Questões de Concursos CTI

A operação de quase todos os dispositivos optoeletrônicos baseiase na criação ou aniquilação do par elétron-buraco. A formação desse par resulta da passagem de um elétron da banda de valência para a banda de condução, deixando na banda de valência um estado vazio, chamado de buraco. A partir dessas informações, julgue os itens que se seguem.

O par elétron-buraco pode ser criado, a princípio, por qualquer partícula energética incidente sobre o semicondutor, desde que esta tenha pelo menos energia igual à energia da banda proibida.

Julgue os seguintes itens, relativos a dispositivos elétricos ou eletrônicos.

A geometria do FinFET, que é um dispositivo com dois terminais de porta, é feita com a intenção de reforçar os efeitos provenientes da redução do comprimento do canal.

Quanto ao funcionamento das bombas de vácuo iônica e de sublimação de titânio, julgue os próximos itens.

Para que a bomba iônica mantenha o seu funcionamento mesmo a baixas pressões, a câmara de descarga elétrica deve ser imersa em um campo magnético de 1 kG a 2 kG, criado por um ímã permanente.

Julgue os itens que se seguem, referentes aos processos físicoquímicos envolvidos na incorporação de cátions e ânions durante o crescimento epitaxial de semicondutores compostos.

A adsorção química é realizada por meio de interações de Van der Waals e não forma ligação química.

Epitaxia é o crescimento regular e orientado de um cristal simples com espessura e dopagem controladas sobre um cristal simples e similar, chamado substrato. As técnicas epitaxiais são usadas para realizar junções, camadas ultrafinas, multipoços quânticos etc. com controle excelente na pureza, dopagem e espessura dos filmes. Existem muitas técnicas de epitaxia, mas as mais comuns são as epitaxias por fase líquida, por fase vapor e por feixe molecular. Com referência a essas técnicas, julgue os itens a seguir.

A técnica de epitaxia por fase vapor é também chamada de deposição por vapor químico. Uma das modalidades de deposição por vapor químico mais usadas é a epitaxia por fase vapor de organometálicos.

Acerca da caracterização óptica e química de semicondutores, julgue os próximos itens.

A fotoluminescência pode ser de dois tipos: fluorescente ou fosforescente, sendo que a primeira é um processo muito rápido e a segunda é um processo mais lento.

Acerca dos dispositivos de onda acústica de superfície — surface acoustic wave (SAW) —, julgue os itens subseqüentes.

Baseiam-se em ondas acústicas de superfície. Nessas ondas, a amplitude da onda decai exponencialmente com a profundidade do substrato.

Epitaxia é o crescimento regular e orientado de um cristal simples com espessura e dopagem controladas sobre um cristal simples e similar, chamado substrato. As técnicas epitaxiais são usadas para realizar junções, camadas ultrafinas, multipoços quânticos etc. com controle excelente na pureza, dopagem e espessura dos filmes. Existem muitas técnicas de epitaxia, mas as mais comuns são as epitaxias por fase líquida, por fase vapor e por feixe molecular. Com referência a essas técnicas, julgue os itens a seguir.

A técnica de epitaxia por fase líquida é baseada em um diagrama de equilíbrio entre a fase líquida e a fusão congruente do sólido. A fusão congruente ocorre em qualquer temperatura na qual o sólido e o líquido tenham a mesma composição.

A tabela periódica dos elementos é uma ferramenta importante na análise química e física, pois evidencia tendências recursivas (ou periódicas) nas propriedades dos diversos elementos químicos existentes. A consulta à tabela permite, por exemplo, a identificação e seleção dos elementos a serem utilizados na síntese de dispositivos semicondutores. Com respeito às características dessa tabela e de seus elementos, julgue os itens a seguir.

Na tabela periódica, os elementos B (boro), Si (silício), Ge (germânio), As (arsênio), Sb (antimônio) e Ir (irídio), entre outros, estão agrupados como semicondutores, ou seja, elementos cuja condutividade elétrica situa-se entre a dos metais e a dos isolantes.

