Questões de Concursos Transistor Resolva questões de Transistor comentadas com gabarito, online ou em PDF, revisando rapidamente e fixando o conteúdo de forma prática. Filtrar questões 💡 Caso não encontre resultados, diminua os filtros. Transistor Ordenar por: Mais populares Mais recentes Mais comentadas Filtrar questões: Exibir todas as questões Exibir questões resolvidas Excluir questões resolvidas Exibir questões que errei Filtrar 1Q961244 | Engenharia Eletrônica, Transistor, Engenharia Eletrônica, TRF 2a REGIÃO, CONSULPLAN, 2017São características de fontes de alimentação chaveadas, EXCETO: ✂️ a) Menor dissipação de temperatura. ✂️ b) Podem possuir eficiência superior a 65%. ✂️ c) O transistor de chaveamento trabalha na região linear. ✂️ d) Podem gerar ruídos audíveis e interferência eletromagnética. Resolver questão 🗨️ Comentários 📊 Estatísticas 📁 Salvar 🧠 Mapa Mental 🏳️ Reportar erro 2Q961241 | Engenharia Eletrônica, Transistor, Engenharia Eletrônica, TRF 2a REGIÃO, CONSULPLAN, 2017VGS (off) é um parâmetro presente nas folhas de dados de um JFET. Este parâmetro corresponde à: ✂️ a) Tensão de transcondutância. ✂️ b) Tensão de estrangulamento. ✂️ c) Tensão de polarização do JFET. ✂️ d) Tensão de corte Gate – Source. Resolver questão 🗨️ Comentários 📊 Estatísticas 📁 Salvar 🧠 Mapa Mental 🏳️ Reportar erro 3Q958523 | Engenharia Eletrônica, Transistor, Engenheiro Eletricista, Polícia Federal, CESPE CEBRASPECom base nessas informações, julgue os itens subsequentes. Se a tensão de referência do conversor A/D for Vref = 5 V, então a resolução correspondente será inferior a 2 mV. ✂️ a) Certo ✂️ b) Errado Resolver questão 🗨️ Comentários 📊 Estatísticas 📁 Salvar 🧠 Mapa Mental 🏳️ Reportar erro 4Q1000425 | Engenharia Eletrônica, Transistor, Engenheiro Engenharia Eletrônica, CORREIOS, IBFC, 2024Um transistor BJT pode apresentar diferentes regiões de operação. Uma delas é a de saturação deste, em que: ______. Assinale a alternativa que preencha corretamente a lacuna. ✂️ a) o ganho de corrente diminui em relação a região ativa ✂️ b) o transistor ainda é capaz de amplificar sinais adequadamente ✂️ c) a diferença de potencial de coletor-emissor VCEé alta ✂️ d) o transistor apresenta o comportamento de um resistor ideal Resolver questão 🗨️ Comentários 📊 Estatísticas 📁 Salvar 🧠 Mapa Mental 🏳️ Reportar erro 5Q1000426 | Engenharia Eletrônica, Transistor, Engenheiro Engenharia Eletrônica, CORREIOS, IBFC, 2024Vamos considerar um MOSFET em configuração de dreno comum (seguidor de fonte) em que a resistência de carga, Rl, é igual a 2 KΩ. Se o MOSFET apresenta uma transcondutância, gm, de 3mS, assinale a alternativa que apresenta o ganho de tensão desta configuração. ✂️ a) 1 ✂️ b) 0,86 ✂️ c) 1,17 ✂️ d) 0,5 Resolver questão 🗨️ Comentários 📊 Estatísticas 📁 Salvar 🧠 Mapa Mental 🏳️ Reportar erro 🖨️ Baixar PDF
1Q961244 | Engenharia Eletrônica, Transistor, Engenharia Eletrônica, TRF 2a REGIÃO, CONSULPLAN, 2017São características de fontes de alimentação chaveadas, EXCETO: ✂️ a) Menor dissipação de temperatura. ✂️ b) Podem possuir eficiência superior a 65%. ✂️ c) O transistor de chaveamento trabalha na região linear. ✂️ d) Podem gerar ruídos audíveis e interferência eletromagnética. Resolver questão 🗨️ Comentários 📊 Estatísticas 📁 Salvar 🧠 Mapa Mental 🏳️ Reportar erro
2Q961241 | Engenharia Eletrônica, Transistor, Engenharia Eletrônica, TRF 2a REGIÃO, CONSULPLAN, 2017VGS (off) é um parâmetro presente nas folhas de dados de um JFET. Este parâmetro corresponde à: ✂️ a) Tensão de transcondutância. ✂️ b) Tensão de estrangulamento. ✂️ c) Tensão de polarização do JFET. ✂️ d) Tensão de corte Gate – Source. Resolver questão 🗨️ Comentários 📊 Estatísticas 📁 Salvar 🧠 Mapa Mental 🏳️ Reportar erro
3Q958523 | Engenharia Eletrônica, Transistor, Engenheiro Eletricista, Polícia Federal, CESPE CEBRASPECom base nessas informações, julgue os itens subsequentes. Se a tensão de referência do conversor A/D for Vref = 5 V, então a resolução correspondente será inferior a 2 mV. ✂️ a) Certo ✂️ b) Errado Resolver questão 🗨️ Comentários 📊 Estatísticas 📁 Salvar 🧠 Mapa Mental 🏳️ Reportar erro
4Q1000425 | Engenharia Eletrônica, Transistor, Engenheiro Engenharia Eletrônica, CORREIOS, IBFC, 2024Um transistor BJT pode apresentar diferentes regiões de operação. Uma delas é a de saturação deste, em que: ______. Assinale a alternativa que preencha corretamente a lacuna. ✂️ a) o ganho de corrente diminui em relação a região ativa ✂️ b) o transistor ainda é capaz de amplificar sinais adequadamente ✂️ c) a diferença de potencial de coletor-emissor VCEé alta ✂️ d) o transistor apresenta o comportamento de um resistor ideal Resolver questão 🗨️ Comentários 📊 Estatísticas 📁 Salvar 🧠 Mapa Mental 🏳️ Reportar erro
5Q1000426 | Engenharia Eletrônica, Transistor, Engenheiro Engenharia Eletrônica, CORREIOS, IBFC, 2024Vamos considerar um MOSFET em configuração de dreno comum (seguidor de fonte) em que a resistência de carga, Rl, é igual a 2 KΩ. Se o MOSFET apresenta uma transcondutância, gm, de 3mS, assinale a alternativa que apresenta o ganho de tensão desta configuração. ✂️ a) 1 ✂️ b) 0,86 ✂️ c) 1,17 ✂️ d) 0,5 Resolver questão 🗨️ Comentários 📊 Estatísticas 📁 Salvar 🧠 Mapa Mental 🏳️ Reportar erro