Questões de Concursos Microeletrônica Resolva questões de Microeletrônica comentadas com gabarito, online ou em PDF, revisando rapidamente e fixando o conteúdo de forma prática. Filtrar questões 💡 Caso não encontre resultados, diminua os filtros. Microeletrônica Ordenar por: Mais populares Mais recentes Mais comentadas Filtrar questões: Exibir todas as questões Exibir questões resolvidas Excluir questões resolvidas Exibir questões que errei Filtrar 11Q788083 | Engenharia Elétrica, Microeletrônica, Tecnologista Pleno 3, MCT, CESPE CEBRASPEA difusão das ferramentas de processamento da informação na sociedade moderna, juntamente com a crescente complexidade dos dispositivos, circuitos e dos processos de fabricação das tecnologias da informação, tem levado à crescente automação dos ambientes industriais nessa área, especialmente no que se refere à aquisição de dados. Acerca desse assunto, julgue os itens subseqüentes. A padronização dos procedimentos de controle e aquisição de dados é fator relevante para a gestão dos processos e para a otimização dos custos de fabricação. ✂️ a) Certo ✂️ b) Errado Resolver questão 🗨️ Comentários 📊 Estatísticas 📁 Salvar 📑 Conteúdos 🏳️ Reportar erro 12Q785674 | Engenharia Elétrica, Microeletrônica, FUNRIOSobre o silício (Si) utilizado na indústria de microeletrônica, qual das afirmativas abaixo está correta? ✂️ a) Apenas utiliza-se o Si encontrado em sua forma monocristalina na natureza. ✂️ b) O Si de células solares policristalinas tem pureza comparável ao Si para a microeletrônica. ✂️ c) O Si utilizado em microeletrônica é encontrado em forma de silicato e sofre sucessivas etapas de destilação fracionada. ✂️ d) O Si é encontrado policristalino na natureza, depois é derretido, purificado e recristalizado através de choque térmico. ✂️ e) Durante a cristalização do Si são acrescentados átomos de germânio para aumentar a mobilidade dos elétrons. Resolver questão 🗨️ Comentários 📊 Estatísticas 📁 Salvar 📑 Conteúdos 🏳️ Reportar erro 13Q789108 | Engenharia Elétrica, Microeletrônica, FUNRIOQual o principal motivo da substituição de corrosão úmida pela corrosão seca que aconteceu na microeletrônica nos anos 80- 90? ✂️ a) Necessidade de aumentar a taxa de corrosão. ✂️ b) Necessidade de aumentar a anisotropia de corrosão. ✂️ c) Menores danos ambientais. ✂️ d) Maior uniformidade do processo. ✂️ e) Menor custo do processo. Resolver questão 🗨️ Comentários 📊 Estatísticas 📁 Salvar 📑 Conteúdos 🏳️ Reportar erro 14Q787090 | Engenharia Elétrica, Microeletrônica, Tecnologista Pleno 3, MCT, CESPE CEBRASPEA difusão das ferramentas de processamento da informação na sociedade moderna, juntamente com a crescente complexidade dos dispositivos, circuitos e dos processos de fabricação das tecnologias da informação, tem levado à crescente automação dos ambientes industriais nessa área, especialmente no que se refere à aquisição de dados. Acerca desse assunto, julgue os itens subseqüentes. Um dos fatores limitantes à implantação de sistemas de aquisição de dados em ambientes de fabricação nas tecnologias microeletrônicas é a necessidade de desenvolvimento de linguagens e procedimentos de programação específicos, o que implica sensível elevação de custos. ✂️ a) Certo ✂️ b) Errado Resolver questão 🗨️ Comentários 📊 Estatísticas 📁 Salvar 📑 Conteúdos 🏳️ Reportar erro 15Q788994 | Engenharia Elétrica, Microeletrônica, FUNRIOEm um transistor PMOS de efeito de campo de um processo CMOS padrão, ✂️ a) a região do