Questões Concurso – Tecnologista Pleno 3 – Engenharia Elétrica CESPE

O funcionamento dos dispositivos e circuitos utilizados nas tecnologias da informação é fundamentalmente determinado pelo comportamento dos portadores de carga elétrica que os percorrem. Tais dispositivos e circuitos têm as suas funcionalidades determinadas pelo controle que exercem sobre o fluxo de carga elétrica em seu interior. O movimento de cargas elétricas em determinada região é definido pela ação de campos eletromagnéticos nela aplicados e pela interação entre essas cargas elétricas e os átomos e moléculas, isolados ou em rede organizada, presentes nessa região. A análise desse movimento, induzido pelos campos eletromagnéticos, leva à determinação de grandezas de interesse, tais como a corrente elétrica através de um dispositivo ou circuito e a potência elétrica nele dissipada. Considerando essas informações, julgue os itens seguintes, relativos à dinâmica dos elétrons em sólidos e no vácuo.

A corrente elétrica em transistores de efeito de campo é limitada, para campos elétricos de baixa intensidade, pela saturação de velocidade na região do canal.

A complexidade dos circuitos com alta escala de integração implica desafios para o desenvolvimento de procedimentos de caracterização, associados à dificuldade de acesso dos dispositivos e à malha de interconexões entre eles. A evolução das tecnologias, com a conseqüente redução das dimensões de dispositivos e o aumento da densidade dos circuitos integrados desenvolvidos, tem demandado cada vez mais o desenvolvimento de procedimentos de caracterização não-destrutivos e não-invasivos. No que se refere a esse tema, julgue os itens seguintes.

O emprego da microscopia de força atômica na caracterização elétrica de dispositivos em circuitos integrados de alta densidade deve possibilitar uma avaliação precisa e não-invasiva do nível de dopagem em junções semicondutoras.

Na fabricação de circuitos integrados, que são constituídos a partir da interligação de diversos componentes construídos em um substrato comum, as interconexões físicas entre dispositivos são de extrema importância, pois o desempenho final do circuito é fortemente influenciado pelas propriedades das interconexões. A evolução tecnológica na atualidade dá-se na direção de materiais de alta condutividade, materiais dielétricos de alta e de baixa permissividade e materiais adequados à realização de contatos elétricos, entre outros. A respeito desse assunto, julgue os itens subseqüentes.

A janela de contato em uma tecnologia CMOS-VLSI tem dimensões reduzidas e inalteráveis. Tal fato resulta em severo obstáculo à otimização da resistência dos contatos elétricos.

Na fabricação de circuitos integrados, que são constituídos a partir da interligação de diversos componentes construídos em um substrato comum, as interconexões físicas entre dispositivos são de extrema importância, pois o desempenho final do circuito é fortemente influenciado pelas propriedades das interconexões. A evolução tecnológica na atualidade dá-se na direção de materiais de alta condutividade, materiais dielétricos de alta e de baixa permissividade e materiais adequados à realização de contatos elétricos, entre outros. A respeito desse assunto, julgue os itens subseqüentes.

A escolha de materiais para interconexões em tecnologias VLSI deve considerar, além do comportamento elétrico, o comportamento térmico, o comportamento mecânico, a reatividade química e a plasticidade, entre outros fatores.

Na fabricação de circuitos integrados, que são constituídos a partir da interligação de diversos componentes construídos em um substrato comum, as interconexões físicas entre dispositivos são de extrema importância, pois o desempenho final do circuito é fortemente influenciado pelas propriedades das interconexões. A evolução tecnológica na atualidade dá-se na direção de materiais de alta condutividade, materiais dielétricos de alta e de baixa permissividade e materiais adequados à realização de contatos elétricos, entre outros. A respeito desse assunto, julgue os itens subseqüentes.

As dimensões dos contatos elétricos em tecnologias VLSI requerem o uso de processos úmidos de corrosão para que as suas especificações sejam atingidas.

O funcionamento dos dispositivos e circuitos utilizados nas tecnologias da informação é fundamentalmente determinado pelo comportamento dos portadores de carga elétrica que os percorrem. Tais dispositivos e circuitos têm as suas funcionalidades determinadas pelo controle que exercem sobre o fluxo de carga elétrica em seu interior. O movimento de cargas elétricas em determinada região é definido pela ação de campos eletromagnéticos nela aplicados e pela interação entre essas cargas elétricas e os átomos e moléculas, isolados ou em rede organizada, presentes nessa região. A análise desse movimento, induzido pelos campos eletromagnéticos, leva à determinação de grandezas de interesse, tais como a corrente elétrica através de um dispositivo ou circuito e a potência elétrica nele dissipada. Considerando essas informações, julgue os itens seguintes, relativos à dinâmica dos elétrons em sólidos e no vácuo.

