Por David Castilho em 10/01/2025 08:31:24🎓 Equipe Gabarite
Gabarito: a) Certo
O MOSFET (Transistor de Efeito de Campo de Metal-Oxido-Semicondutor) é um tipo de transistor de efeito de campo que possui um canal que pode ser de material semicondutor do tipo P (fonte e dreno N) ou N (fonte e dreno P).
Uma das características do MOSFET é que a profundidade desse canal pode ser modulada eletricamente por uma tensão de controle aplicada no terminal chamado de porta (gate). Assim, ao aplicar uma tensão na porta do MOSFET, é possível controlar a condutividade do canal e, consequentemente, a passagem de corrente entre o dreno e a fonte.
Portanto, o item está correto ao afirmar que o dispositivo MOSFET possui um canal que pode ser de material semicondutor do tipo P ou N, e que a profundidade desse canal pode ser modulada eletricamente por uma tensão de controle.
O MOSFET (Transistor de Efeito de Campo de Metal-Oxido-Semicondutor) é um tipo de transistor de efeito de campo que possui um canal que pode ser de material semicondutor do tipo P (fonte e dreno N) ou N (fonte e dreno P).
Uma das características do MOSFET é que a profundidade desse canal pode ser modulada eletricamente por uma tensão de controle aplicada no terminal chamado de porta (gate). Assim, ao aplicar uma tensão na porta do MOSFET, é possível controlar a condutividade do canal e, consequentemente, a passagem de corrente entre o dreno e a fonte.
Portanto, o item está correto ao afirmar que o dispositivo MOSFET possui um canal que pode ser de material semicondutor do tipo P ou N, e que a profundidade desse canal pode ser modulada eletricamente por uma tensão de controle.