Em um substrato de silício fortemente dopado com Boro, é crescida uma camada epitaxial ...

a) Possibilitar a criação de dispositivos PMOS.

b) Possibilitar a criação de dispositivos NMOS.

c) Reduzir a possibilidade de interferência de sinal entre transistores vizinhos.

d) Servir como dreno ou fonte para os transistores NMOS.

e) Introduzir dispositivos do tipo diodo retificador no chip.

Responda: Em um substrato de silício fortemente dopado com Boro, é crescida uma camada epitaxial fracamente dopada com Boro, dentro da qual pode ser criada uma região denominada poço n. Qual é a principal fi...