Os efeitos multiplicativos presentes na ruptura por avalanche podem ser aproveitados na construção de fotodetetores rápidos.

A fabricação de dispositivos e circuitos integrados emprega uma variedade de procedimentos de transformação de superfícies, entre os quais aqueles destinados à agregação (deposição) de materiais na superfície de um substrato. Também são empregados procedimentos de remoção seletiva de camadas de materiais. A conjugação de procedimentos de deposição e de remoção seletiva de camadas viabiliza a definição da estrutura dos dispositivos e das conexões entre eles, constituindo circuitos integrados. Com relação a esse assunto, julgue os seguintes itens.

A redução progressiva das dimensões dos dispositivos nos circuitos integrados da atualidade tem levado a um incremento no uso de procedimentos de deposição por CVD, em comparação com os procedimentos de deposição por plasma-CVD, devido às mais baixas temperaturas de operação utilizadas nos processos CVD.

Na fabricação de circuitos integrados, que são constituídos a partir da interligação de diversos componentes construídos em um substrato comum, as interconexões físicas entre dispositivos são de extrema importância, pois o desempenho final do circuito é fortemente influenciado pelas propriedades das interconexões. A evolução tecnológica na atualidade dá-se na direção de materiais de alta condutividade, materiais dielétricos de alta e de baixa permissividade e materiais adequados à realização de contatos elétricos, entre outros. A respeito desse assunto, julgue os itens subseqüentes.

Em circuitos integrados de alta densidade, o desempenho dinâmico é estabelecido, hoje em dia, não pelo desempenho individual dos dispositivos, mas pelos atrasos nas interconexões.

A complexidade dos circuitos com alta escala de integração implica desafios para o desenvolvimento de procedimentos de caracterização, associados à dificuldade de acesso dos dispositivos e à malha de interconexões entre eles. A evolução das tecnologias, com a conseqüente redução das dimensões de dispositivos e o aumento da densidade dos circuitos integrados desenvolvidos, tem demandado cada vez mais o desenvolvimento de procedimentos de caracterização não-destrutivos e não-invasivos. No que se refere a esse tema, julgue os itens seguintes.

A microscopia eletrônica de varredura por tunelamento (STM) é um procedimento não-destrutivo de análise de superfícies, cujas características de resolução espacial e sensibilidade são particularmente adequadas às tecnologias VLSI e às nanotecnologias.

O funcionamento dos dispositivos e circuitos utilizados nas tecnologias da informação é fundamentalmente determinado pelo comportamento dos portadores de carga elétrica que os percorrem. Tais dispositivos e circuitos têm as suas funcionalidades determinadas pelo controle que exercem sobre o fluxo de carga elétrica em seu interior. O movimento de cargas elétricas em determinada região é definido pela ação de campos eletromagnéticos nela aplicados e pela interação entre essas cargas elétricas e os átomos e moléculas, isolados ou em rede organizada, presentes nessa região. A análise desse movimento, induzido pelos campos eletromagnéticos, leva à determinação de grandezas de interesse, tais como a corrente elétrica através de um dispositivo ou circuito e a potência elétrica nele dissipada. Considerando essas informações, julgue os itens seguintes, relativos à dinâmica dos elétrons em sólidos e no vácuo.

O espalhamento de portadores de carga em um dispositivo eletrônico, provocado pelas interações com os átomos do meio por onde transitam, produz, além de flutuações de velocidade, ruído e dissipação de potência.

O funcionamento dos dispositivos e circuitos utilizados nas tecnologias da informação é fundamentalmente determinado pelo comportamento dos portadores de carga elétrica que os percorrem. Tais dispositivos e circuitos têm as suas funcionalidades determinadas pelo controle que exercem sobre o fluxo de carga elétrica em seu interior. O movimento de cargas elétricas em determinada região é definido pela ação de campos eletromagnéticos nela aplicados e pela interação entre essas cargas elétricas e os átomos e moléculas, isolados ou em rede organizada, presentes nessa região. A análise desse movimento, induzido pelos campos eletromagnéticos, leva à determinação de grandezas de interesse, tais como a corrente elétrica através de um dispositivo ou circuito e a potência elétrica nele dissipada. Considerando essas informações, julgue os itens seguintes, relativos à dinâmica dos elétrons em sólidos e no vácuo.

Os processos de recombinação de portadores são fundamentais para a comutação em dispositivos como os diodos de junção PN.

