Início

Questões de Concursos Princípios de Ciências dos Materiais

Resolva questões de Princípios de Ciências dos Materiais comentadas com gabarito, online ou em PDF, revisando rapidamente e fixando o conteúdo de forma prática.


82Q790230 | Engenharia Elétrica, Princípios de Ciências dos Materiais, Analista Judiciário, TRT 23a, FCC

Considere as características das barras de cobre utilizadas em subestações elétricas:

Barra 1: 1" x 1/8" - 250 A

Barra 2: 1" x 1/4" - 400 A

Verifica-se que a espessura da barra 1 é metade da barra 2, mas a sua capacidade de corrente não reduz na mesma proporção. Isso se deve ao efeito

  1. ✂️
  2. ✂️
  3. ✂️
  4. ✂️
  5. ✂️

83Q787409 | Engenharia Elétrica, Princípios de Ciências dos Materiais, Tecnologista Pleno I, DCTA SP, VUNESP

A cor emitida por um LED (Diodo Emissor de Luz) depende do tipo de impureza introduzida no semicondutor. A cor azul é emitida pelo LED quando há a introdução do

  1. ✂️
  2. ✂️
  3. ✂️
  4. ✂️
  5. ✂️

84Q786918 | Engenharia Elétrica, Princípios de Ciências dos Materiais, Técnico Judiciário, STJ, CESPE CEBRASPE

Com relação a grandezas elétricas e magnéticas, julgue os itens seguintes.

A ferrita é um material cuja permeabilidade magnética é inferior à do ar, razão pela qual o núcleo de diversos transformadores é constituído de lâminas superpostas desse material.

  1. ✂️
  2. ✂️

85Q789120 | Engenharia Elétrica, Princípios de Ciências dos Materiais, FUNRIO

Dentre as aplicações abaixo, assinale a que NÃO corresponde a uma aplicação de spin-on.
  1. ✂️
  2. ✂️
  3. ✂️
  4. ✂️
  5. ✂️

87Q786419 | Engenharia Elétrica, Princípios de Ciências dos Materiais, Engenheiro Engenharia de Equipamentos, Petrobras, CESPE CEBRASPE

Considere que duas substâncias de massas m 1 e m 2 , sendo m 2 igual a 50% de m 1 , com temperaturas diferentes T 1 e T 2 =10T 1 e calores específicos c 1 e c 2 = 0,1 c 1 , respectivamente, são misturadas entre si, sem produzir trabalho. Desprezando a troca de calor com o exterior e considerando que as substâncias não reajam entre si, julgue o próximo item.

A temperatura de equilíbrio das misturas, ao final, terá um incremento superior a 30% de T 1 .

  1. ✂️
  2. ✂️

88Q788773 | Engenharia Elétrica, Princípios de Ciências dos Materiais, FUNRIO

Qual o intervalo típico de densidade de cargas elétricas (elétrons e íons) em plasmas de alta densidade?
  1. ✂️
  2. ✂️
  3. ✂️
  4. ✂️
  5. ✂️

89Q789048 | Engenharia Elétrica, Princípios de Ciências dos Materiais, Analista, IBGE, CESGRANRIO

Materiais condutores são utilizados em aplicações em que a corrente elétrica circula com as menores perdas possíveis. Considere as descrições de materiais de elevada condutividade elétrica e os tipos de materiais condutores apresentados abaixo:

P - Material de pequena resistividade, com características mecânicas favoráveis, baixa oxidação e que apresenta fácil deformação a frio e a quente. É obtido em forma eletrolítica.

Q - Material que, em sua forma pura, é usado nos casos em que as solicitações mecânicas são pequenas. Pode apresentar corrosão galvânica, dependendo do metal que estiver em contato. É o segundo metal mais usado em eletricidade.

R - Material que apresenta bastante estabilidade química e uma fácil deformação mecânica. Em função de suas propriedades antioxidantes, é encontrado em peças de contato, anodos e fios de aquecimento.

Tipos de materiais condutores:

I – cobre

II – alumínio

III – prata

IV – chumbo

V – platina

A relação correta entre os tipos de materiais condutores apresentados e as descrições fornecidas é

  1. ✂️
  2. ✂️
  3. ✂️
  4. ✂️
  5. ✂️

90Q786328 | Engenharia Elétrica, Princípios de Ciências dos Materiais, Técnico Científico, BASA AM, CESPE CEBRASPE

Julgue os itens a seguir, relativos à polarização de dielétricos.

Um transistor bipolar de junção estará operando no modo de corte quando tanto a junção emissor-base quanto a junção coletor-base estiverem reversamente polarizadas.