dreno deve ser mais dopada que a da fonte. ✂️ b) a região da fonte deve ser mais dopada que a do dreno. ✂️ c) dreno e fonte devem ser fortemente dopados com fósforo. ✂️ d) dreno e fonte são alinhados pela respectiva porta, não necessitando de máscara litográfica específica. ✂️ e) a mobilidade dos portadores de carga no canal é maior que a dos portadores no canal de um NMOS com as mesmas dimensões. Resolver questão 🗨️ Comentários 📊 Estatísticas 📁 Salvar 📑 Conteúdos 🏳️ Reportar erro 16Q789693 | Engenharia Elétrica, Microeletrônica, FUNRIOQual dos processos abaixo não está diretamente relacionado com as etapas de fabricação de um circuito integrado em um processo CMOS padrão moderno? ✂️ a) Oxidação. ✂️ b) Deposição química a vapor. ✂️ c) Difusão. ✂️ d) Corrosão por plasma. ✂️ e) Funcionalização da superfície. Resolver questão 🗨️ Comentários 📊 Estatísticas 📁 Salvar 📑 Conteúdos 🏳️ Reportar erro 17Q785464 | Engenharia Elétrica, Microeletrônica, Técnico de Laboratório, FUB, CESPE CEBRASPECom relação a microprocessadores e microcomputadores, julgue os itens que se seguem. Um microprocessador com 16 linhas de endereço pode endereçar até um máximo de 16 mil posições de memória. ✂️ a) Certo ✂️ b) Errado Resolver questão 🗨️ Comentários 📊 Estatísticas 📁 Salvar 📑 Conteúdos 🏳️ Reportar erro 18Q789654 | Engenharia Elétrica, Microeletrônica, FUNRIOOs níveis de tensão permitidos são menores em chips fabricados em processos CMOS padrão com rótulo menor, escalonados com campo constante. Dos fatores abaixo relacionados, qual influencia mais significativamente essa tendência? ✂️ a) Maior concentração de dopantes nas regiões de dreno e fonte dos transistores MOSFET. ✂️ b) Inclusão de transistores bipolares no chip. ✂️ c) Utilização de filmes com baixa permissividade elétrica relativa entre camadas de metal. ✂️ d) Aumento no número de camadas de metal para trilhas. ✂️ e) Necessidade de níveis de tensão cada vez menores na saída do chip. Resolver questão 🗨️ Comentários 📊 Estatísticas 📁 Salvar 📑 Conteúdos 🏳️ Reportar erro 19Q789924 | Engenharia Elétrica, Microeletrônica, Tecnologista Júnior, MCT, CESPE CEBRASPEMateriais semicondutores são a base da tecnologia microeletrônica há décadas e, ao que tudo indica, essa situação não se alterará no futuro próximo. Diversas técnicas de caracterização são empregadas para o necessário controle detalhado das propriedades elétricas desses materiais. Uma estrutura de teste freqüentemente empregada é o capacitor MOS (metal-óxido-semicondutor), cujas características elétricas permitem inferir uma série de dados a respeito do substrato semicondutor e da interface óxidosemicondutor. A respeito de características de um capacitor MOS em substrato tipo P que podem ser empregadas na caracterização elétrica de semicondutores, julgue os itens que se seguem. Uma tensão negativa aplicada ao metal em relação à aplicada ao substrato coloca o material em uma condição conhecida como inversão. ✂️ a) Certo ✂️ b) Errado Resolver questão 🗨️ Comentários 📊 Estatísticas 📁 Salvar 📑 Conteúdos 🏳️ Reportar erro 20Q787598 | Engenharia Elétrica, Microeletrônica, Técnico de Laboratório, FUB, CESPE CEBRASPECom relação a microprocessadores e microcomputadores, julgue os itens que se seguem. Na programação de microprocessadores, pode ser usada a linguagem assembly, formada por seqüências de números binários, ou a linguagem de máquina, formada por mnemônicos curtos que representam os comandos básicos do microprocessador. Em muitos casos, a programação pode ser feita em linguagem de alto nível, como a linguagem basic. ✂️ a) Certo ✂️ b) Errado Resolver questão 🗨️ Comentários 📊 Estatísticas 📁 Salvar 📑 Conteúdos 🏳️ Reportar erro 🖨️ Baixar o PDF← AnteriorPróximo →
