Questões de Princípios de Ciências dos Materiais com Gabarito (Comentado)

43Q789779 | Engenharia Elétrica, Princípios de Ciências dos Materiais, FUNRIO

Leia as afirmativas abaixo acerca da oxidação de silício. I – Para obtenção de uma mesma espessura de óxido a uma dada temperatura, a oxidação seca é um processo mais rápido que a oxidação úmida. II – A oxidação úmida é realizada pela técnica spin-on. III – A oxidação consome silício do substrato, de maneira que a espessura total após a oxidação não é igual à soma da espessura inicial da camada de silício com a espessura da camada de óxido. Assinale a alternativa com a(s) afirmativa(s) correta(s)

✂️ a) Apenas I está correta.
✂️ b) Apenas II está correta.
✂️ c) Apenas III está correta.
✂️ d) Apenas I e III estão corretas.
✂️ e) Apenas II e III estão corretas.

58Q789039 | Engenharia Elétrica, Princípios de Ciências dos Materiais, FUNRIO

Que é efeito de canalização no processo de implantação de íons?

✂️ a) Em estruturas cristalinas, o íon implantado quando encontra um canal na rede cristalina tem uma maior chance de colidir com os átomos da rede e, consequentemente, penetra menos do que desejado, alterando o perfil de implantação.
✂️ b) Em estruturas amorfas, o íon implantado quando encontra um canal na rede cristalina tem uma menor chance de colidir com os átomos da rede e, consequentemente, penetra menos do que desejado, alterando o perfil de implantação.
✂️ c) Em estruturas amorfas, o íon implantado quando encontra um canal na rede cristalina tem uma menor chance de colidir com os átomos da rede e, consequentemente, penetra mais do que desejado, alterando o perfil de implantação.
✂️ d) Em estruturas amorfas, o íon implantado não encontra canais na rede cristalina.
✂️ e) Em estruturas cristalinas, o íon implantado quando encontra um canal na rede cristalina tem uma menor chance de colidir com os átomos da rede e, consequentemente, penetra mais do que desejado, alterando o perfil de implantação.

Questões de Concursos Princípios de Ciências dos Materiais

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