Questões de Concursos

Um transistor MOSFET possui algumas regiões de operação que variam conforme a polarização dos terminais deste dispositivo. A única alternativa que NÃO corresponde a uma região de operação de um MOSFET é

Células especiais que são usadas com a técnica de power gating são:

Ao realizar alguns testes em um transistor MOS desconhecido, um engenheiro conectou o terminal fonte ao terra e o terminal dreno a uma tensão positiva de forma que V_DS>0. O terminal de porta também foi aterrado, fazendo V_GS = 0. Variando V_DS, conseguiu medir diferentes valores de corrente entre dreno e fonte (I_DS), encontrando uma curva esperada para transistores MOS. Com estas informações, é possível afirmar que este transistor:

Os dispositivos semicondutores são formados por diversos tipos de junção. Um destes tipos de junção é a chamada junção PN. O componente formado, basicamente, por uma junção PN é o

Analisando as características de um diodo, foram escritas as seguintes observações. I) Polarizar diretamente um diodo significa aplicar um potencial em seu anodo maior que o potencial do catodo. II) Com aplicação de polarização direta em um diodo, tem-se uma redução das dimensões da região de depleção, bem como uma redução do campo elétrico e do potencial elétrico na interface entre os semicondutores tipo P e tipo N. III) Polarizar reversamente um diodo significa aplicar um potencial em seu anodo maior que o potencial do catodo. Estão corretas as observações:

Durante um estudo de caracterização de um MOSFET, foram utilizados 2 (dois) equipamentos para controlar a tensão entre porta e fonte (V_GS) e entre dreno e fonte (V_DS). Tais equipamentos permitem medir a corrente fornecida, e, desta forma, foi medida a corrente entre dreno e fonte (I_DS). Com este esquema de testes, V_DS foi mantido fixo a 0,1V e variou-se V_GS medindo-se I_DS. Os pontos resultantes foram marcados em um gráfico (abscissa V_GS e ordenada I_DS) e foi traçada a reta tangente à curva com maior inclinação com relação ao eixo horizontal. O ponto de interseção da extrapolação desta reta com o eixo horizontal determina para este transistor a:

Um engenheiro, ao realizar testes com um transistor MOSFET de canal N tipo enriquecimento, conectou o terminal fonte ao terra e aplicou uma tensão de 1,5V ao terminal de porta. É sabido que este transistor possui uma tensão de limiar (Vt) de 0,7V. Em seguida, aplicou tensões ao terminal de dreno com valores de: 0,5V; 0,9V e 2 V. Pode-se afirmar que, para cada valor de tensão aplicada ao dreno, o transistor estava operando, respectivamente, nas regiões de:

O que é a técnica de fotolitografia?

Assinale a alternativa que apresenta somente técnicas de isolação entre dispositivos na tecnologia CMOS.

Um transistor MOS apresenta um tipo de corrente conhecida como corrente sublimiar. Quanto a esta corrente, analise as sentenças a seguir para um NMOSFET: I) A corrente sublimiar é a corrente entre dreno e fonte (I_DS) quando o valor da tensão entre porta e fonte (V_GS) é menor que a tensão de limiar (V_t). II) A corrente sublimiar é sempre nula. III) Para valores de VGS menores que V_t, porém próximos a este último, pode-se afirmar que a corrente sublimiar é relacionada a V_GS de forma exponencial. Estão corretas as sentenças:

Para se fabricar um inversor com transistores MOS, pode-se fazê-lo utilizando:

Os disparos parasitários ou latch-ups constituem um tipo particular de curto-circuito criado inadvertidamente em circuitos integrados pelo estabelecimento de um caminho de baixa impedância entre os trilhos de alimentação do circuito do MOSFET (transistor de efeito de campo tipo metal-óxido-semicondutor). A estrutura parasita estabelecida pelo latch-up é equivalente ao seguinte tiristor:

Um dos dispositivos semicondutores mais básicos são os diodos. Com relação ao comportamento de um diodo, analise as seguintes assertivas: I) Em um diodo em equilíbrio, aparece uma região chamada região de depleção, que é formada pelo mecanismo de difusão de portadores majoritários entre semicondutores tipo P e tipo N, na área de interface entre estes. Tal região é limitada em torno da interface entre os materiais. II) A região de depleção tem seu tamanho limitado, pois os portadores, ao se deslocarem através da interface, fazem com que os materiais semicondutores deixem de ser neutros. Isso causa o aparecimento de um campo elétrico e a formação de uma corrente chamada corrente de deriva, que contrabalanceia a corrente de difusão. Com relação a estas assertivas, pode-se afirmar que:

Quais das alternativas a seguir apresenta as etapas sequenciais do método padrão RCA para limpeza de lâminas de Si?

No escalamento da tecnologia CMOS, que dimensões dos transistores MOS seguem a tendência de redução?

Para a inserção de capacitores em circuitos integrados, alguns tipos de estruturas são possíveis. Um destes tipos é o capacitor MOS. Analisando-se um capacitor MOS, pode-se afirmar que sua capacitância

Ao analisar um capacitor MOS, pode-se traçar uma curva do valor de capacitância em função da tensão aplicada aos terminais. Sobre esta curva, conhecida como curva CV, pode-se afirmar que

Quais são as principais vantagens da tecnologia CMOS?

Comparando-se os danos (defeitos) produzidos na camada superficial de material durante corrosão RIE convencional (acoplamento capacitivo) e ICP, observa-se o seguinte:

Uma das etapas de fabricação de circuitos integrados é a dopagem de semicondutores. O coeficiente de difusão do Boro no substrato é de 3.10^-15 cm2/s à 950º C. A 850º C o coeficiente de difusão do Boro no substrato é de 1,5.10^-16 cm²/s. Sabendo-se que, a 950º C, o processo desejado é realizado em 30 minutos, quanto tempo durará o processo a 850º C, para que se obtenha o mesmo resultado.