11Q788083 | Engenharia Elétrica, Microeletrônica, Tecnologista Pleno 3, MCT, CESPE CEBRASPEA difusão das ferramentas de processamento da informação na sociedade moderna, juntamente com a crescente complexidade dos dispositivos, circuitos e dos processos de fabricação das tecnologias da informação, tem levado à crescente automação dos ambientes industriais nessa área, especialmente no que se refere à aquisição de dados. Acerca desse assunto, julgue os itens subseqüentes. A padronização dos procedimentos de controle e aquisição de dados é fator relevante para a gestão dos processos e para a otimização dos custos de fabricação. ✂️ a) Certo ✂️ b) Errado Resolver questão 🗨️ Comentários 📊 Estatísticas 📁 Salvar 📑 Conteúdos 🏳️ Reportar erro
12Q785674 | Engenharia Elétrica, Microeletrônica, FUNRIOSobre o silício (Si) utilizado na indústria de microeletrônica, qual das afirmativas abaixo está correta? ✂️ a) Apenas utiliza-se o Si encontrado em sua forma monocristalina na natureza. ✂️ b) O Si de células solares policristalinas tem pureza comparável ao Si para a microeletrônica. ✂️ c) O Si utilizado em microeletrônica é encontrado em forma de silicato e sofre sucessivas etapas de destilação fracionada. ✂️ d) O Si é encontrado policristalino na natureza, depois é derretido, purificado e recristalizado através de choque térmico. ✂️ e) Durante a cristalização do Si são acrescentados átomos de germânio para aumentar a mobilidade dos elétrons. Resolver questão 🗨️ Comentários 📊 Estatísticas 📁 Salvar 📑 Conteúdos 🏳️ Reportar erro
13Q789108 | Engenharia Elétrica, Microeletrônica, FUNRIOQual o principal motivo da substituição de corrosão úmida pela corrosão seca que aconteceu na microeletrônica nos anos 80- 90? ✂️ a) Necessidade de aumentar a taxa de corrosão. ✂️ b) Necessidade de aumentar a anisotropia de corrosão. ✂️ c) Menores danos ambientais. ✂️ d) Maior uniformidade do processo. ✂️ e) Menor custo do processo. Resolver questão 🗨️ Comentários 📊 Estatísticas 📁 Salvar 📑 Conteúdos 🏳️ Reportar erro
14Q787090 | Engenharia Elétrica, Microeletrônica, Tecnologista Pleno 3, MCT, CESPE CEBRASPEA difusão das ferramentas de processamento da informação na sociedade moderna, juntamente com a crescente complexidade dos dispositivos, circuitos e dos processos de fabricação das tecnologias da informação, tem levado à crescente automação dos ambientes industriais nessa área, especialmente no que se refere à aquisição de dados. Acerca desse assunto, julgue os itens subseqüentes. Um dos fatores limitantes à implantação de sistemas de aquisição de dados em ambientes de fabricação nas tecnologias microeletrônicas é a necessidade de desenvolvimento de linguagens e procedimentos de programação específicos, o que implica sensível elevação de custos. ✂️ a) Certo ✂️ b) Errado Resolver questão 🗨️ Comentários 📊 Estatísticas 📁 Salvar 📑 Conteúdos 🏳️ Reportar erro
15Q788994 | Engenharia Elétrica, Microeletrônica, FUNRIOEm um transistor PMOS de efeito de campo de um processo CMOS padrão, ✂️ a) a região do dreno deve ser mais dopada que a da fonte. ✂️ b) a região da fonte deve ser mais dopada que a do dreno. ✂️ c) dreno e fonte devem ser fortemente dopados com fósforo. ✂️ d) dreno e fonte são alinhados pela respectiva porta, não necessitando de máscara litográfica específica. ✂️ e) a mobilidade dos portadores de carga no canal é maior que a dos portadores no canal de um NMOS com as mesmas dimensões. Resolver questão 🗨️ Comentários 📊 Estatísticas 📁 Salvar 📑 Conteúdos 🏳️ Reportar erro