  1. ✂️
  2. ✂️

91Q787027 | Engenharia Elétrica, Princípios de Ciências dos Materiais, Tecnologista Pleno 3, MCT, CESPE CEBRASPE

A construção de dispositivos para as tecnologias de informação baseia-se no aproveitamento racional das propriedades de materiais de interesse, com o intuito de realizar funções relevantes para esse setor. O conhecimento das propriedades dos materiais é, por conseguinte, aspecto fundamental das atividades relacionadas ao projeto e à realização desses dispositivos. Acerca desse assunto, julgue os itens a seguir, relativos às propriedades ópticas e térmicas de sólidos.

O emprego do cobre como material condutor em interconexões VLSI, em razão de sua elevada condutividade elétrica, trouxe novos desafios, associados à sua baixa resistência à eletromigração.

  1. ✂️
  2. ✂️

92Q789679 | Engenharia Elétrica, Princípios de Ciências dos Materiais, FUNRIO

Entre as principais desvantagens do processo de implantação de íons, citam-se: 1) Os danos causados pela implantação podem ampliar a difusão de dopantes 2) Os deslocamentos dos átomos na rede cristalina da amostra causados pelos danos podem resultar em corrente de fuga nas junções das regiões de fonte e de dreno de transistores MOSFETs 3) O efeito de canalização na rede cristalina da amostra pode afetar a profundidade de penetração do íon implantado Quais dessas desvantagens estão corretamente identificadas:
  1. ✂️
  2. ✂️
  3. ✂️
  4. ✂️
  5. ✂️

93Q788150 | Engenharia Elétrica, Princípios de Ciências dos Materiais, FUNRIO

Qual deve ser a energia de aceleração do feixe de íons no processo de implantação para se obter em junções rasas (com profundidade menor que 10 nm) em lâmina de Si?
  1. ✂️
  2. ✂️
  3. ✂️
  4. ✂️
  5. ✂️

94Q788535 | Engenharia Elétrica, Princípios de Ciências dos Materiais, Analista Judiciário, STM, CESPE CEBRASPE

A energia elétrica pode ser condicionada e transferida como corrente contínua (CC) ou alternada (CA). A conversão de uma forma em outra é feita por meio de equipamentos conversores que utilizam dispositivos semicondutores de chaveamento. Acerca desse tema, julgue os itens subsequentes.

Nos diodos Schottky, uma barreira de potencial é gerada em uma junção de dois materiais semicondutores: um do tipo P e outro do tipo N.

  1. ✂️
  2. ✂️

95Q790104 | Engenharia Elétrica, Princípios de Ciências dos Materiais, Tecnologista Pleno 3, MCT, CESPE CEBRASPE

A construção de dispositivos para as tecnologias de informação baseia-se no aproveitamento racional das propriedades de materiais de interesse, com o intuito de realizar funções relevantes para esse setor. O conhecimento das propriedades dos materiais é, por conseguinte, aspecto fundamental das atividades relacionadas ao projeto e à realização desses dispositivos. Acerca desse assunto, julgue os itens a seguir, relativos às propriedades ópticas e térmicas de sólidos.

O GaAs é largamente utilizado na fabricação de dispositivos optoeletrônicos por ser um semicondutor de gap direto.

  1. ✂️
  2. ✂️

97Q788412 | Engenharia Elétrica, Princípios de Ciências dos Materiais, FUNRIO

As propriedades e a estrutura do polissilício dependem fortemente das condições de deposição. Assinale a alternativa que apresenta uma condição que NÃO influencia nas propriedades e na estrutura do polissilício depositado, considerando a técnica mais utilizada para a deposição de possilício.
  1. ✂️
  2. ✂️
  3. ✂️
  4. ✂️
  5. ✂️

98Q787140 | Engenharia Elétrica, Princípios de Ciências dos Materiais, Oficial Técnico de Inteligência, ABIN, CESPE CEBRASPE

A respeito de materiais utilizados para a construção de transformadores, julgue o item abaixo.

Os transformadores com núcleo ferromagnético se aquecem quando são submetidos a processos de magnetização cíclica. Para reduzir as perdas por histerese durante esse processo, na construção desses equipamentos, é apropriada a utilização de chapas de aço-silício, bem como de chapas de cristais orientados.

  1. ✂️
  2. ✂️

99Q788771 | Engenharia Elétrica, Princípios de Ciências dos Materiais, FUNRIO

Considere as afirmativas abaixo. I – Para uma mesma concentração de dopante, o polissilício apresenta resistividade maior que o silício epitaxial. II – Em um polissilício dopado, os dopantes tendem a se difundir para o interior do grão, quando o silício dopado é aquecido. III – Os portadores se difundem rapidamente pelo contorno de grão. Assinale a alternativa com a(s) afirmativa(s) correta(s).
  1. ✂️
  2. ✂️
  3. ✂️
  4. ✂️
  5. ✂️
Utilizamos cookies e tecnologias semelhantes para aprimorar sua experiência de navegação. Política de Privacidade.