Por que se utiliza a lâmina de Si com orientação cristalina (100) para a fabricação de dispositivos para a tecnologia CMOS? A) Quando crescido o óxido de Si sobre a lâmina, apresenta a maior densidade de defeitos na interface entre SiO 2 /Si. B) Não se utiliza a orientação (100) para a fabricação de dispositivos para a tecnologia CMOS e sim a orientação (110). C) Quando crescido o óxido de Si sobre a lâmina, apresenta a menor densidade de defeitos na interface entre SiO 2 /Si. D) Quando crescido o óxido de Si sobre a lâmina, apresenta a menor densidade de defeitos na interface entre Si 3 N 4 /Si. E) Não se utiliza a orientação (100) para a fabricação de dispositivos para a tecnologia CMOS e sim a orientação (111).

C) Quando crescido o óxido de Si sobre a lâmina, apresenta a menor densidade de defeitos na interface entre SiO 2 /Si.

Por que se utiliza a lâmina de Si com orientação cristalina (100) para a fabricação de ...

Por que se utiliza a lâmina de Si com orientação cristalina (100) para a fabricação de dispositivos para a tecnologia CMOS?

✂️ a) Quando crescido o óxido de Si sobre a lâmina, apresenta a maior densidade de defeitos na interface entre SiO₂/Si.
✂️ b) Não se utiliza a orientação (100) para a fabricação de dispositivos para a tecnologia CMOS e sim a orientação (110).
✂️ c) Quando crescido o óxido de Si sobre a lâmina, apresenta a menor densidade de defeitos na interface entre SiO₂/Si.
✂️ d) Quando crescido o óxido de Si sobre a lâmina, apresenta a menor densidade de defeitos na interface entre Si₃N₄/Si.
✂️ e) Não se utiliza a orientação (100) para a fabricação de dispositivos para a tecnologia CMOS e sim a orientação (111).