A operação de quase todos os dispositivos optoeletrônicos baseiase na criação ou aniquilação do par elétron-buraco. A formação desse par resulta da passagem de um elétron da banda de valência para a banda de condução, deixando na banda de valência um estado vazio, chamado de buraco. A partir dessas informações, julgue os itens que se seguem.

O par elétron-buraco pode ser criado, a princípio, por qualquer partícula energética incidente sobre o semicondutor, desde que esta tenha pelo menos energia igual à energia da banda proibida.

Julgue os itens que se seguem, relativos às progressões aritméticas e geométricas.

O número de inteiros consecutivos começando com 3 que devem ser somados para se obter o total 75 é menor do que 12.

De acordo com a nomenclatura metrológica moderna, os termos calibração e ajuste substituíram, respectivamente, os termos aferição e calibração (estes últimos com significados diferentes até 1995). Assim, calibração de um equipamento de medição é interpretado atualmente como o processo pelo qual as leituras do equipamento sob análise são comparadas com os valores gerados pela unidade de medição padrão. Por sua vez, ajuste de um equipamento de medição é o processo de manutenção do equipamento que tenha apresentado erro significativo durante a calibração. Com respeito ao processo de calibração de equipamentos eletrônicos de medição, julgue os itens seguintes.

Considere a seguinte situação.

instrumento, a tensão de saída (designada por v e dada em

segundo, m/s). Quando uma velocidade c = 100 m/s é

é v = 25 mV.

por c(v) = 4×10³ v [( m/s)/V].

Com relação a segurança em redes IEEE 802.11, julgue os itens seguintes.

Os três serviços de segurança básicos definidos pelo IEEE para as redes wireless (WLAN) são: autenticação, confidencialidade e integridade. A autenticação é considerada um objetivo primário do WEP, enquanto que confidencialidade e integridade são considerados serviços secundários.

Julgue os itens que se seguem, referentes aos processos físicoquímicos envolvidos na incorporação de cátions e ânions durante o crescimento epitaxial de semicondutores compostos.

As temperaturas dos substratos durante o crescimento por epitaxia por feixe molecular devem ser mantidas abaixo da temperatura de evaporação congruente do composto que se deseja crescer.

Epitaxia é o crescimento regular e orientado de um cristal simples com espessura e dopagem controladas sobre um cristal simples e similar, chamado substrato. As técnicas epitaxiais são usadas para realizar junções, camadas ultrafinas, multipoços quânticos etc. com controle excelente na pureza, dopagem e espessura dos filmes. Existem muitas técnicas de epitaxia, mas as mais comuns são as epitaxias por fase líquida, por fase vapor e por feixe molecular. Com referência a essas técnicas, julgue os itens a seguir.

A técnica de epitaxia por fase líquida é baseada em um diagrama de equilíbrio entre a fase líquida e a fusão congruente do sólido. A fusão congruente ocorre em qualquer temperatura na qual o sólido e o líquido tenham a mesma composição.

A tabela periódica dos elementos é uma ferramenta importante na análise química e física, pois evidencia tendências recursivas (ou periódicas) nas propriedades dos diversos elementos químicos existentes. A consulta à tabela permite, por exemplo, a identificação e seleção dos elementos a serem utilizados na síntese de dispositivos semicondutores. Com respeito às características dessa tabela e de seus elementos, julgue os itens a seguir.

Na tabela periódica, os elementos B (boro), Si (silício), Ge (germânio), As (arsênio), Sb (antimônio) e Ir (irídio), entre outros, estão agrupados como semicondutores, ou seja, elementos cuja condutividade elétrica situa-se entre a dos metais e a dos isolantes.

Julgue os seguintes itens, relativos a dispositivos elétricos ou eletrônicos.

A geometria do FinFET, que é um dispositivo com dois terminais de porta, é feita com a intenção de reforçar os efeitos provenientes da redução do comprimento do canal.

Quanto ao funcionamento das bombas de vácuo iônica e de sublimação de titânio, julgue os próximos itens.

