Questões de Concursos CTI

Acerca dos dispositivos de onda acústica de superfície — surface acoustic wave (SAW) —, julgue os itens subseqüentes.

Baseiam-se em ondas acústicas de superfície. Nessas ondas, a amplitude da onda decai exponencialmente com a profundidade do substrato.

De acordo com a nomenclatura metrológica moderna, os termos calibração e ajuste substituíram, respectivamente, os termos aferição e calibração (estes últimos com significados diferentes até 1995). Assim, calibração de um equipamento de medição é interpretado atualmente como o processo pelo qual as leituras do equipamento sob análise são comparadas com os valores gerados pela unidade de medição padrão. Por sua vez, ajuste de um equipamento de medição é o processo de manutenção do equipamento que tenha apresentado erro significativo durante a calibração. Com respeito ao processo de calibração de equipamentos eletrônicos de medição, julgue os itens seguintes.

Considere a seguinte situação.

instrumento, a tensão de saída (designada por v e dada em

segundo, m/s). Quando uma velocidade c = 100 m/s é

é v = 25 mV.

por c(v) = 4×10³ v [( m/s)/V].

Julgue os itens que se seguem, referentes aos processos físicoquímicos envolvidos na incorporação de cátions e ânions durante o crescimento epitaxial de semicondutores compostos.

As temperaturas dos substratos durante o crescimento por epitaxia por feixe molecular devem ser mantidas abaixo da temperatura de evaporação congruente do composto que se deseja crescer.

Epitaxia é o crescimento regular e orientado de um cristal simples com espessura e dopagem controladas sobre um cristal simples e similar, chamado substrato. As técnicas epitaxiais são usadas para realizar junções, camadas ultrafinas, multipoços quânticos etc. com controle excelente na pureza, dopagem e espessura dos filmes. Existem muitas técnicas de epitaxia, mas as mais comuns são as epitaxias por fase líquida, por fase vapor e por feixe molecular. Com referência a essas técnicas, julgue os itens a seguir.

A técnica de epitaxia por fase líquida é baseada em um diagrama de equilíbrio entre a fase líquida e a fusão congruente do sólido. A fusão congruente ocorre em qualquer temperatura na qual o sólido e o líquido tenham a mesma composição.

Considerando o trecho de código em Perl acima, julgue os itens a seguir.

Nas linhas de 4 a 7, é mostrado um trecho de código no qual, se a variável $ mail_to tivesse o valor [email protected]; mail [email protected]</etc/passwd permitiria que o arquivo de passwords fosse enviado a um usuário malicioso.

Julgue os seguintes itens, relativos a dispositivos elétricos ou eletrônicos.

A geometria do FinFET, que é um dispositivo com dois terminais de porta, é feita com a intenção de reforçar os efeitos provenientes da redução do comprimento do canal.

A tabela periódica dos elementos é uma ferramenta importante na análise química e física, pois evidencia tendências recursivas (ou periódicas) nas propriedades dos diversos elementos químicos existentes. A consulta à tabela permite, por exemplo, a identificação e seleção dos elementos a serem utilizados na síntese de dispositivos semicondutores. Com respeito às características dessa tabela e de seus elementos, julgue os itens a seguir.

Na tabela periódica, os elementos B (boro), Si (silício), Ge (germânio), As (arsênio), Sb (antimônio) e Ir (irídio), entre outros, estão agrupados como semicondutores, ou seja, elementos cuja condutividade elétrica situa-se entre a dos metais e a dos isolantes.

Julgue os itens a seguir, relativos às técnicas de caracterização de superfícies e de caracterização elétrica de semicondutores.

A microscopia de força atômica oferece a possibilidade de observação da superfície do material em escalas nanométricas somente para materiais condutores e semicondutores, enquanto que a microscopia por tunelamento pode examinar as topografias da superfície de materiais condutores e não-condutores.

