Um transistor “npn” tem uma área de emissor de 10 ?m x 10 ?m. As concentrações de dopantes são as seguintes: no emissor é igual a 1019 cm-3, na base é igual a 1018 cm-3 e no coletor é igual a 1015 cm-3 . O transistor está operando a 27 °C e nessa temperatura a concentração de elétrons livres intrínsecos ni = 1010 cm-3 . Para os elétrons em difusão na base, o comprimento da região de difusão é igual a 10 ?m e a constante de difusão é igual a 20 cm2 /s. Para lacunas em difusão no emissor, o comprimento da região de difusão é igual a 0,6 ?m e a constante de difusão é igual a 1,8 cm2 /s. Supondo que largura da base é igual a 2 ?m, pode-se afirmar que os valores da corrente de saturação e do ganho de corrente de emissor comum são iguais a, respectivamente: (nos cálculos, assuma que o valor da carga elétrica elementar é igual a 1,6 x 10-19 C)
✂️ a) 1,6 x 10-18 A e 200. ✂️ b) 16 x 10-18 A e 100. ✂️ c) 1,6 x 10-15 A e 300. ✂️ d) 36 x 10-15 A e 200. ✂️ e) 3,2 x 10-20 A e 400.