Um condutor sólido de seção circular de 6 mm2, com 200 m de comprimento e resistividade de 0,017 ? mm2/m apresenta uma resistência elétrica de, aproximadamente:
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A estrutura utilizada para medição de resistência de contato é a estrutura
Qual o intervalo típico de densidade de cargas elétricas (elétrons e íons) em plasmas de alta densidade?
Materiais condutores são utilizados em aplicações em que a corrente elétrica circula com as menores perdas possíveis. Considere as descrições de materiais de elevada condutividade elétrica e os tipos de materiais condutores apresentados abaixo:
P - Material de pequena resistividade, com características mecânicas favoráveis, baixa oxidação e que apresenta fácil deformação a frio e a quente. É obtido em forma eletrolítica.
Q - Material que, em sua forma pura, é usado nos casos em que as solicitações mecânicas são pequenas. Pode apresentar corrosão galvânica, dependendo do metal que estiver em contato. É o segundo metal mais usado em eletricidade.
R - Material que apresenta bastante estabilidade química e uma fácil deformação mecânica. Em função de suas propriedades antioxidantes, é encontrado em peças de contato, anodos e fios de aquecimento.
Tipos de materiais condutores:
I – cobre
II – alumínio
III – prata
IV – chumbo
V – platina
A relação correta entre os tipos de materiais condutores apresentados e as descrições fornecidas é
Entre as principais desvantagens do processo de implantação de íons, citam-se: 1) Os danos causados pela implantação podem ampliar a difusão de dopantes 2) Os deslocamentos dos átomos na rede cristalina da amostra causados pelos danos podem resultar em corrente de fuga nas junções das regiões de fonte e de dreno de transistores MOSFETs 3) O efeito de canalização na rede cristalina da amostra pode afetar a profundidade de penetração do íon implantado Quais dessas desvantagens estão corretamente identificadas:
Qual deve ser a energia de aceleração do feixe de íons no processo de implantação para se obter em junções rasas (com profundidade menor que 10 nm) em lâmina de Si?
Considere que duas substâncias de massas m 1 e m 2 , sendo m 2 igual a 50% de m 1 , com temperaturas diferentes T 1 e T 2 =10T 1 e calores específicos c 1 e c 2 = 0,1 c 1 , respectivamente, são misturadas entre si, sem produzir trabalho. Desprezando a troca de calor com o exterior e considerando que as substâncias não reajam entre si, julgue o próximo item.
A temperatura de equilíbrio das misturas, ao final, terá um incremento superior a 30% de T 1 .
Leia atentamente as afirmativas abaixo acerca do nitreto de silício. I – O oxigênio e o vapor d’água se difundem muito lentamente pelo nitreto de silício. II – A oxidação do nitreto de silício é mais rápida que a oxidação do dióxido de silício. III – A oxidação do silício deve ser realizada antes da deposição da camada de nitreto de silício, a fim de impedir a oxidação do nitreto de silício. A alternativa com a(s) afirmativa(s) verdadeira é (são)
MCT•
A construção de dispositivos para as tecnologias de informação baseia-se no aproveitamento racional das propriedades de materiais de interesse, com o intuito de realizar funções relevantes para esse setor. O conhecimento das propriedades dos materiais é, por conseguinte, aspecto fundamental das atividades relacionadas ao projeto e à realização desses dispositivos. Acerca desse assunto, julgue os itens a seguir, relativos às propriedades ópticas e térmicas de sólidos.
O GaAs é largamente utilizado na fabricação de dispositivos optoeletrônicos por ser um semicondutor de gap direto.
A respeito de dispositivos semicondutores, julgue os itens abaixo.
O PUT é um UJT que pode ser controlado via software.
Julgue os itens a seguir, relativos à polarização de dielétricos.
Um transistor bipolar de junção estará operando no modo de corte quando tanto a junção emissor-base quanto a junção coletor-base estiverem reversamente polarizadas.
Julgue os próximos itens, acerca de diodos.
A corrente passando por um diodo típico que esteja operando na região de polarização reversa é aproximadamente nula.
Julgue os próximos itens, acerca das propriedades dos materiais.
Em uma linha de transmissão construída com fios de cobre ou de alumínio, o valor da resistência ôhmica por unidade de comprimento independe da frequência do sinal que será transmitido pela linha.
As propriedades e a estrutura do polissilício dependem fortemente das condições de deposição. Assinale a alternativa que apresenta uma condição que NÃO influencia nas propriedades e na estrutura do polissilício depositado, considerando a técnica mais utilizada para a deposição de possilício.
STM•
A energia elétrica pode ser condicionada e transferida como corrente contínua (CC) ou alternada (CA). A conversão de uma forma em outra é feita por meio de equipamentos conversores que utilizam dispositivos semicondutores de chaveamento. Acerca desse tema, julgue os itens subsequentes.
Nos diodos Schottky, uma barreira de potencial é gerada em uma junção de dois materiais semicondutores: um do tipo P e outro do tipo N.
A respeito dos materiais condutores de eletricidade, isolantes e magnéticos, julgue os itens subseqüentes.
O material do núcleo ferromagnético de transformadores de potência apresenta, em geral, elevada permeabilidade magnética, comparado, por exemplo, à permeabilidade magnética do material utilizado como meio refrigerante na parte interna do transformador.
ABIN•
A respeito de materiais utilizados para a construção de transformadores, julgue o item abaixo.
Os transformadores com núcleo ferromagnético se aquecem quando são submetidos a processos de magnetização cíclica. Para reduzir as perdas por histerese durante esse processo, na construção desses equipamentos, é apropriada a utilização de chapas de aço-silício, bem como de chapas de cristais orientados.
Considere as afirmativas abaixo. I – Para uma mesma concentração de dopante, o polissilício apresenta resistividade maior que o silício epitaxial. II – Em um polissilício dopado, os dopantes tendem a se difundir para o interior do grão, quando o silício dopado é aquecido. III – Os portadores se difundem rapidamente pelo contorno de grão. Assinale a alternativa com a(s) afirmativa(s) correta(s).
Diversas estruturas para medição de resistência são possíveis de serem implementadas. Cada um dos tipos de estrutura é mais adequado dependendo do que se deseja em termos de medidas e de precisão. Analise as sentenças a seguir, sobre a estrutura de resistência do tipo ponte: I) Esta estrutura é formada por 4 (quatro) terminais conectados a uma linha do material a ser caracterizado, dois terminais nas extremidades e dois terminais internos. II) A estrutura tipo ponte permite a medição de resistência de diversos tipos de materiais com alta precisão. III) A estrutura ponte, por realizar a medição de tensão em terminais por onde não se passa corrente, não sofre influência de resistências parasitárias. Estão corretas as sentenças:
O óxido depositado por spin-on, também conhecido como SOG, é amplamente utilizado porque I – apresenta propriedades dielétricas superiores ao dióxido de silício. II – pode ser obtido em baixas temperaturas. III – possui ótima aderência ao substrato de silício. Com relação às propriedades mencionadas acima, assinale a alternativa com a(s) propriedade(s) verdadeira(s) do SOG.
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