Epitaxia é o crescimento regular e orientado de um cristal simples com espessura e dopagem controladas sobre um cristal simples e similar, chamado substrato. As técnicas epitaxiais são usadas para realizar junções, camadas ultrafinas, multipoços quânticos etc. com controle excelente na pureza, dopagem e espessura dos filmes. Existem muitas técnicas de epitaxia, mas as mais comuns são as epitaxias por fase líquida, por fase vapor e por feixe molecular. Com referência a essas técnicas, julgue os itens a seguir.

A técnica de epitaxia por fase vapor é também chamada de deposição por vapor químico. Uma das modalidades de deposição por vapor químico mais usadas é a epitaxia por fase vapor de organometálicos.

Acerca da caracterização óptica e química de semicondutores, julgue os próximos itens.

A fotoluminescência pode ser de dois tipos: fluorescente ou fosforescente, sendo que a primeira é um processo muito rápido e a segunda é um processo mais lento.

Quanto ao funcionamento das bombas de vácuo iônica e de sublimação de titânio, julgue os próximos itens.

Para que a bomba iônica mantenha o seu funcionamento mesmo a baixas pressões, a câmara de descarga elétrica deve ser imersa em um campo magnético de 1 kG a 2 kG, criado por um ímã permanente.

Julgue os itens a seguir, relativos às técnicas de caracterização de superfícies e de caracterização elétrica de semicondutores.

As mobilidades dos portadores dependem fortemente de dois tipos de espalhamento que são influenciados pela temperatura. Em altas temperaturas, a mobilidade é limitada pelo espalhamento por impurezas, e em baixas temperaturas ela é limitada pelo espalhamento por fônons ópticos.

Acerca dos dispositivos de onda acústica de superfície — surface acoustic wave (SAW) —, julgue os itens subseqüentes.

Utilizam materiais piezelétricos para fazer a transdução da energia mecânica proveniente das ondas acústicas de superfície em energia elétrica e vice-versa.

Acerca de linguagens de descrição de hardware, julgue os itens seguintes.

Um dos motivos que fazem com que a linguagem de programação C seja adequada para a modelagem de hardware é o fato de essa linguagem incluir primitivas que descrevem paralelismo no nível de processos, essencial para descrições de hardware.

O processo de dopagem é um dos passos mais importantes na fabricação de muitos dispositivos eletrônicos e optoeletrônicos. As três técnicas mais comuns para dopagem em semicondutores são: crescimento epitaxial, difusão, implantação de íons. Julgue os itens subseqüentes, relativos a essas três técnicas de dopagem.

A técnica de difusão de impurezas é mais utilizada para a dopagem em semicondutores compostos, tal como o arseneto de gálio, e menos utilizada para dopagem em semicondutores simples, tal como o silício.

Julgue os itens que se seguem, referentes aos processos físicoquímicos envolvidos na incorporação de cátions e ânions durante o crescimento epitaxial de semicondutores compostos.

A adsorção química é realizada por meio de interações de Van der Waals e não forma ligação química.

Com referência a aplicações e mercados de energia fotovoltaica, julgue os seguintes itens.

Novas tecnologias estão surgindo no mercado, tais como células solares à base de corante e também confeccionadas com polímeros. A grande vantagem dessas novas tecnologias, além do seu preço reduzido, é que possuem eficiências de conversão maiores do que a célula solar de silício.

Com relação aos processos físicos e químicos de fabricação de dispositivo eletroeletrônicos, julgue os itens que se seguem.

A taxa de deposição na evaporação depende da pressão do vapor e da geometria do reator.

Acerca da caracterização óptica e química de semicondutores, julgue os próximos itens.

Um sistema para medidas de fotoluminescência deve consistir basicamente de: fonte de excitação, criostato com temperatura variável com prendedor de amostra acoplado, espectrômetro de varredura de alta resolução e sistema de detecção.

Julgue os itens a seguir, relativos às técnicas de caracterização de superfícies e de caracterização elétrica de semicondutores.

A mobilidade dos portadores pode ser determinada por medida Hall, em que o movimento dos portadores através da amostra é alterado pela força de Lorentz devido a um campo elétrico aplicado.