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1

Q1000426 • Engenharia Eletrônica • Transistor • IBFC • CORREIOS • Engenheiro Engenharia Eletrônica • 2024
Vamos considerar um MOSFET em configuração de dreno comum (seguidor de fonte) em que a resistência de carga, Rl, é igual a 2 KΩ. Se o MOSFET apresenta uma transcondutância, gm, de 3mS, assinale a alternativa que apresenta o ganho de tensão desta configuração.
- a) 1
- b) 0,86
- c) 1,17
- d) 0,5
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2

Q1000425 • Engenharia Eletrônica • Transistor • IBFC • CORREIOS • Engenheiro Engenharia Eletrônica • 2024
Um transistor BJT pode apresentar diferentes regiões de operação. Uma delas é a de saturação deste, em que: ______. Assinale a alternativa que preencha corretamente a lacuna.
- a) o ganho de corrente diminui em relação a região ativa
- b) o transistor ainda é capaz de amplificar sinais adequadamente
- c) a diferença de potencial de coletor-emissor V_CEé alta
- d) o transistor apresenta o comportamento de um resistor ideal
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3

Q961244 • Engenharia Eletrônica • Transistor • CONSULPLAN • TRF 2a REGIÃO • Engenharia Eletrônica
São características de fontes de alimentação chaveadas, EXCETO:
- a) Menor dissipação de temperatura.
- b) Podem possuir eficiência superior a 65%.
- c) O transistor de chaveamento trabalha na região linear.
- d) Podem gerar ruídos audíveis e interferência eletromagnética.
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4

Q961241 • Engenharia Eletrônica • Transistor • CONSULPLAN • TRF 2a REGIÃO • Engenharia Eletrônica
VGS (off) é um parâmetro presente nas folhas de dados de um JFET. Este parâmetro corresponde à:
- a) Tensão de transcondutância.
- b) Tensão de estrangulamento.
- c) Tensão de polarização do JFET.
- d) Tensão de corte Gate – Source.
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5

Q958523 • Engenharia Eletrônica • Transistor • CESPE CEBRASPE • Polícia Federal • Engenheiro Eletricista
Com base nessas informações, julgue os itens subsequentes.

Se a tensão de referência do conversor A/D for V_ref = 5 V, então a resolução correspondente será inferior a 2 mV.
- a) Certo
- b) Errado
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