A complexidade dos circuitos com alta escala de integração implica desafios para o desenvolvimento de procedimentos de caracterização, associados à dificuldade de acesso dos dispositivos e à malha de interconexões entre eles. A evolução das tecnologias, com a conseqüente redução das dimensões de dispositivos e o aumento da densidade dos circuitos integrados desenvolvidos, tem demandado cada vez mais o desenvolvimento de procedimentos de caracterização não-destrutivos e não-invasivos. No que se refere a esse tema, julgue os itens seguintes.

A combinação de procedimentos elétricos e ópticos de caracterização permite a identificação de falhas em circuitos integrados de alta densidade, acelerando o processo de caracterização.

O funcionamento dos dispositivos e circuitos utilizados nas tecnologias da informação é fundamentalmente determinado pelo comportamento dos portadores de carga elétrica que os percorrem. Tais dispositivos e circuitos têm as suas funcionalidades determinadas pelo controle que exercem sobre o fluxo de carga elétrica em seu interior. O movimento de cargas elétricas em determinada região é definido pela ação de campos eletromagnéticos nela aplicados e pela interação entre essas cargas elétricas e os átomos e moléculas, isolados ou em rede organizada, presentes nessa região. A análise desse movimento, induzido pelos campos eletromagnéticos, leva à determinação de grandezas de interesse, tais como a corrente elétrica através de um dispositivo ou circuito e a potência elétrica nele dissipada. Considerando essas informações, julgue os itens seguintes, relativos à dinâmica dos elétrons em sólidos e no vácuo.

O mecanismo de transporte de carga elétrica por tunelamento adquire importância crescente nas tecnologias com alta densidade de integração, sendo mesmo um fator limitante para a redução das dimensões em tecnologias CMOS-VLSI.

Na fabricação de circuitos integrados, que são constituídos a partir da interligação de diversos componentes construídos em um substrato comum, as interconexões físicas entre dispositivos são de extrema importância, pois o desempenho final do circuito é fortemente influenciado pelas propriedades das interconexões. A evolução tecnológica na atualidade dá-se na direção de materiais de alta condutividade, materiais dielétricos de alta e de baixa permissividade e materiais adequados à realização de contatos elétricos, entre outros. A respeito desse assunto, julgue os itens subseqüentes.

As restrições dimensionais para as camadas de dielétricos intermetais em tecnologias VLSI, com múltiplos níveis de interconexão, podem ser minimizadas com o emprego de materiais dielétricos de alta permissividade.

A caracterização e a análise de propriedades elétricas e ópticas de materiais e dispositivos (eletrônicos e eletrópticos) é atividade de interesse fundamental no desenvolvimento das tecnologias de informação. Quanto a esse tema, julgue os itens que se seguem.

Medidas de capacitância versus tensão em estruturas MIS permitem avaliar a presença de defeitos no dielétrico e na interface dielétrico-semicondutor.

O funcionamento dos dispositivos e circuitos utilizados nas tecnologias da informação é fundamentalmente determinado pelo comportamento dos portadores de carga elétrica que os percorrem. Tais dispositivos e circuitos têm as suas funcionalidades determinadas pelo controle que exercem sobre o fluxo de carga elétrica em seu interior. O movimento de cargas elétricas em determinada região é definido pela ação de campos eletromagnéticos nela aplicados e pela interação entre essas cargas elétricas e os átomos e moléculas, isolados ou em rede organizada, presentes nessa região. A análise desse movimento, induzido pelos campos eletromagnéticos, leva à determinação de grandezas de interesse, tais como a corrente elétrica através de um dispositivo ou circuito e a potência elétrica nele dissipada. Considerando essas informações, julgue os itens seguintes, relativos à dinâmica dos elétrons em sólidos e no vácuo.

O mecanismo de transporte predominante na região do canal de um transistor de efeito de campo é a difusão.

A complexidade dos circuitos com alta escala de integração implica desafios para o desenvolvimento de procedimentos de caracterização, associados à dificuldade de acesso dos dispositivos e à malha de interconexões entre eles. A evolução das tecnologias, com a conseqüente redução das dimensões de dispositivos e o aumento da densidade dos circuitos integrados desenvolvidos, tem demandado cada vez mais o desenvolvimento de procedimentos de caracterização não-destrutivos e não-invasivos. No que se refere a esse tema, julgue os itens seguintes.

A opção pelo uso de técnicas de caracterização não-invasivas deve-se também a aspectos econômicos, na medida em que as amostras utilizadas na análise poderiam, em princípio, ser aproveitadas na produção, aumentando a produtividade (yield).