Questões de Concursos

Por que se utiliza a lâmina de Si com orientação cristalina (100) para a fabricação de dispositivos para a tecnologia CMOS?

Leia atentamente as afirmativas abaixo. I – A difusividade no silicone monocristalino e policristalino é controlada pela difusão no interior do grão. II – No polissilício, os grãos são pequenos e a difusão no interior dos grãos ocorre muito rapidamente. III – No silício policristalino, a difusividade é controlada pela difusão nos contornos de grão. Está(estão) correta(s) a(s) afirmativa(s)

Em um processo de encapsulamento de circuito integrado utilizando Solda de Fios, qual fio é utilizado na técnica de Solda de Bola (Ball bonding)?

A maior parte dos circuitos integrados atualmente comercializados é processada a partir de que tipo de substrato indicado abaixo. Assinale-o.

Quais os principais dopantes usados para a obtenção de regiões dos tipos p e n em substratos de Si?

Qual o mecanismo de frenagem do íon implantado dentro do alvo (lâmina) que é predominante para altas energias do feixe iônico incidente?

Maior seletividade em processos de corrosão de SiO₂ em comparação com Si, é obtida com misturas de gases incluindo:

Maior anisotropia na corrosão de Si por plasma é obtida em misturas de gases com inclusão de gases:

Abaixo estão citadas diferentes técnicas de análise de materiais. Assinale a técnica que não pode ser utilizada para levantamento do perfil de dopagem em semicondutores.

Para que servem as lentes eletrostáticas no sistema de implantações de íons?