16Q789693 | Engenharia Elétrica, Microeletrônica, FUNRIOQual dos processos abaixo não está diretamente relacionado com as etapas de fabricação de um circuito integrado em um processo CMOS padrão moderno? ✂️ a) Oxidação. ✂️ b) Deposição química a vapor. ✂️ c) Difusão. ✂️ d) Corrosão por plasma. ✂️ e) Funcionalização da superfície. Resolver questão 🗨️ Comentários 📊 Estatísticas 📁 Salvar 📑 Conteúdos 🏳️ Reportar erro
17Q785464 | Engenharia Elétrica, Microeletrônica, Técnico de Laboratório, FUB, CESPE CEBRASPECom relação a microprocessadores e microcomputadores, julgue os itens que se seguem. Um microprocessador com 16 linhas de endereço pode endereçar até um máximo de 16 mil posições de memória. ✂️ a) Certo ✂️ b) Errado Resolver questão 🗨️ Comentários 📊 Estatísticas 📁 Salvar 📑 Conteúdos 🏳️ Reportar erro
18Q789654 | Engenharia Elétrica, Microeletrônica, FUNRIOOs níveis de tensão permitidos são menores em chips fabricados em processos CMOS padrão com rótulo menor, escalonados com campo constante. Dos fatores abaixo relacionados, qual influencia mais significativamente essa tendência? ✂️ a) Maior concentração de dopantes nas regiões de dreno e fonte dos transistores MOSFET. ✂️ b) Inclusão de transistores bipolares no chip. ✂️ c) Utilização de filmes com baixa permissividade elétrica relativa entre camadas de metal. ✂️ d) Aumento no número de camadas de metal para trilhas. ✂️ e) Necessidade de níveis de tensão cada vez menores na saída do chip. Resolver questão 🗨️ Comentários 📊 Estatísticas 📁 Salvar 📑 Conteúdos 🏳️ Reportar erro
19Q789924 | Engenharia Elétrica, Microeletrônica, Tecnologista Júnior, MCT, CESPE CEBRASPEMateriais semicondutores são a base da tecnologia microeletrônica há décadas e, ao que tudo indica, essa situação não se alterará no futuro próximo. Diversas técnicas de caracterização são empregadas para o necessário controle detalhado das propriedades elétricas desses materiais. Uma estrutura de teste freqüentemente empregada é o capacitor MOS (metal-óxido-semicondutor), cujas características elétricas permitem inferir uma série de dados a respeito do substrato semicondutor e da interface óxidosemicondutor. A respeito de características de um capacitor MOS em substrato tipo P que podem ser empregadas na caracterização elétrica de semicondutores, julgue os itens que se seguem. Uma tensão negativa aplicada ao metal em relação à aplicada ao substrato coloca o material em uma condição conhecida como inversão. ✂️ a) Certo ✂️ b) Errado Resolver questão 🗨️ Comentários 📊 Estatísticas 📁 Salvar 📑 Conteúdos 🏳️ Reportar erro
20Q787598 | Engenharia Elétrica, Microeletrônica, Técnico de Laboratório, FUB, CESPE CEBRASPECom relação a microprocessadores e microcomputadores, julgue os itens que se seguem. Na programação de microprocessadores, pode ser usada a linguagem assembly, formada por seqüências de números binários, ou a linguagem de máquina, formada por mnemônicos curtos que representam os comandos básicos do microprocessador. Em muitos casos, a programação pode ser feita em linguagem de alto nível, como a linguagem basic. ✂️ a) Certo ✂️ b) Errado Resolver questão 🗨️ Comentários 📊 Estatísticas 📁 Salvar 📑 Conteúdos 🏳️ Reportar erro