Questões de Concursos

Em um dispositivo semicondutor, o movimento dos portadores de carga por deriva deve-se

As propriedades de um filme depositado por spin-on NÃO dependem do seguinte parâmetro:

Qual processo deve ser executado para corrigir os danos causados pela implantação de íons em lâmina de Si?

Qual principal vantagem dos plasmas RF em comparação com plasmas DC?

Com relação às aplicações do dióxido de silício, assinale a alternativa INCORRETA.

Leia as afirmativas abaixo acerca do processo de difusão. I – Quanto menor o coeficiente de difusão, maior a temperatura. II – De maneira geral, o coeficiente de difusão de átomos intersticiais é maior que o de átomos substitucionais. III – A taxa de difusão em regime estacionário é proporcional ao gradiente de concentração. Assinale a alternativa com a(s) afirmativa(s) verdadeira(s).

Qual a técnica utilizada para medir a espessura e o índice de refração de filmes de óxido de Si, de nitreto de Si e de silício policristalino, usados na tecnologia CMOS?

Qual a técnica usada para a obtenção de uma imagem em secção transversal, com alta resolução, de uma camada de SiO₂ sobre substrato Si, identificando as estruturas amorfa e cristalina do SiO₂ e Si, respectivamente.

Qual é a função do analisador magnético do sistema de implantação de íons?

Qual a definição da energia de band gap de materiais semicondutores ou isolantes?

Os terminais de um transistor bipolar de junção são denominados:

Qual técnica de análise é um método não invasivo para a identificação e determinação da estrutura cristalina de materiais?

Qual o intervalo típico de energia de íons em processo RIE?

Em três lâminas de Si iguais foram implantados os íons de ¹¹B⁺, na primeira, ³¹P⁺, na segunda e ⁷⁵As⁺, na terceira. Qual íon penetrará mais em sua respectiva lâmina de Si, ou seja, apresentará a maior profundidade no Si? Nota: todas as implantações foram executadas com as mesmas condições de energia, dose e ângulos de inclinação e rotação.

Leia as afirmativas abaixo. I – A dopagem de um semicondutor com elementos da família V-A da tabela periódica dá origem a semicondutores do tipo P. II – A dopagem de semicondutores com elementos da família III-A da tabela periódica dá origem a semicondutores do tipo P. III – Em semicondutores do tipo N há maior concentração de elétrons livres que em um semicondutor intrínseco. Assinale a opção que apresenta a(s) afirmativa(s) correta(s).

Dentre as aplicações abaixo, assinale a que NÃO corresponde a uma aplicação de spin-on.

Qual a técnica utilizada para medidas de taxa de corrosão em amostras?

A estrutura utilizada para medição de resistência de contato é a estrutura