Um engenheiro realizou alguns testes com um transistor MOSFET de canal N para tentar caracterizá-lo. Ele estudou a variação das tensões entre porta e fonte (VGS ), e entre dreno e fonte (VDS ). Sendo assim, analise as seguintes asserções feitas:
I) Para uma tensão VGS fixa, acima da tensão de limiar (Vt ), variando-se a tensão VDS existe um valor desta última que faz com que o transistor entre na região de saturação.
II) Se VDS = VGS - Vt , a diferença de potencial entre porta e dreno fica igual à tensão de limiar (Vt), e o canal atinge sua largura máxima, ponto a partir do qual mudanças em VDS têm pouco efeito sobre o valor de corrente entre fonte e dreno, e o transistor se diz saturado.
Com relação a estas assertivas, pode-se afirmar que:
✂️ a) As duas assertivas são verdadeiras, e a segunda é uma justificativa correta da primeira. ✂️ b) As duas assertivas são verdadeiras, mas a segunda não é uma justificativa correta da primeira. ✂️ c) A primeira assertiva é uma proposição verdadeira, e a segunda é uma proposição falsa. ✂️ d) A primeira assertiva é uma proposição falsa, e a segunda é uma proposição verdadeira. ✂️ e) Tanto a primeira como a segunda assertivas são falsas.