Questões de Princípios de Ciências dos Materiais com Gabarito (Comentado)

141Q790062 | Engenharia Elétrica, Princípios de Ciências dos Materiais, FUNRIO

Qual a finalidade da fase do processo RIE chamada breakthrough?

✂️ a) Corrosão da camada de oxido nativo.
✂️ b) Corrosão do filme de Si.
✂️ c) Remoção de fotorresiste.
✂️ d) Limpeza da amostra.
✂️ e) Remoção de silício sobrando depois da corrosão.

142Q786461 | Engenharia Elétrica, Princípios de Ciências dos Materiais, FUNRIO

Que filmes são depositados por LPCVD (deposição química a partir da fase vapor executada em baixa pressão)?

1 -W e SiO₂.

2 - SiO₂ e Si₃N₄.

3 - Si₃N₄ e silício policristalino.

4 - Si₃N₄, SiO₂ e silício policristalino.

✂️ a) Apenas 2 e 3.
✂️ b) Apenas 3 e 4.
✂️ c) Apenas 1, 2 e 3.
✂️ d) Apenas 2, 3 e 4.
✂️ e) 1, 2, 3, e 4.

143Q784754 | Engenharia Elétrica, Princípios de Ciências dos Materiais, Pesquisador em Propriedade Industrial, Instituto Nacional da Propriedade Industrial, CESPE CEBRASPE

Julgue os próximos itens, acerca de diodos.

A tensão sobre um diodo zener operando na região de ruptura é aproximadamente nula.

✂️ a) Certo
✂️ b) Errado

144Q789399 | Engenharia Elétrica, Princípios de Ciências dos Materiais, Professor de Ensino Básico, IFB, CESPE CEBRASPE

Julgue os próximos itens, acerca das propriedades dos materiais.

Nos meios materiais, existem três tipos de corrente: de condução, de polarização e de deslocamento. Em meios condutores, predomina a corrente de condução, enquanto, em bons dielétricos, predominam as correntes de polarização e de deslocamento. No vácuo, quando há um campo eletromagnético se propagando, existe uma corrente de deslocamento.

✂️ a) Certo
✂️ b) Errado

145Q785385 | Engenharia Elétrica, Princípios de Ciências dos Materiais, FUNRIO

Por que devemos realizar etapa de recozimento térmico após uma etapa de implantação de íons na obtenção de uma junção? 1 – Para corrigir os defeitos causados pela implantação de íons. 2 - Para a ativação elétrica dos dopantes implantados. 3 - Para oxidar a lâmina. 4 - Para definir a profundidade e o perfil de dopagem. Está (ão) correta (s) apenas a (s) afirmativa (s):

✂️ a) 1 e 2.
✂️ b) 2 e 3.
✂️ c) 2, 3 e 4.
✂️ d) 1, 2 e 3.
✂️ e) 1, 3 e 4.

146Q788410 | Engenharia Elétrica, Princípios de Ciências dos Materiais, FUNRIO

Para uma junção “pn”, sabe-se que a capacitância de junção sem aplicação de tensão Cj0 é igual a 1,6 pF, que a tensão interna da junção V0 é igual a 0,5 V e que o coeficiente de graduação da junção é igual a 0,5. Ao ser aplicada uma tensão de polarização reversa de 1,5 V, a capacitância da junção será igual a:

✂️ a) 0,8 pF.
✂️ b) 2,4 pF.
✂️ c) 16 pF.
✂️ d) 1,6 pF.
✂️ e) 8 pF.

147Q784584 | Engenharia Elétrica, Princípios de Ciências dos Materiais, Oficial, Ministério da Defesa Comando da Aeronáutica, Ministério da Defesa Comando da Aeronáutica

Uma característica importante dos materiais condutores é sua baixa resistividade, sendo essa uma propriedade que define o quanto um material opõe-se à passagem de corrente elétrica.

Qual das alternativas abaixo apresenta os materiais em ordem crescente de resistividade?

