas 📁 Salvar 🧠 Mapa Mental 🏳️ Reportar erro
360Q788697 | Engenharia Elétrica, Eletrônica Analógica, Analista Judiciário, TRT 21a, CESPE CEBRASPECom relação a tecnologias CMOS de fabricação de circuitos integrados, julgue o item seguinte. As portas CMOS utilizam transistores PMOS em combinação com transistores NMOS. Como esses dois tipos de transistores possuem características diferentes, é comum que os transistores PMOS e NMOS tenham dimensões distintas, de forma a compensar efeitos dessa diferença. ✂️ a) Certo ✂️ b) Errado Resolver questão 🗨️ Comentários 📊 Estatísticas 📁 Salvar 🧠 Mapa Mental 🏳️ Reportar erro