Julgue os próximos itens, referentes a conceitos de configuração segura e administração de servidores de rede, de aplicações, de firewalls e de sistemas de detecção de intrusão.

Devido à velocidade da conexão e tempo de respostas, o serviço NTP utiliza pacotes UDP e a porta 125. Assim, no caso de existir um filtro IP entre o servidor NTP e as máquinas que irão acessá-lo, deverão ser permitidas as conexões direcionadas à porta 125/udp do servidor NTP.

Julgue os itens a seguir, relativos às técnicas de caracterização de superfícies e de caracterização elétrica de semicondutores.

As mobilidades dos portadores dependem fortemente de dois tipos de espalhamento que são influenciados pela temperatura. Em altas temperaturas, a mobilidade é limitada pelo espalhamento por impurezas, e em baixas temperaturas ela é limitada pelo espalhamento por fônons ópticos.

Considerando os sistemas operacionais Windows XP e Linux, julgue os itens a seguir.

Acerca de linguagens de descrição de hardware, julgue os itens seguintes.

Um dos motivos que fazem com que a linguagem de programação C seja adequada para a modelagem de hardware é o fato de essa linguagem incluir primitivas que descrevem paralelismo no nível de processos, essencial para descrições de hardware.

Com relação aos processos físicos e químicos de fabricação de dispositivo eletroeletrônicos, julgue os itens que se seguem.

A taxa de deposição na evaporação depende da pressão do vapor e da geometria do reator.

Acerca dos dispositivos de onda acústica de superfície — surface acoustic wave (SAW) —, julgue os itens subseqüentes.

Utilizam materiais piezelétricos para fazer a transdução da energia mecânica proveniente das ondas acústicas de superfície em energia elétrica e vice-versa.

Julgue os itens subseqüentes, relacionados à remoção de camadas de metais, isolantes e semicondutores.

A técnica de remoção de camadas por fotolitografia consiste basicamente em: oxidação da superfície da amostra; aplicação de fotorresiste sobre a camada de óxido; colocação de máscara sobre o fotorresiste e exposição à luz ultravioleta; e remoção do fotorresiste exposto à luz ultravioleta.

Julgue os itens a seguir, relativos às técnicas de caracterização de superfícies e de caracterização elétrica de semicondutores.

A mobilidade dos portadores pode ser determinada por medida Hall, em que o movimento dos portadores através da amostra é alterado pela força de Lorentz devido a um campo elétrico aplicado.

Acerca da caracterização óptica e química de semicondutores, julgue os próximos itens.

Um sistema para medidas de fotoluminescência deve consistir basicamente de: fonte de excitação, criostato com temperatura variável com prendedor de amostra acoplado, espectrômetro de varredura de alta resolução e sistema de detecção.

O processo de dopagem é um dos passos mais importantes na fabricação de muitos dispositivos eletrônicos e optoeletrônicos. As três técnicas mais comuns para dopagem em semicondutores são: crescimento epitaxial, difusão, implantação de íons. Julgue os itens subseqüentes, relativos a essas três técnicas de dopagem.

A técnica de difusão de impurezas é mais utilizada para a dopagem em semicondutores compostos, tal como o arseneto de gálio, e menos utilizada para dopagem em semicondutores simples, tal como o silício.

O processo de dopagem é um dos passos mais importantes na fabricação de muitos dispositivos eletrônicos e optoeletrônicos. As três técnicas mais comuns para dopagem em semicondutores são: crescimento epitaxial, difusão, implantação de íons. Julgue os itens subseqüentes, relativos a essas três técnicas de dopagem.

Das técnicas de epitaxia mais usadas, a técnica de epitaxia por feixe molecular é a que oferece um melhor controle na concentração dos dopantes e também é a que fornece interfaces das junções p-n mais abruptas.