✂️ a) Cobre ? Platina ? Ouro ? Prata.
✂️ b) Ouro ? Platina ? Prata ? Cobre.
✂️ c) Platina ? Ouro ? Cobre ? Prata.
✂️ d) Prata ? Cobre ? Ouro ? Platina.

148Q786454 | Engenharia Elétrica, Princípios de Ciências dos Materiais, Perito Criminal, Secretaria de Estado de Gestão Administrativa AC, CESPE CEBRASPE

Julgue os próximos itens, relativos a materiais condutores, isolantes e magnéticos.

Se os materiais X e Y tiverem o mesmo volume e forem submetidos a um ensaio para avaliação de suas propriedades magnéticas com relação ao fluxo magnético, que, como resultado, se verifique que as linhas de força atravessam o material X mais facilmente que o material Y, então, para essa situação, é correto afirmar que o material X apresenta resistência elétrica, em ohms, menor que o material Y.

✂️ a) Certo
✂️ b) Errado

149Q787542 | Engenharia Elétrica, Princípios de Ciências dos Materiais, FUNRIO

Quais são os mecanismos de crescimento de óxido de Si sobre substrato de Si no processo de oxidação térmica?

✂️ a) Mecanismo de difusão da espécie oxidante através do óxido de Si já crescido sobre o substrato de Si e mecanismo de recozimento da espécie oxidante com o Si, quando a espécie consegue alcançar a superfície do substrato de Si.
✂️ b) Mecanismo de difusão da espécie oxidante através do óxido de Si já crescido sobre o substrato de Si e mecanismo de reação da espécie oxidante com o Si, quando a espécie consegue alcançar a superfície do substrato.
✂️ c) Somente mecanismo de implantação da espécie oxidante através do óxido de Si já crescido sobre o substrato de Si.
✂️ d) Somente mecanismo de reação da espécie oxidante com o Si, quando a espécie consegue alcançar a superfície do substrato de Si.
✂️ e) Mecanismo de implantação da espécie oxidante através do óxido de Si já crescido sobre o substrato de Si e mecanismo de recozimento da espécie oxidante com o Si, quando a espécie consegue alcançar a superfície do substrato de Si.

150Q790164 | Engenharia Elétrica, Princípios de Ciências dos Materiais, Professor de Ensino Básico, Instituto Federal de Educação, CESPE CEBRASPE

Julgue os próximos itens, acerca das propriedades dos materiais.

Materiais magnéticos duros possuem valores elevados de coercividade e de remanência. Por isso, esses materiais são utilizados na fabricação de ímãs permanentes que devam possuir alta resistência à desmagnetização.

✂️ a) Certo
✂️ b) Errado

151Q785862 | Engenharia Elétrica, Princípios de Ciências dos Materiais, Oficial Técnico de Inteligência, ABIN, CESPE CEBRASPE

Acerca de materiais condutores para utilização em instalações elétricas residenciais e em circuitos para transmissão e distribuição de energia elétrica, julgue os itens que se seguem.

No processo de transmissão de energia elétrica por cabos aéreos, é preferível o uso de fios de alumínio em lugar dos de cobre, porque o alumínio apresenta menor resistividade e menor densidade que o cobre.

✂️ a) Certo
✂️ b) Errado

152Q789729 | Engenharia Elétrica, Princípios de Ciências dos Materiais, Analista, DPE RS, FCC

Em eletricidade, os materiais podem ser classificados em condutores, semicondutores ou isolantes. Considerando a estrutura atômica desses materiais, o material condutor, em comparação ao material isolante, possui

✂️ a) elétrons mais próximos ao núcleo.
✂️ b) maior número de elétrons livres.
✂️ c) maior número de prótons livres.
✂️ d) maior número de nêutrons ionizados.
✂️ e) prótons na camada de covalência.

153Q788519 | Engenharia Elétrica, Princípios de Ciências dos Materiais, FUNRIO

Que parte do sistema de implantação de íons faz a contagem de íons que penetram na lâmina e determina o final do processo?