Para que a bomba iônica mantenha o seu funcionamento mesmo a baixas pressões, a câmara de descarga elétrica deve ser imersa em um campo magnético de 1 kG a 2 kG, criado por um ímã permanente.

Acerca da caracterização óptica e química de semicondutores, julgue os próximos itens.

A fotoluminescência pode ser de dois tipos: fluorescente ou fosforescente, sendo que a primeira é um processo muito rápido e a segunda é um processo mais lento.

Julgue os itens a seguir, relativos às técnicas de caracterização de superfícies e de caracterização elétrica de semicondutores.

A mobilidade dos portadores pode ser determinada por medida Hall, em que o movimento dos portadores através da amostra é alterado pela força de Lorentz devido a um campo elétrico aplicado.

Julgue os itens a seguir, relativos às técnicas de caracterização de superfícies e de caracterização elétrica de semicondutores.

A microscopia de força atômica oferece a possibilidade de observação da superfície do material em escalas nanométricas somente para materiais condutores e semicondutores, enquanto que a microscopia por tunelamento pode examinar as topografias da superfície de materiais condutores e não-condutores.

Julgue os itens a seguir, relativos às técnicas de caracterização de superfícies e de caracterização elétrica de semicondutores.

As mobilidades dos portadores dependem fortemente de dois tipos de espalhamento que são influenciados pela temperatura. Em altas temperaturas, a mobilidade é limitada pelo espalhamento por impurezas, e em baixas temperaturas ela é limitada pelo espalhamento por fônons ópticos.

Com referência a aplicações e mercados de energia fotovoltaica, julgue os seguintes itens.

Novas tecnologias estão surgindo no mercado, tais como células solares à base de corante e também confeccionadas com polímeros. A grande vantagem dessas novas tecnologias, além do seu preço reduzido, é que possuem eficiências de conversão maiores do que a célula solar de silício.

Epitaxia é o crescimento regular e orientado de um cristal simples com espessura e dopagem controladas sobre um cristal simples e similar, chamado substrato. As técnicas epitaxiais são usadas para realizar junções, camadas ultrafinas, multipoços quânticos etc. com controle excelente na pureza, dopagem e espessura dos filmes. Existem muitas técnicas de epitaxia, mas as mais comuns são as epitaxias por fase líquida, por fase vapor e por feixe molecular. Com referência a essas técnicas, julgue os itens a seguir.

A técnica de epitaxia por fase vapor é também chamada de deposição por vapor químico. Uma das modalidades de deposição por vapor químico mais usadas é a epitaxia por fase vapor de organometálicos.

Com relação aos processos físicos e químicos de fabricação de dispositivo eletroeletrônicos, julgue os itens que se seguem.

A taxa de deposição na evaporação depende da pressão do vapor e da geometria do reator.

Acerca de linguagens de descrição de hardware, julgue os itens seguintes.

Um dos motivos que fazem com que a linguagem de programação C seja adequada para a modelagem de hardware é o fato de essa linguagem incluir primitivas que descrevem paralelismo no nível de processos, essencial para descrições de hardware.

Julgue os itens que se seguem, referentes aos processos físicoquímicos envolvidos na incorporação de cátions e ânions durante o crescimento epitaxial de semicondutores compostos.

A adsorção química é realizada por meio de interações de Van der Waals e não forma ligação química.

Acerca dos dispositivos de onda acústica de superfície — surface acoustic wave (SAW) —, julgue os itens subseqüentes.

Utilizam materiais piezelétricos para fazer a transdução da energia mecânica proveniente das ondas acústicas de superfície em energia elétrica e vice-versa.

O processo de dopagem é um dos passos mais importantes na fabricação de muitos dispositivos eletrônicos e optoeletrônicos. As três técnicas mais comuns para dopagem em semicondutores são: crescimento epitaxial, difusão, implantação de íons. Julgue os itens subseqüentes, relativos a essas três técnicas de dopagem.

A técnica de difusão de impurezas é mais utilizada para a dopagem em semicondutores compostos, tal como o arseneto de gálio, e menos utilizada para dopagem em semicondutores simples, tal como o silício.