✂️ a) Gaiola de Faraday com circuito integrador.
✂️ b) Fonte de íons.
✂️ c) Analisador Magnético.
✂️ d) Gaiola de Lorentz.
✂️ e) Fonte de átomos.

154Q789333 | Engenharia Elétrica, Princípios de Ciências dos Materiais, Tecnologista Pleno I, DCTA SP, VUNESP

No domínio da frequência, como se caracteriza a permissividade elétrica de um material anisotrópico, inhomogêneo, e com perdas?

✂️ a) É uma grandeza escalar, depende da posição, e é complexa.
✂️ b) É uma grandeza tensorial, independe da posição, e é puramente real.
✂️ c) É uma grandeza escalar, independe da posição, e é complexa.
✂️ d) É uma grandeza tensorial, depende da posição, e é complexa.
✂️ e) É uma grandeza tensorial, depende da posição, e é puramente real.

155Q784284 | Engenharia Elétrica, Princípios de Ciências dos Materiais, FUNRIO

Os valores das energias de band gap de materiais semicondutores estão entre 0,1 eV e 3,0 eV, enquanto para materiais isolantes, os valores são maiores que 3,0 eV. Assim, quais os valores das energias de band gap dos materiais Si e SiO2, em temperatura ambiente, respectivamente, que são usados na tecnologia MOS?

✂️ a) São 1,1 eV e 9,0 eV.
✂️ b) São 1,1 eV e 2,0 eV.
✂️ c) São 6,0 eV e 9,0 eV.
✂️ d) São 9,0 eV e 1,1 eV.
✂️ e) São 9,0 eV e 2,0 eV.

156Q784263 | Engenharia Elétrica, Princípios de Ciências dos Materiais, FUNRIO

Para detecção do ponto final de corrosão de lâminas de Si pela espectroscopia ótica, são utilizados sinais de emissão de radicais presentes no plasma:

✂️ a) Radicais O
✂️ b) Radicais SF₅
✂️ c) Radicais F
✂️ d) Radicais C
✂️ e) Radicais OH

157Q787599 | Engenharia Elétrica, Princípios de Ciências dos Materiais, FUNRIO

Na corrosão tipo RIE (reactive ion etching), o efeito sinergético aparece por causa de interação de que fatores?

✂️ a) Alta temperatura dos elétrons e dos íons.
✂️ b) Alta energia de íons e o aquecimento da amostra.
✂️ c) Alta energia de íons e o aquecimento do eletrodo.
✂️ d) Bombardeamento iônico e amorfização do material por radicais reativos.
✂️ e) Irradiação da amostra por fótons UV e bombardeamento iônico.

158Q788908 | Engenharia Elétrica, Princípios de Ciências dos Materiais, FUNRIO

Qual material apresenta o melhor desempenho com relação à redução de impedâncias parasitárias quando utilizado para a fabricação de placas de circuito impresso para aplicações em altas frequência (2,4 GHz)?

✂️ a) Fenolite.
✂️ b) Fibra de vidro.
✂️ c) Cobre.
✂️ d) Plástico.
✂️ e) Alumina.

159Q785646 | Engenharia Elétrica, Princípios de Ciências dos Materiais, FUNRIO

Em processo RIE, com aumento da potência de gerador:

✂️ a) Aumenta a seletividade e taxa de corrosão.
✂️ b) Aumenta a anisotropia e a taxa de corrosão.
✂️ c) Melhora a seletividade de corrosão.
✂️ d) Diminui a taxa de corrosão.
✂️ e) Diminui a temperatura da amostra.

160Q788507 | Engenharia Elétrica, Princípios de Ciências dos Materiais, FUNRIO

São tipos de plasma de alta densidade:

✂️ a) ICP e ECR.
✂️ b) ICP e barril.
✂️ c) ICP e por acoplamento capacitivo.
✂️ d) Capacitivo e barril.
✂️ e) Plasma remoto.

Questões de Concursos Princípios de Ciências dos Materiais

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